Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Транспорт заряда и мобильность дрейфа

Вводные замечания | Область пропорциональности | Плато Гейгера-Мюллера | Ионизационные радиационные детекторы в ядерной медицине | Сцинтилляторы | Фотоэлектронные умножители и электронные устройства в сцинтилляционном методе | Аппаратурная форма линии спектрометра | Общие характеристики сцинтилляционных детекторов с кристаллом NaI(Tl) | Детектирование совпадений | Счетчик с колодцем |


Читайте также:
  1. III. Транспортные издержки
  2. VI. Требования к применению, хранению, транспортированию и утилизации дезинсекционных средств
  3. А) НА ТРАНСПОРТІ
  4. Аварии и катастрофы на железнодорожном транспорте
  5. Авиационный транспорт
  6. АВТОТРАНСПОРТНОГО ПРЕДПРИЯТИЯ
  7. Анализ размещения мест массового приложения труда, инженерной и транспортной инфраструктуры. Выявление ключевых инфраструктурных ограничений, препятствующих развитию агломерации

В ПД, к которому приложен внешний потенциал, создается внутреннее электрическое поле, называемое приложенным полем. Это поле ускоряет носителей заряда, в то же время происходит их рассеяние на примесях или фононах. Общий эффект многих таких ускорений и рассеяний представляет собой случайное блуждание носителей заряда, смещенное в направлении электрического поля. Результирующая дрейфовая скорость v равномерна в направлении электрического поля и линейно зависит от его величины:

(2.14)

где μ – константа пропорциональности, называемая подвижностью дрейфа.

Формула (2.14) справедлива для рабочих режимов большинства ПД, но при очень высоких полях скорость приближается к своему асимптотическому значению. Подвижность дрейфа отличается для разных ПД и зависит от количества примесей и от типа носителей заряда. При комнатной температуре транспорт заряда в ПД часто определяется процессом захвата на дефекты в кристаллической решетке. Захват носителей также является случайным процессом и количество зарядов убывает по экспоненциальному закону:

(2.15)

где τ – время жизни до захвата.

Обычно для конкретного ПД время жизни для электронов и дырок разное и зависит от чистоты кристалла и его однородности. Для плоского ПД сигнал определяется расстоянием, проходимым зарядом, поэтому для данного типа носителей сигнал S в зависимости от подвижности и захвата заряда равняется

(2.16)

где S 0 = e N 0; t – время, меньшее или равное времени движения заряда до электрода.

Зависимость амплитуды импульса от времени, нормированная на единичный носитель заряда, показана на рис. 2.20.

Рис. 2.20. Зависимость амплитуды импульса от времени для единичного носителя заряда с учетом, с подавлением и без учета захвата носителей. TR – время переноса заряда

 

Для γ-излучения, создающего при взаимодействии в среде одинаковое количество электронов и дырок на расстоянии x от катода, нормированная величина сигнала равна

(2.17)

где ограничения на время транспорта равны и . Для более продолжительного времени, когда перенос всех зарядов завершится, имеем:

(2.18)

где λ e = μ e γ eE и λ h = μ h γ hE – длины захвата.

Вообще говоря, фотоны взаимодействуют в ПД на разных глубинах. Ценность уравнения (2.18) в том, что оно показывает на сильную зависимость сигнала в плоском детекторе от глубины взаимодействия x. На рис. 2.21, основываясь на уравнении (2.18), демонстрируется форма модельного амплитудного спектра в плоском детекторе при допущении, что вся энергия, передаваемая при взаимодействии фотона в среду, поглощается в точке взаимодействия. Из-за этого допущения процесс захвата расставляет иначе события, которые были бы в противном случае в длинном низкоэнергетическом хвосте фотопика. Полезно сравнить реальные спектры на рис. 2.19 с модельными на рис. 2.21.

 


Дата добавления: 2015-10-24; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Физика полупроводниковых детекторов| Коррекция захватов

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)