Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

механические и климатические испытания



Читайте также:
  1. V. Вступительные испытания
  2. V2: Испытания конструкционных материалов на растяжение и сжатие
  3. V2: Механические свойства материалов
  4. Арктический и субарктический природно-климатические пояса и их условия для развития человека
  5. Б) Преодоление испытания силой Христовой (6,3-7,1)
  6. В действительности, трудности — это испытания для нас, своего рода проверка, по которой определяют степень нашей значимости перед Аллахом.
  7. Где проводятся испытания электрозащитных средств ?

- проверка герметичности

- наблюдение за образованием пузырьков в жидкости

- гелиевый течеискатель (выдержка 1 ч в гелиевой атмосфере при давлении

400 МПа, перенос в камеру масс-спектрометра, наблюдение в условиях

вакуума за выделением гелия)

- испытания на тепловой удар

- нагрев корпуса до 125° С и выдержка 15 мин; охлаждение корпуса

до комнатной температуры, выдержка 5 мин; охлаждение до -55° С;

возврат до комнатной температуры. 15 циклов с последующей проверкой

на герметичность

- проверка на усталостную прочность внешних выводов корпуса

- изгиб внешних выводов на 45° под действием силы 2,5 Н. 3 цикла

с последующей проверкой на герметичность

- проверка на пригодность к пайке

- погружение выводов на 10 с в расплавленный припой с последующей

проверкой на функционирование

- проверка основных электрических параметров микросхем в нормальных

условиях, при повышенных и пониженных значениях температуры

при наихудшем сочетании электрических параметров (входных сигналов,

питающих напряжений и пр.) в пределах, установленных ТУ.

- маркировка, лакировки м упаковка готовых микросхем.

Планарно-эпитаксиальная технология - создание элементов микросхем в

приповерхностных слоях полупроводниковой пластины с рабочей стороны

с использованием эпитаксиального наращивания тонкого слоя кремния

- подготовка поверхности пластин к выполнению конкретной

технологической операции

- термическое окисление пластин кремния

- фотолитография

- диффузия примесей в кремний

- эпитаксиальное наращивание кремния

- формирование слоев металлизации

- нанесение диэлектрических покрытий

Фотолитография - процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски - получение конфигурации элементов микросхем

с применением фоторезистов - формирование диффузионных слоев, контактов с металлизацией, конфигурации межсоединений (разводка) в слое металлизации.

Фоторезист - светочувствительное покрытие.

Диффузионное легирование - высокотемпературное внедрение атомов

легирующей примеси в приповерхностные области кремниевой пластины.

Ионное легирование - внедрение ионизированных атомов (ионов) легирующей

примеси в приповерхностные области кремниевой пластины.

Эпитаксия - ориентированное наращивание монокристаллической пленки

на монокристаллической подложке, причем структура эпитаксиальной пленки

повторяет структуру подложки независимо от уровня легирования и типа

проводимости пленки и подложки.

Металлизация - создание коммутационных проводников для электрического

соединения элементов интегральных микросхем с минимальным переходным

сопротивлением и контактных площадок для монтажа микросхем в корпусах

и на коммутационных платах.


Дата добавления: 2015-07-11; просмотров: 89 | Нарушение авторских прав






mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)