Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Анодная (вольт - амперная) характеристика диода

П1 П2 П3 | Iвыкл III | P1 n1 p2 n2 | Схема тринисторного однополупериодного выпрямителя | Eн Eу t | СЭ П2 n2 | Фотоприёмные приборы. | Фоторезистор | Фотодиоды | Фототранзистор |


Читайте также:
  1. I. Общая характеристика программы
  2. III.Характеристика обобщенных трудовых функций
  3. А. Общая характеристика вены
  4. Аксиоматизация и формализация теории. Общая характеристика гипотетико-дедуктивного метода.
  5. Англо-саксонская правовая система (англоязычных государств). Общая характеристика.
  6. Артыкбикә образына характеристика

Эта характеристика представляет собой зависимость

Iа=f (Uа) при Uн= const,

где Uн – напряжение накала, которое обеспечивает постоянство температуры катода и, следовательно, постоянство тока эмиссии. При UА=0 анодный ток практически отсутствует и только некоторые электроны, имеющие достаточно большую энергию, могут развить скорость, необходимую для преодоления тормозящего поля пространственного заряда, и достичь анода. При подаче положительного анодного напряжения для электронов создаётся ускоряющее поле, которое позволяет им преодолеть тормозящее поле пространственного заряда и достигнуть анода. По мере возрастания анодного напряжения UА происходит постепенное рассасывание пространственного заряда, и анодный ток IА увеличивается. При каком-то значении +Uа пространственный заряд полностью рассасывается. Режим, при котором полностью рассасывается пространственный заряд электронов в диоде, называется режимом насыщения. В этом режиме все электроны, вылетевшие с катода, достигают анода. В режиме насыщения ток эмиссии

IА = IА нас. Таким образом, при работе диода наблюдается два режима: режим пространственного заряда и режим насыщения.

IА

 
 

 

 


режим простр. режим UА

заряда насыщения

Основным режимом является режим пространственного заряда, т.к. в этом режиме проявляется управляющее действие поля анода, и анодный ток IА меняется пропорционально напряжению UА. Эта пропорциональность нарушается в режиме насыщения, где изменение UА не вызывает соответствующего изменения IА.

В действительности, и в режиме насыщения также происходит некоторое увеличение тока IА при увеличении UА. Оно особенно резко выражено у ламп с оксидными катодами, что связано с увеличением тока эмиссии под действием поля анода.


Статические параметры диода

Крутизна характеристики отражает управляющее воздействие изменения UА на изменение IА в режиме пространственного заряда:

S=ΔIА/ ΔUА, мА/В при Uн = const.

Крутизна характеристики в различных её точках разная, т.к. сама характеристика нелинейная. Очевидно, чем ближе к катоду расположен анод, тем управляющее воздействие поля анода на пространственный заряд больше и S соответственно больше. Ламповые диоды имеют S=2…6 мА/В.

Внутреннее сопротивление характеризует сопротивление диода изменяющемуся току, т.е. переменному току:

Ri = ΔUА / ΔIА при Uн = const.

Внутреннее сопротивление диода Ri составляет 50…1000 Ом.


Дата добавления: 2015-10-02; просмотров: 108 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Яркостная характеристика В| Предельные параметры диода

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)