Читайте также: |
|
Вакуумно-дуговое нанесение покрытий (катодно-дуговое осаждение) — это физический метод нанесения покрытий (тонких плёнок) в вакууме, путём конденсации на подложку (изделие, деталь) материала из плазменных потоков, генерируемых накатоде-мишени в катодном пятне вакуумной дуги сильноточного низковольтного разряда, развивающегося исключительно в парах материала электрода[1].
Метод используется для нанесения металлических, керамических и композитных пленок на различные изделия.
атодно-дуговое осаждение активно используется для синтеза на поверхности режущего инструмента очёнь твёрдых износостойких и защитных покрытий, значительно продлевающих срок его службы. Помимо прочего, например, нитрид титанапопулярен ещё в качестве стойкого декоративного покрытия «под золото». При помощи данной технологии может быть синтезирован широкий спектр сверхтвёрдых и нанокомпозитных покрытий, включая TiN, TiAlN, CrN, ZrN, AlCrTiN и TiAlSiN.
Также эта технология достаточно широко используется для осаждения алмазоподобных углеродных плёнок. Так как нанесение покрытий этого типа особенно чувствительно к паразитным включениям (макрочастицам), в оборудовании для данной технологии обязательно применяется фильтрация плазменного пучка. Алмазоподобная углеродная плёнка из фильтрованных вакуумных дуг содержит очень высокий процент алмазной sp3 структуры и известна как тетрагональный аморфный углерод или ta-C.
Фильтрованная вакуумная дуга может использоваться также как источник металлических ионов/плазмы для ионной имплантации или комбинированной плазменной иммерсионной ионной имплантации с осаждением покрытий (англ. PIII&D).
Метод также известен под названиями: катодно-дуговое осаждение (англ. Arc-PVD), метод КИБ — катодно-ионной бомбардировки или, по-другому, метод конденсация вещества из плазменной фазы в вакууме с ионной бомбардировкой поверхности[2] (последнее — оригинальное авторское название создателей метода).
Дата добавления: 2015-08-18; просмотров: 386 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Трехэлектродная система распыления | | | Процесс |