Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вторинні параметри біполярного транзистора

Читайте также:
  1. Многопараметрический подход к эффективности
  2. Параметри захисту
  3. Параметри: 9КП, довжина – 1,3 км
  4. Параметризация типов данных в классах и функциях.
  5. Параметрический эквалайзер
  6. Параметры транзистора

 

Вторинні параметри біполярного транзистора це параметри, які не залежать від схеми його увімкнення. Усі системи вторинних параметрів транзистора основані на тому, що транзистор розглядають, як чотириполюсник, який має дві вхідні і дві вихідні клеми (рис1.). Вторинні параметри зв’язують вхідні і вихідні змінні струми і напруги і справедливі тільки для для певної схеми його увімкнення і для малих значення амплітуд сигналів. Вторинні параметри – це мало низькочастотні і малосигнальні параметри біполярного транзистора Для опису властивостей транзистора як чотириполюсника переважно використовують Z, Y і H – параметри.

Z -параметри біполярного транзистора отримуємо з системи рівнянь чотириполюсника, який описується з використання Z- параметрів

 

 

 

Рис.1.

 

 

 

– вхідний опір транзистора в режимі холостого ходу на виході (І2 =0);

– зворотний перехідний опір транзистора в режимі холостого ходу на вході (І1 =0);;

– прямий перехідний опір транзистора в режимі холостого ходу на виході (І2 =0);

– вихідний опір транзистора в режимі холостого ходу на вході (І1 =0);;

 


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 73 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Варикапи| ВИДОВИЩЕ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)