Задача N7

В схеме автогенератора гармонических колебаний с индуктивной обратной связью, представленной на рисунке, заданы L_К и С_К.

Определить частоту колебаний генератора. Данные для своего варианта взять из таблицы № 8

 

Таблица 8.

Номер варианта	LК мкГн	СК. пФ

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ

Вариант №1

1. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория твёрдого тела. Генерация и рекомбинация. Виды рекомбинации. Уровень Ферми.

2. Неуправляемые выпрямители. Однополупериодный выпрямитель. Схема включения. Временные диаграммы напряжений и токов.

Вариант №2

1. Примесная проводимость полупроводников. Объяснение примесной проводимости с помощью кристаллической решётки. Полупроводники n-типа и р-типа. Акцепторные и донорные примеси.

2. Усилительный каскад с общим эмиттером. Элементы усилительного каскада. Принцип действия усилительного каскада. Привести числовой пример определения рабочей точки представленного усилителя по характеристикам транзистора.

Вариант №3

1. Формирование электронно-дырочного перехода. Свойства р-п перехода. Влияние высоты потенциального барьера на свойства р-п перехода. Инжекция и экстракция носителей заряда.

2. Выходные каскады усилителей. Однотактный транзисторный усилитель мощности с согласующим трансформатором. Объясните принцип усиления каскада и сущность согласования трансформатора.

Вариант №4

1. Свойство электронно-дырочного перехода при наличии внешнего напряжения. Прямое и обратное включение р-п перехода. Вольтамперная характеристика р-п перехода.

2. Абсолютный дрейф нуля. Дрейф нуля, приведённый ко входу усилителя. Балансные усилители постоянного тока. Принцип действия балансного усилителя.

Вариант №5

1. Полупроводниковые диоды. Точечные и плоскостные диоды. Достоинства и недостатки полупроводниковых диодов. Область использования точечных и плоскостных диодов.

2. Транзисторные ключи в режиме отсечки и насыщения.

Вариант №6

1. Устройство и конструктивные особенности биполярного транзистора. Принцип работы биполярного транзистора.

2. Элементы оптоэлектроники. Блок-схема оптико-электронных приборов. Полупроводниковые источники света. Светодиоды. Схема включения. Принцип работы на основе зонной теории. Излучательная рекомбинация. Материалы, служащие для изготовления светодиодов. Основные параметры и применение.

Вариант №7

1. Устройство и принцип действия полевых транзисторов. Методы изготовления полевых транзисторов. Достоинство полевых транзисторов по отношению к биполярным транзисторам.

2. Жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ). Принцип действия. Конструкция ЖКИ. Применение.

Вариант №8

1. Устройство и принцип действия тиристоров. Диодный тиристор и триодный тиристор. Условное обозначение на схемах. Принцип действия и вольтамперные характеристики. Применение.

2. Операционные усилители. Неинвертирующий и инвертирующий вход. Правила, определяющие работу операционного усилителя. Простейший операционный блок инвертирующего и неинвертирующего усилителя.

Вариант №9

1. Микроэлектроника. Интегральные микросхемы (ИМС). Классификация интегральных микросхем. Элементы ИМС. Гибридные интегральные микросхемы. Толстоплёночные и тонкоплёночные микросхемы.

2. Динамический режим работы транзистора. Графоаналитический расчет усилительного каскада с общим эмиттером. Произвести расчёт усилительного каскада на числовом примере.

Вариант №10

1. Фотодиоды и светодиоды. Обозначение на схемах. Режимы работы. Основные параметры. Применения.

2. Диодные ключи. Передаточная характеристика. Последовательный и параллельный диодный ключ с нулевым и ненулевым уровнем включения. Двойной диодный ключ.

Дата добавления: 2015-07-10