Классификация интегральных микросхем

Интегральные микросхемы могут быть классифицированы по нескольким признакам:

конструктивно-технологическому, т. е. в зависимости от технологии и материалов, применяемых для изготовления микросхем;

по степени интеграции. Степень интеграции является показателем сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов;

по функциональному признаку, т. е. в зависимости от функции, выполняемой микросхемой, — генерация, усиление, логические операции и т. д;

по физическому принципу, т. е. в зависимости от типа транзисторов, — биполярных или МДП, на основе которых создана ИМС.

Конструктивно-технологический принцип — один из важнейших в создании ИМС, и поэтому ему уделяют больше внимания. В зависимости от технологии изготовления ИМС можно разделить на полупроводниковые, пленочные и гибридные.

Все элементы и межэлементные соединения полупроводниковой ИМС выполнены в объеме и на поверхности полупроводников. Основание, в объеме или на поверхности которого создают ИМС, называют подложкой.

Все элементы и межэлементные соединения пленочной ИМС выполнены в виде пленок. Частными случаями пленочных ИМС являются толстопленочные и тонкопленочные ИМС. Следует отметить, что создание транзисторов и диодов с помощью пленочной технологии до сих пор освоить не удалось, вследствие этого появился еще один вид ИМС — гибридные ИМС. Гибридные ИМС строят на основе пленочной технологии, но некоторые элементы ИМС навесные, т. е. являются самостоятельными приборами.

Часть ИМС, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие, называют компонентом ИМС.

Совмещенные интегральные схемы созданы на основе совмещения в одной ИМС полупроводниковой и пленочной технологии. Совмещенная ИМС может быть изготовлена на основе полупроводниковой подложки, в которой создаются методами полупроводниковой технологии активные элементы — транзисторы и диоды, а пассивные элементы методами тонкопленочной технологии наносят на поверхность подложки. Это позволяет получить ИМС, сочетающие достоинства как полупроводниковой, так и пленочной технологий.

Дата добавления: 2015-10-02