Расчет усилителя радиочастоты.

Каскады УРЧ выполняют обычно с одиночным контуром. Если в эскизном расчете было определено, что полная избирательность обеспечивается входной цепью ПРМ, то каскад УРЧ может быть выполнен с активной нагрузкой для обеспечения заданной чувствительности. Электрическую схему УРЧ рекомендуется взять из конспекта лекций или учебника. Расчет дан для каскада с автотрансформаторным включением контура со стороны коллектора и базы следующего каскада.

1. Принимают коэффициент включения контура в коллекторную цепь р_к= 1.

2. Выбирают транзистор по таблице 7 и определяют максимально устойчивый коэффициент усилителя:

К_{УРЧ уст} = 6,3 , где S- крутизна характеристики транзистора на рабочей частоте, мА/В; С_КБ – емкость коллектор – база транзистора, пФ; f₀ –частота настройки, МГц.

Таблица 7.

Тип транзистора	S, мА/В	СКБ , пФ	RВХ , Ом	RВЫХ , Ом
КТ3102В		6,0
КТ342А		8,0
КТ368		0,15

3.Определяют коэффициент шунтирования контура входным сопротивлением следующего каскада (R_ВХ) и выходным сопротивлением транзистора(R_ВЫХ), исходя из условий обеспечения устойчивости:

γ ≥ 1 - , R_ВХ и R_ВЫХ - в кОм.

4. Определяют конструктивное и эквивалентное затухание контура

δ_к = γ / Q_kЭ δ_э =1/ Q_kЭ,

где Q_kЭ –эквивалентная добротность контура, которая была определена в разделе 2.4;

5. Определяют характеристическое сопротивление контура

ρ =0,5 R_ВЫХ (δ_э – δ_к).

6. Определяют коэффициент включения контура со стороны следующего каскада р_б :

р_б = .

7. Определяют эквивалентную емкость контура:

С_кэ = , пФ

8. Определяют индуктивность контура, в мкГн:

L_k= .

9. Определяют коэффициент усиления усилителя

К_УРЧ = р_к р_б S ρ Q_КЭ , ρ – в кОм;

Если К_УРЧ ≥ К_{УРЧ уст} , необходимо выбрать транзистор с меньшей емкостью С_КБ.

Далее рассчитывают элементы схемы.

10. Сопротивление термостабилизации в цепи эмиттера R_Э:

R_Э = Е_Э / I_K,

где Е_Э выбирают порядка 0,8..1,5 В; ток коллектора I_K = 4…6 мА.

Емкость, включенную параллельно R_Э:

С_Э ≥ , f₀ – в МГц, С_Э – в пФ.

Сопротивления базового делителя напряжения R2, включенного между базой и корпусом,и R1, включенного между источником питания и базой транзистора:

R₂= (V–1) R_Э ; R₁ = ,

где V=1,5..4 – коэффициент нестабильности; Е_К =10В – напряжение источника коллекторного питания;

Емкость разделительного конденсатора С_Р в цепи базы транзистора:

С_Р ≥ , пФ;

f₀ – в МГц; - эквивалентное входное сопротивление транзистора в

кОм:

, R_ВХ – входное сопротивление транзистора.

Выбирают стандартные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов, ближайшие к рассчитанным, по таблице номинальных значений (приложение 3, таблица 9).

Дата добавления: 2015-07-10