|
Читайте также: |
12. Уравнения Шредингера для кристаллов. Эффективная масса носителей заряда.
13. Функции распределения Ферми-Дирака. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примеси и температуры.
14. Удельная проводимость вырожденного и невырожденного полупроводника. Эффект Холла.
15. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках.
Литература
1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.
2. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш.шк., 1984.
3. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.
Физика полупроводниковых приборов
16. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода. Барьерная емкость.
17. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шотки. Гетеропереходы.
18. Биполярный транзистор. Параметры и характеристики транзисторов. Статические характеристики транзисторов. Эквивалентные схемы транзисторов.
19. Переходные процессы в диодах. Обращенные диоды. Туннельные диоды.
20. Пробой выпрямляющего перехода. Стабилитроны. Тиристоры.
21. Полевые транзисторы. Приборы с зарядовой связью.
Литература
1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. М.: Высш. шк., 1987.
2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1980.
Дата добавления: 2015-08-27; просмотров: 39 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Интегральная электроника | | | Квантовая радиофизика и оптоэлектроника |