Читайте также:
|
|
Лабораторное занятие № 4
Накануне: Изучить устройство, работу полевого транзистора, его параметры, статические характеристики, схемы включения, систему обозначений и маркировку.
Цель работы: Изучить выходные характеристики и характеристики прямой передачи полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком.
Порядок выполнения работы
1. Собрать схему для снятия выходных статических характеристик и характеристик прямой передачи полевого транзистора с помощью программы Electronics Workbench, выбрать тип транзистора (например, BF244A), записать основные паспортные данные исследуемого транзистора в Таблицу № 1:
Таблица № 1
Паспортные данные транзистора (например, BF244A)
Обозначения в программе | Перевод на русский язык | Эксплуатационные параметры |
Gate-junction saturation current, IS, (A) | Ток насыщения, Iс нас, (А) | 5.3389e-11 |
Threshold voltage, VTO, (В) | Напряжение отсечки, (В) | -1.7 |
Zero-bias gate-drain junction capacitance, CGD, (F) | Емкость между затвором и стоком, Сзс,(Ф) | 3.2833e-12 |
Zero-bias gate-source junction capacitance, CGS, (F) | Емкость между затвором и истоком, Сзи,(Ф) | 3.2527e-12 |
2. Включить схему, изменяя значения напряжений источников питания во входной и выходной цепях, контролируя при помощи вольтметров и амперметров:
а) снять выходные (стоковые) характеристики транзистора Iс = f(Uси) при Uзи = const, данные занести в Таблицу № 2:
Таблица № 2
Uзи = 0 (мВ) | Uзи = 500 (мВ) | Uзи = 1 (В) | Uзи = 1,5 (В) | Uзи = 2 (В) | |||||
Uси (В) | Iс | Uси (В) | Iс | Uси (В) | Iс | Uси (В) | Iс | Uси (В) | Iс |
и т. д. до 24 В | и т. д. до 24 В | и т. д. до 24 В | и т. д. до 24 В | и т. д. до 24 В |
б) снять характеристики прямой передачи (стоково-затворные характеристики) транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = const, данные занести в Таблицу № 3:
Таблица № 3
Uси = 0 (В) | Uси = 6 (В) | Uси = 12 (В) | Uси = 18 (В) | Uси = 24 (В) | |||||
Uзи (В) | Iс | Uзи (В) | Iс | Uзи (В) | Iс | Uзи (В) | Iс | Uзи (В) | Iс |
0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | |||||
!,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | |||||
2,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 | 2,5 | |||||
3,5 | 3,5 | 3,5 | 3,5 | 3,5 | |||||
4,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 | 4,5 | |||||
5,5 | 5,5 | 5,5 | 5,5 | 5,5 | |||||
3. По данным таблиц построить графики семейства выходных статических характеристик и характеристик прямой передачи исследуемого транзистора в масштабе, удобном для определения параметров транзистора, например:
4. Пользуясь полученными характеристиками, определить основные параметры полевого транзистора:
- крутизну передаточной характеристики S = ∆Iс /∆Uзи;
- напряжение отсечки, при котором ток стока становится равным нулю Uзо;
- внутреннее (выходное)сопротивление транзистора Ri = ∆Uси / ∆Iс, Ом;
- ток насыщения Iс нас;
- напряжение насыщения Uс нас.
5. С помощью графиков статических характеристик сделать вывод о влиянии затворного напряжения транзистора (Uзи) на ток в канале стока (Iс), например:
Вывод: В результате исследования графиков семейства выходных характеристик видно, что при увеличении затворного напряжения (Uзи) ток стока …, так как (описать причину, вызвавшую это изменение).
6. Оформить отчет и представить его для защиты.
Содержание отчета: 1. Тема, цель работы.
2. Исследуемая схема.
3. Результаты измерений (таблицы), расчеты, графики
зависимости.
4. Выводы.
Основные вопросы к защите: 1. По выполненной работе.
2. Классификация полевых транзисторов, их
УГО.
3. Устройство и принцип работы полевых транзисторов.
4. Характеристики, параметры, предельные параметры полевых транзисторов.
5. Схемы включения полевых транзисторов.
6. Маркировка, схемное обозначение полевых транзисторов.
7. Преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными.
8. Эквивалентная схема полевого транзистора.
9. Шумы полевого транзистора.
10. Эксплуатация полевых транзисторов.
Дата добавления: 2015-10-24; просмотров: 86 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Вкусный завтрак в кафе. | | | Организация стационарной медицинской помощи населению |