|
Читайте также: |
Их изготавливают на основе планарно-эпитаксиальной технологии, включающей в себя принцип диффузии, эпитаксии, окисления, фотолитографии, металлизации.
МЕТОДЫ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС
· Изоляция р-п переходом (достоинство - проще технология).
· Изоляция диэлектриком (большая точность параметров).
Первый способ обеспечивает создание вокруг каждого элемента обратносмещенного р-п перехода. Обратное смещение переходов, расположенных между двумя соседними элементами, создается подачей на подложку р-типа самого низкого отрицательного потенциала.
Второй способ обеспечивает создание вокруг каждого элемента слоя диэлектрика, обычно SiO2 (рис.1,2).
Рис.1 
Рис.2
Дата добавления: 2015-08-20; просмотров: 36 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| КЛАССИФИКАЦИЯ ИМС | | | ДОСТОИНСТВА ГИБРИДНЫХ ИМС |