Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Выбор датчика температуры на основе p-n перехода полупроводникового диода и схемы его подключения

ВВЕДЕНИЕ | Суховоздушный термостат | Измерение температуры | Структурная схема термостата | Принципиальная электрическая схема контроллера термостата | Принципиальная электрическая схема силового драйвера модуля Пельтье | Принципиальная электрическая схема измерительного усилителя | Внешний вид электронных блоков | Описание работы блоков программы динамического режима | Описание работы термостата. |


Читайте также:
  1. A. Теория социального выбора: невозможность рационального согласования интересов
  2. I. Выбор электродвигателя
  3. I. Выбор электродвигателя и кинематический расчет
  4. I. Выбор электродвигателя и кинематический расчет
  5. I. КАРТИНА ПО ВАШЕМУ СОБСТВЕННОМУ ВЫБОРУ
  6. I. Медь и сплавы на основе меди.
  7. I. Порядок организации работ по выбору показателей химического состава питьевой воды

Характеристики полупроводникового р-n перехода в диодах и биполярных транзисторах зависят от температуры. Это свойство используется при изготовлении полупроводниковых датчиков температуры на основе p-n перехода. На рисунке 2 показана схема датчика температуры на основе полупроводникового диода, включенного в прямосмещенном режиме.

Рис.2. Датчик температуры на основе диода, включенного в прямосмещенном режиме с источником тока.

Схему можно упростить без потери точности измерения, заменив источник тока резистором, у которого R>>rd (Рис.3).

Рис.3. Датчик температуры на основе диода, включенного в прямосмещенном режиме.

Выходное напряжение U диода прямо пропорционально изменению температуры диода (Рис.4).

Рис.4. Зависимость напряжения от температуры для прямосмещенного p-n перехода, снятая при постоянном токе

Например, для кремниевого перехода, работающего при токе 10 мкА, температурная чувствительность равна 2,3 мВ/°С. Для схемы на рисунке 3 выбираем значение рабочего тока I = 100 мкА, при Е = 5 В и U ≈ 0,6 В сопротивление R = 44 кОм.



Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 595 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Постановка задачи| Выбор типа термоэлектрического модуля (ТЭМ)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)