Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Тема: Исследование работы полевого транзистора.

Читайте также:
  1. I. Цели и задачи выпускной квалификационной работы
  2. II. Об исчислении стажа работы, дающего право на получение процентной надбавки
  3. II. Отражение компетенций в заданиях выпускной квалификационной работы
  4. II. Требования безопасности перед началом работы
  5. III. Выбор темы выпускной квалификационной работы
  6. III. Выбор темы выпускной квалификационной работы
  7. III. Выбор темы дипломной работы и ее утверждение.

Лабораторное занятие № 4

Накануне: Изучить устройство, работу полевого транзистора, его параметры, статические характеристики, схемы включения, систему обозначений и маркировку.

Цель работы: Изучить выходные характеристики и характеристики прямой передачи полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком.

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для снятия выходных статических характеристик и характеристик прямой передачи полевого транзистора с помощью программы Electronics Workbench, выбрать тип транзистора (например, BF244A), записать основные паспортные данные исследуемого транзистора в Таблицу № 1:

Таблица № 1

Паспортные данные транзистора (например, BF244A)

Обозначения в программе Перевод на русский язык Эксплуатационные параметры
Gate-junction saturation current, IS, (A) Ток насыщения, Iс нас, (А) 5.3389e-11
Threshold voltage, VTO, (В) Напряжение отсечки, (В) -1.7
Zero-bias gate-drain junction capacitance, CGD, (F) Емкость между затвором и стоком, Сзс,(Ф) 3.2833e-12
Zero-bias gate-source junction capacitance, CGS, (F) Емкость между затвором и истоком, Сзи,(Ф) 3.2527e-12

2. Включить схему, изменяя значения напряжений источников питания во входной и выходной цепях, контролируя при помощи вольтметров и амперметров:

а) снять выходные (стоковые) характеристики транзистора Iс = f(Uси) при Uзи = const, данные занести в Таблицу № 2:

Таблица № 2

Uзи = 0 (мВ) Uзи = 500 (мВ) Uзи = 1 (В) Uзи = 1,5 (В) Uзи = 2 (В)
Uси (В) Iс Uси (В) Iс Uси (В) Iс Uси (В) Iс Uси (В) Iс
                   
                   
                   
                   
                   
                   
и т. д. до 24 В   и т. д. до 24 В   и т. д. до 24 В   и т. д. до 24 В   и т. д. до 24 В  

б) снять характеристики прямой передачи (стоково-затворные характеристики) транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = const, данные занести в Таблицу № 3:

Таблица № 3

Uси = 0 (В) Uси = 6 (В) Uси = 12 (В) Uси = 18 (В) Uси = 24 (В)
Uзи (В) Iс Uзи (В) Iс Uзи (В) Iс Uзи (В) Iс Uзи (В) Iс
                   
0,5   0,5   0,5   0,5   0,5  
                   
!,5   1,5   1,5   1,5   1,5  
                   
2,5   2,5   2,5   2,5   2,5  
                   
3,5   3,5   3,5   3,5   3,5  
                   
4,5   4,5   4,5   4,5   4,5  
                   
5,5   5,5   5,5   5,5   5,5  
                   

 

3. По данным таблиц построить графики семейства выходных статических характеристик и характеристик прямой передачи исследуемого транзистора в масштабе, удобном для определения параметров транзистора, например:

4. Пользуясь полученными характеристиками, определить основные параметры полевого транзистора:

- крутизну передаточной характеристики S = ∆Iс /∆Uзи;

- напряжение отсечки, при котором ток стока становится равным нулю Uзо;

- внутреннее (выходное)сопротивление транзистора Ri = ∆Uси / ∆Iс, Ом;

- ток насыщения Iс нас;

- напряжение насыщения Uс нас.

5. С помощью графиков статических характеристик сделать вывод о влиянии затворного напряжения транзистора (Uзи) на ток в канале стока (Iс), например:

Вывод: В результате исследования графиков семейства выходных характеристик видно, что при увеличении затворного напряжения (Uзи) ток стока …, так как (описать причину, вызвавшую это изменение).

6. Оформить отчет и представить его для защиты.

Содержание отчета: 1. Тема, цель работы.

2. Исследуемая схема.

3. Результаты измерений (таблицы), расчеты, графики

зависимости.

4. Выводы.

Основные вопросы к защите: 1. По выполненной работе.

2. Классификация полевых транзисторов, их

УГО.

3. Устройство и принцип работы полевых транзисторов.

4. Характеристики, параметры, предельные параметры полевых транзисторов.

5. Схемы включения полевых транзисторов.

6. Маркировка, схемное обозначение полевых транзисторов.

7. Преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными.

8. Эквивалентная схема полевого транзистора.

9. Шумы полевого транзистора.

10. Эксплуатация полевых транзисторов.


Дата добавления: 2015-10-24; просмотров: 86 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Вкусный завтрак в кафе.| Организация стационарной медицинской помощи населению

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)