Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Порядок выполнения работы и

Читайте также:
  1. B) Хаос и порядок
  2. I. Порядок подготовки персонала, связанного с обращением со взрывчатыми материалами
  3. II. Порядок обеспечения военнослужащих и других контингентов Вооруженных Сил Российской Федерации продовольствием
  4. II. Порядок проведения Конкурса
  5. II. СРОКИ И ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ ФЕСТИВАЛЯ
  6. III. Божий порядок взаимоотношений и приоритетов
  7. III. Миропорядок

ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ

 

1. Собрать схему для измерения обратного тока диода.

2. Подать на диод напряжение 8 ¸ 10 В в обратном направлении («-» блока питания подключить к «+» анода диода).

3. Измерить обратный ток диода при комнатной температуре.

4. Включить нагреватель термостата и исследовать температурную зависимость обратного тока диода, измеряя его значение через 5°С. Измерения вести до температуры 60°С. Данные занести в таблицу.

 

Таблица результатов

    №   t IS Т            
опыта °С мкА К   Дж эВ
                   

 

5. Построить график зависимости натурального логарифма обратного тока диода ln IS от обратной температуры . Провести через экспериментальные точки прямую линию.

6. Определить координаты концов прямолинейного участка графика и вычислить по формуле (3) ширину запрещенной зоны полупроводника.

7. Сравнить полученное значение со значением ширины запрещенной зоны кремния (D W = 1,07 эВ) и германия (D W = 0,65 эВ) при температуре 340 К (1 эВ = 1,6×10-19 Дж).

 

ВОПРОСЫ ДЛЯ ДОПУСКА К РАБОТЕ

1. Сформулируйте цель работы.

2. Опишите рабочую установку и ход эксперимента.

3. Поясните экспериментальное определение ширины запрещенной зоны полупроводника.

ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ РАБОТЫ

1. Дайте определение собственного и примесного полупроводников (см. лаб. раб. № 401).

2. Объясните образование р-n- перехода.

3. Объясните выпрямляющие свойства р-n- перехода.

4. Объясните температурную зависимость обратного тока диода.

 

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ
ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ ПОЛУПРОВОДНИКОМ И
МЕТАЛЛОМ

Цель работы: определить контактную разность потенциалов между полупроводником и металлом в точечном германиевом диоде.

Приборы и принадлежности: термостат (колба с водой), термометр, исследуемый диод, измерительный мост, электрическая плитка.

 

Дата добавления: 2015-11-03; просмотров: 47 | Нарушение авторских прав

<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ОПИСАНИЕ РАБОЧЕЙ УСТАНОВКИ И МЕТОДА| ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)