Читайте также:
|
|
Характеристики полупроводникового р-n перехода в диодах и биполярных транзисторах зависят от температуры. Это свойство используется при изготовлении полупроводниковых датчиков температуры на основе p-n перехода. На рисунке 2 показана схема датчика температуры на основе полупроводникового диода, включенного в прямосмещенном режиме.
Рис.2. Датчик температуры на основе диода, включенного в прямосмещенном режиме с источником тока.
Схему можно упростить без потери точности измерения, заменив источник тока резистором, у которого R>>rd (Рис.3).
Рис.3. Датчик температуры на основе диода, включенного в прямосмещенном режиме.
Выходное напряжение U диода прямо пропорционально изменению температуры диода (Рис.4).
Рис.4. Зависимость напряжения от температуры для прямосмещенного p-n перехода, снятая при постоянном токе
Например, для кремниевого перехода, работающего при токе 10 мкА, температурная чувствительность равна 2,3 мВ/°С. Для схемы на рисунке 3 выбираем значение рабочего тока I = 100 мкА, при Е = 5 В и U ≈ 0,6 В сопротивление R = 44 кОм.
Дата добавления: 2015-09-02; просмотров: 595 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Постановка задачи | | | Выбор типа термоэлектрического модуля (ТЭМ) |