Читайте также:
|
|
Диод | Корпус | Наибольшее обратное напряжение, В | Постоянный прямой ток, А | Импульсный прямой ток, А | Прямое напряжение, В | Обратный ток1, мА |
SM4005 | MELF | 1.1 | 0.01/- | |||
SM58192 | MELF | 0.5 | 0.5/20 | |||
LL4148 | MiniMELF | 0.1 | - | 0.005/- | ||
SR242 | SMA | 0.5 | 0.5/20 | |||
SS192 | SMA | 0.85 | 0.5/20 | |||
S3B | SMC | 1.2 | 0.005/0.025 | |||
S3D | SMC | 1.2 | 0.005/0.025 | |||
S3J | SMC | 1.2 | 0.005/0.025 | |||
SK342 | SMC | 0.5 | 0.5/20 | |||
SK392 | SMC | 0.85 | 0.5/20 | |||
DI158S3 | DB | 1.5 | 1.1 | 0.01/0.1 | ||
DI108S3 | DB | 1.1 | 0.01/0.1 | |||
B8S3 | MB-S | 0.5 | 0.005/0.05 | |||
B6S3 | MB-S | 0.5 | 0.005/0.05 |
1Обратный ток указан при двух значениях: 25/100оС
2Диоды Шотки
3Диодные мосты
Корпус SOT23 | ||||||
Диод | Маркировка | Число диодов | Наибольшее обратное напряжение, В | Постоянный прямой ток, А | Наибольшее время расса- сывания носителей, нс | Емкость диода, пФ |
BAS16 | JU/A6 | 12 | 0.2 | |||
BAS21 | JS | 12 | 0.2 | |||
BAV70 | JJ/A4 | 23 | 0.25 | 1.5 | ||
BAV99 | JK;JE;A7 | 24 | 0.25 | 1.5 | ||
BAW56 | JD; A1 | 25 | 0.25 | |||
BAT54S1 | L44 | 24 | 0.2 | |||
BAT54C1 | L43 | 23 | 0.2 | |||
BAV23S | L31 | 24 | 0.225 |
1Диоды Шотки
2Анод подключен к выв. 1, катод – к выв.3 (выв.2 - свободен)
3Общий катод подключен к выв. 3, аноды – к выв. 1 и 2.
4Анод первого – выв. 1, катод первого и анод второго – выв. 3, катод второго – выв. 2.
5Общий анод подключен к выв. 3, катоды – к выв. 1 и 2
ПРИЛОЖЕНИЕ М
Отечественные SMD транзисторы
Типы корпусов SMD транзисторов по международному обозначению
ПРИЛОЖЕНИЕ Н
Типы корпусов SMD микросхем
Габаритные размеры корпусов типа SOIC (подтип 43)
Габаритные размеры корпусов типа 4, подтипа 43 (SOIC)
ПРИЛОЖЕНИЕ С
Наименование элемента | Количес тво, шт. | Конструктивные параметры | Допустимые условия эксплуатации | |||||
Масса, г | Установочная площадь м2х106 | λ0 1/ч х106 | Диапазон темпера тур оС | Вибрация | Ударные перегрузки G | |||
Часто та, Гц | Перегруз ка g | |||||||
Транзисторы: КТ315В КТ801А Тиристор КУ202А | 0,18 | 0,5 0,7 0,85 | -60…100 -40…85 -55…70 | 10…600 10…600 10…600 | 7.5 7.5 | 2,5 | ||
Диоды: Д223 Д226 Стабилитрон КС156А | 0,55 | 0,6 0,46 | -60…100 -60…80 -55…100 | 10…100 2…2500 10…600 | 7,5 | |||
Конденсаторы: К50-6 К53-1 К10-17 ЭТ0-2 | - - - - | - - - - | 2,4 1,2 0,98 0,85 | -10…70 -80…85 -60…85 -60…200 | 5…80 10…2000 10…600 10…600 | 2.5 | ||
Резисторы: С1-4 0.125 С1-4 0.25 ОМЛТ-2 СП3-1б Реле РЭС-47 | 0,15 0,25 3,5 | 0,3 0,4 0,6 1,2 1,6 | -60…125 -60…125 -60…125 -30…90 -60…85 | 10…2000 10…2000 10…2000 10…600 50…1000 |
ПРИЛОЖЕНИЕ Т
Коэффициенты нагрузки ЭРЭ
Наименование элемента | Контролируемые параметры | Коэффициент нагрузки Кн | Рекомендуемое значение Кн | Действительное значение Кн |
Микросхемы | Максимальный выходной ток, Iвыхmax. Выходной ток микросхем, включенных на выходе, Iвхi Число нагруженных входов, n | - | ||
Транзисторы | Мощность, рассеиваемая на коллекторе, Рк | 0,5 | ||
Полупроводниковые диоды | Обратное напряжение, Uо | 0,5 | ||
Конденсаторы | Напряжение на обкладках, U | 0.7 | ||
Резисторы | Рассеиваемая мощность, Р | 0,6 | ||
Трансформаторы | Ток нагрузки, Iн | 0,9 | ||
Электрические соединения | Ток, Ik | 0,8 |
ПРИЛОЖЕНИЕ У
Интенсивность отказов радиоэлементов
Наименование элемента | l0*106, 1/ч | Наименование элемента | l0*106, 1/ч |
Микросхемы со средней степенью интеграции | 0,013 | Автотрансформаторы | 0,06 |
Большие интегральные схемы | 0,01 | Дроссели | 0,34 |
Транзисторы германиевые | 0,4 | Катушки индуктивности | 0,02 |
до 2 мВт | 0,4 | Обмотки электродвигателя | 0,08 |
до 20 мВт | 0,6 | Реле | 0,25*n |
до 200 мВт | 0,6 | Соединители | 0,062*n |
свыше 200 мВт | 1,91 | Переключатели кнопочные | 0,07*n |
Транзисторы кремниевые | Гнезда | 0,01 | |
до 150 мВт | 0,84 | Клеммы, зажимы | 0,005 |
до 1 Вт | 0,5 | Провода соединительные | 0,015 |
до 4 Вт | 0,74 | Кабели | 0,475 |
Диоды германиевые | 0,157 | Изоляторы | 0,05 |
Диоды кремниевые | 0,2 | Аккумуляторы | 7,2 |
Конденсаторы бумажные | 0,005 | Батареи заряжаемые | 1,4 |
—»— керамические | 0,15 | Электродвигатели асинхронные | 8,6 |
—»—- слюдяные | 0,075 | —»— синхронные | 0,359 |
—»— стеклянные | 0,06 | —»— вентиляторные | 2,25 |
—»— электролитические | 0,035 | Антенны | 0,36 |
—»— воздушные переменные | 0,034 | Волноводы жесткие | 1,1 |
Резисторы композиционные | 0,043 | Волноводы гибкие | 2,6 |
—»— пленочные | 0,03 | Предохранители | 0,5 |
—»— проволочные | 0,087 | Выводы высокочастотные | 2,63 |
—»— угольные | 0,045 | Плата печатной схемы | 0,7 |
Трансформаторы входные | 1,09 | Пайка печатного монтажа | 0,01 |
-»— выходные | 0,09 | Пайка навесного монтажа | 0,03 |
—»— звуковой частоты | 0,02 | Пайка объемного монтажа | 0,02 |
—»— высокочастотные | 0,045 | Микрофоны динамические | |
-«- силовые | 0,025 | Громкоговорители динамические | |
SMD-компоненты | Датчики оптические | 4,7 | |
Транзисторы | 0,2 | ||
Диоды | 0,1 | ||
Резисторы | 0,01 | ||
Конденсаторы | 0,08 | ||
Микросхемы | 0,01 |
Примечание: п — число контактов
ПРИЛОЖЕНИЕ Ф
Варианты формовки выводов и установки элементов на печатные платы (ОСТ4 ГО.010.030)
ПРИЛОЖЕНИЕ Х
Пример указания по формовке выводов радиоэлементов на сборочных чертежах печатных узлов электронных аппаратов |
Пример указания по формовке выводов радиоэлементов на сборочных чертежах печатных узлов электронных аппаратов
Дата добавления: 2015-12-01; просмотров: 112 | Нарушение авторских прав