Читайте также:
|
При низких температурах все квантовые состояния в валентной зоне заполнены, а в зоне проводимости пусты. С повышением температуры часть электронов из валентной зоны переходит в зону проводимости. В валентной зоне появляются незаполненные состояния, которые называются дыркой. Проводимость полупроводника обусловлена электронами, попавшими в зону проводимости, и дырками в валентной зоне, концентрации электронов проводимости и дырок равны.
9. Что такое полупроводники n-типа и р-типа? Схемы заполнения энергетических уровней
В полупроводниках n-типа добавлена 5-ти валентная донорная примесь (As), являющаяся источником свободных электронов.
Энергетический уровень примеси 
находится между 
и 
(т.е. смещён выше)
В полупроводниках p-типа добавлена 3-х валентная донорная примесь (Ga), являющаяся источником дырок.
Энергетический уровень примеси находится между 
и (т.е. смещён ниже)
Зависимость химпотенциапа собственного полупроводника от температуры
Дата добавления: 2015-10-28; просмотров: 52 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Теорема Блоха | | | Температурная зависимость проводимости полупроводников |