|
Читайте также: |
ИЗМЕРЕНИЙ
На вольтамперные характеристики полупроводниковых выпрямителей в сильной степени влияет температура. При повышении температуры увеличиваются прямой и обратный токи. Обратный ток существенно зависит от температуры, тогда как относительное изменение прямого тока с изменением температуры незначительно. С ростом температуры уменьшается высота потенциального барьера и экспоненциально растет концентрация неосновных носителей заряда, вследствие чего увеличивается ток насыщения IS с повышением температуры.
Зависимость обратного тока насыщения от температуры для полупроводниковых диодов можно представить в виде:
(1)
где С - множитель, слабо зависящий от температуры, D W -энергия материала диода (ширина запрещенной зоны).
Исследуя температурную зависимость обратного тока насыщения, можно найти значение энергии активации (ширины запрещенной зоны) полупроводникового материала диода. Логарифмируя выражение (1), получим для температур Т1 и Т2 выражения:
(2)
Решая уравнения (2) относительно энергии D W, получим:
(3)
где IS1 и IS2 - обратные токи насыщения при температурах Т1 и Т2 соответственно, k - постоянная Больцмана.
Блок-схема установки для определения температурной зависимости обратного тока полупроводникового диода представлена на рис.6. Исследуемый диод 1, на который подается напряжение от блока питания 2, помещают вместе с термометром 3 в термостат 4, 5 и нагревают с помощью электроплитки 6 от комнатной температуры до 60 °С.
Дата добавления: 2015-11-03; просмотров: 37 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ | | | ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ И |