Лабораторная работа 2

Моделирование туннельного тока в двухбарьерном резонансно-туннельном диоде

Цель работы: Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.

Теоретическая часть.

На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p -GaAs, а коллектора — n -GaAs. При подаче на диод

Эмиттер

Коллектор

Плотность туннельного тока

Напряжение U

Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Е создают туннельный ток величиной

,

где =0.067 , , , =2×10¹² м^–3 – собственная концентрация в арсениде галлия, – постоянная Больцмана, – температура, а есть коэффициент прозрачности двухбарьерной структуры для электронов с энергией Е. Значение этого коэффициента можно рассчитать согласно.

,

где , , L – высота барьеров, W – расстояние между ними.

Практическая часть.

1. В соответствии со своим вариантом выбрать исходные данные

	Вариант 1	Вариант 2	Вариант 3	Вариант 4	Вариант 5	Вариант 6	Вариант 7	Вариант 8
p, м^–3
E, эВ	0.5
U, В
, эВ
, нм
W, нм

2. рассчитать для этих данных значение туннельного тока

Дата добавления: 2015-10-24