Порядок выполнения работы и

ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ

1. Собрать схему для измерения обратного тока диода.

2. Подать на диод напряжение 8 ¸ 10 В в обратном направлении («-» блока питания подключить к «+» анода диода).

3. Измерить обратный ток диода при комнатной температуре.

4. Включить нагреватель термостата и исследовать температурную зависимость обратного тока диода, измеряя его значение через 5°С. Измерения вести до температуры 60°С. Данные занести в таблицу.

Таблица результатов

№	t	IS	Т
опыта	°С	мкА	К			Дж	эВ

5. Построить график зависимости натурального логарифма обратного тока диода ln I_S от обратной температуры . Провести через экспериментальные точки прямую линию.

6. Определить координаты концов прямолинейного участка графика и вычислить по формуле (3) ширину запрещенной зоны полупроводника.

7. Сравнить полученное значение со значением ширины запрещенной зоны кремния (D W = 1,07 эВ) и германия (D W = 0,65 эВ) при температуре 340 К (1 эВ = 1,6×10^-19 Дж).

ВОПРОСЫ ДЛЯ ДОПУСКА К РАБОТЕ

1. Сформулируйте цель работы.

2. Опишите рабочую установку и ход эксперимента.

3. Поясните экспериментальное определение ширины запрещенной зоны полупроводника.

ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ РАБОТЫ

1. Дайте определение собственного и примесного полупроводников (см. лаб. раб. № 401).

2. Объясните образование р-n- перехода.

3. Объясните выпрямляющие свойства р-n- перехода.

4. Объясните температурную зависимость обратного тока диода.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ
ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ ПОЛУПРОВОДНИКОМ И
МЕТАЛЛОМ

Цель работы: определить контактную разность потенциалов между полупроводником и металлом в точечном германиевом диоде.

Приборы и принадлежности: термостат (колба с водой), термометр, исследуемый диод, измерительный мост, электрическая плитка.

Дата добавления: 2015-11-03