|
Це площинні напівпровідникові діоди,які працюють при зворотному зміщенні від якого залежить бар’єрна ємність. Варикапи застосовують як електрично керовану ємність. Це електричний конденсатор, значення якого керується за допомогою постійної зворотної напруги. Виготовляють варикапи з кремнію за сплавною або дифузійною технологією. Основні особливості властивостей варикапа:
· мале значення температурного коефіцієнта ємності;
· низький рівень власних шумів;
· незалежність ємності варикапа від частоти.
Застосування варикапів:
· у пристроях частотної модуляції;
· у схемах автоматичного підналагодження частоти;
· для переналагодження частоти коливних LC – контурів;
· у блоках високої частоти радіо і телеприймачів.
Основні електричні параметри варикапів:
Сном – номінальна ємність варикапа при номінальній напрузі зміщення. Переважно номінальне значення цієї ємності знаходиться в межах
Кс – коефіцієнт перекриття, це відношення максимального значення ємності варикапа до мінімального. Переважно знаходиться в межах (3-4).
Q – добротність, відношення реактивного опору варикапа до повного опору втрат
.
При збільшенні части добротність варикапа спочатку зростає і досягає максимального значення а потім починає спадати. Значення добротності варикапа знаходиться в межах (десятки – сотні).
– максимальна зворотна наруга (.
ТКЄ – температурний коефіцієнт ємності, це відносна міна ємності варикапа на один градус температури оС ТКЄ = . Переважно для варикапа ТКЄ знаходиться в межах ТКЄ = (2-5)10-4 (1/ оС).
– максимальна потужність, яка розсіюється на варикапі знаходиться в межах і складає . Основні схеми увімкнення варикапів наведені на рис.3. і рис.4.
Рис.1. Умовне позначення варикапа на електричній принциповій схемі
Рис.2. Залежність ємності варикапа від зворотної напруги
Рис.3. Схема ввімкнення варикапаів в коливний LC -контур
Рис.4. Схема ввімкнення варикапа в коливний LC -контур
Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 92 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Расчетная часть работы | | | Вторинні параметри біполярного транзистора |