Читайте также:
|
- проверка герметичности
- наблюдение за образованием пузырьков в жидкости
- гелиевый течеискатель (выдержка 1 ч в гелиевой атмосфере при давлении
400 МПа, перенос в камеру масс-спектрометра, наблюдение в условиях
вакуума за выделением гелия)
- испытания на тепловой удар
- нагрев корпуса до 125° С и выдержка 15 мин; охлаждение корпуса
до комнатной температуры, выдержка 5 мин; охлаждение до -55° С;
возврат до комнатной температуры. 15 циклов с последующей проверкой
на герметичность
- проверка на усталостную прочность внешних выводов корпуса
- изгиб внешних выводов на 45° под действием силы 2,5 Н. 3 цикла
с последующей проверкой на герметичность
- проверка на пригодность к пайке
- погружение выводов на 10 с в расплавленный припой с последующей
проверкой на функционирование
- проверка основных электрических параметров микросхем в нормальных
условиях, при повышенных и пониженных значениях температуры
при наихудшем сочетании электрических параметров (входных сигналов,
питающих напряжений и пр.) в пределах, установленных ТУ.
- маркировка, лакировки м упаковка готовых микросхем.
Планарно-эпитаксиальная технология - создание элементов микросхем в
приповерхностных слоях полупроводниковой пластины с рабочей стороны
с использованием эпитаксиального наращивания тонкого слоя кремния
- подготовка поверхности пластин к выполнению конкретной
технологической операции
- термическое окисление пластин кремния
- фотолитография
- диффузия примесей в кремний
- эпитаксиальное наращивание кремния
- формирование слоев металлизации
- нанесение диэлектрических покрытий
Фотолитография - процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски - получение конфигурации элементов микросхем
с применением фоторезистов - формирование диффузионных слоев, контактов с металлизацией, конфигурации межсоединений (разводка) в слое металлизации.
Фоторезист - светочувствительное покрытие.
Диффузионное легирование - высокотемпературное внедрение атомов
легирующей примеси в приповерхностные области кремниевой пластины.
Ионное легирование - внедрение ионизированных атомов (ионов) легирующей
примеси в приповерхностные области кремниевой пластины.
Эпитаксия - ориентированное наращивание монокристаллической пленки
на монокристаллической подложке, причем структура эпитаксиальной пленки
повторяет структуру подложки независимо от уровня легирования и типа
проводимости пленки и подложки.
Металлизация - создание коммутационных проводников для электрического
соединения элементов интегральных микросхем с минимальным переходным
сопротивлением и контактных площадок для монтажа микросхем в корпусах
и на коммутационных платах.
Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 89 | Нарушение авторских прав