Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Электрические характеристики зарубежных SMD диодов

Читайте также:
  1. XXXVIII Террор против зарубежных коммунистов
  2. АНТРОПОМЕТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЧЕЛОВЕКА
  3. Африка и Аравия: сорта Арабики и вкусовые характеристики
  4. Биоэлектрические явления и возбудимость живых тканей
  5. Ботанічні характеристики
  6. Витяг з освітньо-кваліфікаційної характеристики
  7. Внешние характеристики и манера преподнесения
Диод Корпус Наибольшее обратное напряжение, В Постоянный прямой ток, А Импульсный прямой ток, А Прямое напряжение, В Обратный ток1, мА
SM4005 MELF       1.1 0.01/-
SM58192 MELF       0.5 0.5/20
LL4148 MiniMELF   0.1 -   0.005/-
SR242 SMA       0.5 0.5/20
SS192 SMA       0.85 0.5/20
S3B SMC       1.2 0.005/0.025
S3D SMC       1.2 0.005/0.025
S3J SMC       1.2 0.005/0.025
SK342 SMC       0.5 0.5/20
SK392 SMC       0.85 0.5/20
DI158S3 DB   1.5   1.1 0.01/0.1
DI108S3 DB       1.1 0.01/0.1
B8S3 MB-S   0.5     0.005/0.05
B6S3 MB-S   0.5     0.005/0.05

1Обратный ток указан при двух значениях: 25/100оС

2Диоды Шотки

3Диодные мосты

Корпус SOT23
Диод Маркировка Число диодов Наибольшее обратное напряжение, В Постоянный прямой ток, А Наибольшее время расса- сывания носителей, нс Емкость диода, пФ
BAS16 JU/A6 12   0.2    
BAS21 JS 12   0.2    
BAV70 JJ/A4 23   0.25   1.5
BAV99 JK;JE;A7 24   0.25   1.5
BAW56 JD; A1 25   0.25    
BAT54S1 L44 24   0.2    
BAT54C1 L43 23   0.2    
BAV23S L31 24   0.225    

1Диоды Шотки

2Анод подключен к выв. 1, катод – к выв.3 (выв.2 - свободен)

3Общий катод подключен к выв. 3, аноды – к выв. 1 и 2.

4Анод первого – выв. 1, катод первого и анод второго – выв. 3, катод второго – выв. 2.

5Общий анод подключен к выв. 3, катоды – к выв. 1 и 2

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ М


Отечественные SMD транзисторы


Типы корпусов SMD транзисторов по международному обозначению

 

ПРИЛОЖЕНИЕ Н

Типы корпусов SMD микросхем


Габаритные размеры корпусов типа SOIC (подтип 43)

 

 


Габаритные размеры корпусов типа 4, подтипа 43 (SOIC)

 

 

 

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ С

 

Наименование элемента Количес тво, шт. Конструктивные параметры Допустимые условия эксплуатации
Масса, г Установочная площадь м2х106 λ0 1/ч х106 Диапазон темпера тур оС Вибрация Ударные перегрузки G
Часто та, Гц Перегруз ка g
Транзисторы:   КТ315В КТ801А Тиристор КУ202А       0,18         0,5 0,7   0,85   -60…100 -40…85   -55…70   10…600 10…600   10…600   7.5   7.5   2,5  
Диоды:   Д223 Д226 Стабилитрон КС156А             0,55                 0,6 0,46         -60…100 -60…80     -55…100     10…100 2…2500     10…600         7,5        
Конденсаторы:   К50-6 К53-1 К10-17 ЭТ0-2     - - - -   - - - -   2,4 1,2 0,98 0,85   -10…70 -80…85 -60…85 -60…200   5…80 10…2000 10…600 10…600   2.5  
Резисторы:   С1-4 0.125   С1-4 0.25   ОМЛТ-2   СП3-1б   Реле РЭС-47                       0,15     0,25   3,5                   0,3     0,4   0,6     1,2     1,6     -60…125     -60…125   -60…125     -30…90     -60…85   10…2000   10…2000   10…2000   10…600   50…1000                                    

 

ПРИЛОЖЕНИЕ Т

Коэффициенты нагрузки ЭРЭ

Наименование элемента Контролируемые параметры Коэффициент нагрузки Кн Рекомендуемое значение Кн Действительное значение Кн
Микросхемы Максимальный выходной ток, Iвыхmax. Выходной ток микросхем, включенных на выходе, Iвхi Число нагруженных входов, n -  
Транзисторы Мощность, рассеиваемая на коллекторе, Рк 0,5  
Полупроводниковые диоды Обратное напряжение, Uо 0,5  
Конденсаторы Напряжение на обкладках, U 0.7  
Резисторы Рассеиваемая мощность, Р 0,6  
Трансформаторы Ток нагрузки, Iн 0,9  
Электрические соединения Ток, Ik 0,8  

 

ПРИЛОЖЕНИЕ У

Интенсивность отказов радиоэлементов

Наименование элемента l0*106, 1/ч Наименование элемента l0*106, 1/ч
Микросхемы со средней степенью интеграции 0,013 Автотрансформаторы 0,06
Большие интегральные схемы 0,01 Дроссели 0,34
Транзисторы германиевые 0,4 Катушки индуктивности 0,02
до 2 мВт 0,4 Обмотки электродвигателя 0,08
до 20 мВт 0,6 Реле 0,25*n
до 200 мВт 0,6 Соединители 0,062*n
свыше 200 мВт 1,91 Переключатели кнопочные 0,07*n
Транзисторы кремниевые   Гнезда 0,01
до 150 мВт 0,84 Клеммы, зажимы 0,005
до 1 Вт 0,5 Провода соединительные 0,015
до 4 Вт 0,74 Кабели 0,475
Диоды германиевые 0,157 Изоляторы 0,05
Диоды кремниевые 0,2 Аккумуляторы 7,2
Конденсаторы бумажные 0,005 Батареи заряжаемые 1,4
—»— керамические 0,15 Электродвигатели асинхронные 8,6
—»—- слюдяные 0,075 —»— синхронные 0,359
—»— стеклянные 0,06 —»— вентиляторные 2,25
—»— электролитические 0,035 Антенны 0,36
—»— воздушные переменные 0,034 Волноводы жесткие 1,1
Резисторы композиционные 0,043 Волноводы гибкие 2,6
—»— пленочные 0,03 Предохранители 0,5
—»— проволочные 0,087 Выводы высокочастотные 2,63
—»— угольные 0,045 Плата печатной схемы 0,7
Трансформаторы входные 1,09 Пайка печатного монтажа 0,01
-»— выходные 0,09 Пайка навесного монтажа 0,03
—»— звуковой частоты 0,02 Пайка объемного монтажа 0,02
—»— высокочастотные 0,045 Микрофоны динамические  
-«- силовые 0,025 Громкоговорители динамические  
SMD-компоненты   Датчики оптические 4,7
Транзисторы 0,2    
Диоды 0,1    
Резисторы 0,01    
Конденсаторы 0,08    
Микросхемы 0,01    

 

Примечание: п — число контактов

 

ПРИЛОЖЕНИЕ Ф

 

Варианты формовки выводов и установки элементов на печатные платы (ОСТ4 ГО.010.030)

 

ПРИЛОЖЕНИЕ Х

  Пример указания по формовке выводов радиоэлементов на сборочных чертежах печатных узлов электронных аппаратов  

Пример указания по формовке выводов радиоэлементов на сборочных чертежах печатных узлов электронных аппаратов

 

 


Дата добавления: 2015-12-01; просмотров: 112 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)