Читайте также:
|
|
Катушки индуктивности
Определение и классификация катушек индуктивности
Катушки индуктивности (КИ) — это компоненты способные концентрировать в своем объеме или плоскости, высокочастотные и электромагнитные поля.
Катушки индуктивности применяются для создания реактивного сопротивления переменного тока при малом сопротивлении постоянному току, в частотно–избирательных цепях, для создания трансформаторов и линий задержек, они являются не стандартными компонентами и для каждого конкретного применения их конструктивные параметры рассчитывают по заданным электрическим характеристикам.
КИ классифицируют по нескольким принципам:
1) По частотному диапазону:
a) Низкочастотные от 0 до 1 кГц;
b) Высокочастотные от 1 кГц до сотен МГц.
2) По назначению:
a) Контурные;
b) Дроссельные;
c) Трансформатор.
3) По конструкции:
a) Каркасные;
b) Бескаркасные;
c) Экранированные;
d) Неэкранированные;
e) С сердечником;
f) Без сердечника;
g) Однослойные;
h) Многослойные;
i) Объемные;
j) Плоские.
4) По технологии изготовления:
a) Намотанные;
b) оженные;
c) Печатные;
d) Тонкопленочные.
В схемах электрической принципиальной обозначается буквой — L.
![]() |
На рис. 35.:
а) КИ с постоянной индуктивностью;
б) КИ с отводами;
в) КИ с магнитодиэлектрическим сердечником;
г) КИ с подстроечным сердечником;
д) КИ с магнитопроводом;
е) Магнитосвязанные КИ;
ж) КИ с управляемой магнитной связью;
з) КИ с общим магнитопроводом.
и) Высокочастотные КИ с подстроечным сердечником
3.2. Система параметров КИ:
1) Номинальная индуктивность Гн, мГн=10−3Гц, мкГн=10−6Гн, нГн=10−9 Гн. Lном – основной параметр, определяющий частотную область применения Ки, для частот равных единицам и десяткам кГц, требуется индуктивность в единицы и десятые доли Гн. Для сотен кГц требуются единицы и десятки мГн. Для единиц, десяток и сотен МГц требуются единицы мкГн. Для сотен МГц требуются десятки и сотни нГн. Индуктивность определяется размерами катушки и количеством витков (если КИ проволочная).
2) Добротность КИ — отношение реактивной мощности запасаемой в КИ и мощности активных тепловых потерь (или иначе реактивного сопротивления) к активным тепловым потерям:
;
— круговая частота;
— суммарное сопротивление потерь.
Добротность особенно важна для определения контура КИ, она определяет крутизну амплитудно–частотной характеристики (АЧХА). Для дросселей добротность имеет собственные параметры.
3) Собственная емкость (Ссобс) — распределенная емкость, образованная между витками катушки через слой изоляции, через диэлектрический каркас и через воздух. Определенный вклад дает емкость на экран и между выводами КИ. Собственная емкость является паразитным параметром снижающим добротность, стабильность КИ.
Частота на которую оказывается настроенный контур, состоящий из индуктивности, собственной емкости называется собственной частотой и определяется по формуле:
Для частот к , но меньших ее, эквивалентная добротность зависит от отношения
. Поэтому на практике стремятся использовать КИ на частотах значительно ниже собственных
.
4) Температурная стабильность — определяется температурный коэффициент индуктивности ТКИ, который может быть записан аналогично .
ТКИ значительно меньше ТКЕ (емкости), поскольку зависит только от изменения геометрических размеров КИ (обычно диаметр витков). Для уменьшения ТКИ используют КИ с намоткой воженной в керамический каркас.
Объемные КИ бывают однослойные, многослойные, цилиндрические, тороидальные. При намотке катушек в один слой с шагом и без него (рис. 36.) индуктивность определяется по формуле: (мкГн).
где D — диаметр КИ;
— число витков;
— длина намотки.
Самые лучшие КИ с точки зрения отказов имеющие ед*час, это высокостабильные КИ, крупногабаритные с использованием провода диаметром более 0,5 мм. КИ средних и миниатюрных размеров – тороидальные и броневые с проводом тоньше 0,1 мм имеют
нелучше 10-8 ед*час.
Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 215 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Наркотические вещества, их действие на человека, классификация. | | | Сведенья о конструкциях КИ и некоторые формулы для определения их основных параметров |