Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчет простых схем транзисторных автогенераторов.



Читайте также:
  1. II Этап. Расчет норм времени
  2. V2: Моменты инерции простых и сложных сечений
  3. V2: Перемещения при изгибе. Расчет балок на жесткость
  4. V2: Расчет балок на прочность
  5. V2: Расчет на жесткость при кручении
  6. V2: Расчет на прочность при кручении
  7. V2: Расчет простейших статически неопределимых систем

 

Энергетический расчет автогенераторов с емкостной и автотрансформаторной обратной связью проводится по одинаковой методике. Различие заключается в расчете элемента обратной связи: Lос или Сос .. Принципиальную схему генератора рекомендуется взять из конспекта лекций или учебника.

 

1. По значению мощности для возбудителя Р возб и частоте fh21 B выбирается тип транзистора и его параметры (ScС мах, ICmax,PC cp).

2. Задаются нижним углом отсечки коллекторного тока θ˚=60 0…900 и по таблице 1 определяют коэффициенты α0 и α1.

Определяют амплитуду напряжения на коллекторе:

UС m = ξС С|, где ξС= (0,97….0,99) и ЕС = ЕС мах / 2

 

Проводят энергетический расчет генератора, аналогично п.п.7…14 раздела 3.2.1.

Для определения напряжения Ub m задают значение Кос = (0,1….0.3).

3. Далее определяют следующие величины:

по частоте возбудителя из формулы fвозб = рассчитывают параметры колебательной системы генератора Собщ и Lобщ , задавая одну из величин и учитывая, что минимально выполнимая емкость контура С ≈ 10пФ, а L ≈ 0,5 мкГн.

4.Определяют индуктивность обратной связи Lос для автогенератора с автотрансформаторной связью:

Кос = Lос / Lобщ.

При емкостной обратной связи определяют Сос:

Кос = Собщос.

5.Производят расчет сопротивлений базового делителя напряжения R1, включенного между базой и корпусом,и R2, включенного между источником питания и базой транзистора, а также сопротивления автоматического смещения в базовой цепи транзистора R3.

ЕВ дел= R 1 ; Rсм =R1 +R3 = ,

где ЕВ дел= (1,2…1,5) Е ВО; R2 =(10….30)кОм; ЕВ= Е ВО + Ub m; IВ = IС .

Если в эмиттере включено сопротивление термостабилизации RЭ, то сопротивление R3 определяется из формулы:

ЕВ = ЕВ дел + IВ (R1 +R3) + IЭ RЭ ,

где RЭ = (100….200) Ом; IЭ ≈ IС.

Выбирают стандартные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов, ближайшие к рассчитанным, по таблице номинальных значений (приложение 3, таблица 9).


Дата добавления: 2015-07-10; просмотров: 140 | Нарушение авторских прав






mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)