Лабораторный макет

ВВЕДЕНИЕ.

Целью работы является ознакомление с принципами работы и экспериментальное исследование переходных процессов в транзисторном ключе, и ознакомление с порядком расчёта элементов принципиальной схемы.

ЛАБОРАТОРНЫЙ МАКЕТ

Работа выполняется на макете, принципиальная схема которого приведена на рис. 2.1. Расширитель представляет собой устройство, вырабатывающее из коротких импульсов с генератора Г5-34 сигнал прямоугольной формы и необходимой длительности. С помощью переключателя П3 можно построить схему ненасыщенного ключа с ускоряющей ёмкостью.

Рис. 2.1 Принципиальная схема макета.

Зависимость временных характеристик от при включенном ключе указана в Таблице 3.1:

Таблица 3.1

N	RБ	t-ф	t+ф	tзад
		0,5	1,6
		0,5	1,1	1.4
		0,5	0,5	1,7
	8,2	0,55	0,4	1.9
	5,1	0,6	0,2	2.5

Рис. 3.1 Зависимость временных характеристик от при включенном ключе

Зависимость временных характеристик от при включенном ключе указана в Таблице 3.2:

Таблица 3.2

N	RК	t-ф	t+ф	tзад
	0,75	0,5	1,7	0,45
	1,1	0,45	1,1	0,5
	1,5	0,4	0,9	0,75
	2,2	0,35	0,7	1,35
	3,6	0,3	0,5

Рис. 3.2 Зависимость временных характеристик от при включенном

ключе

Зависимость временных характеристик от при включенном ключе указана в Таблице 3.3:

Таблица 3.3

N	Rсм	t-ф	t+ф	tзад
	4,7	0,5	1,5	0,7
		0,8	0,75	0,85
		1,2	0,55
		1,7	0,5	1,35
		2,5	0,45	2,15

Рис. 3.3 Зависимость временных характеристик от при включенном ключе

Зависимость временных характеристик от :

Таблица 3.4

N	С	t-ф	t+ф
		0,1	0,05
		0,15	0,05
		0,15	0,1
		0,15	0,2
		0,2

Рис. 3.4 Зависимость временных характеристик от

4.Выводы:

В данной лабораторной работе было исследован насыщенный транзисторный ключ. Мы получили что при увеличении R_k, время образования положительного фронта уменьшается. Ток базы обеспечивает насыщенный режим работы ключа I_б>I_Б.нас.., а следовательно кажущийся ток коллектора остается постоянным при изменениях сопротивления R_К, а коллекторный ток насыщения уменьшается при увеличении R_K. Длительность положи-тельного фронта при этом уменьшается. Кажущийся ток не меняется, а ток насыщения уменьшается, избыточный заряд в базе возрастает. Время рассасывания при закрывании транзистора увеличится. Рис.4.1 Влияние сопротивления R_К на время переходного процесса

Уменьшается и время формирования отрицательного фронта

Теперь рассмотрим влияние R_Б. При уменьшении сопротивления базы, увеличится ток базы. Чем больше ток базы тем быстрее нарастает ток коллектора. В насыщенном ключе, как только ток коллектора достигнет значения 0.9I_К.нас. формирование t⁺_Ф. прекращается. Следовательно, длительность положительного фронта с увеличением тока базы уменьшается, но при этом, возрастает избыточный заряд в базе, а следовательно и время рассасывания.

Рис. 2.8 Влияние параметров входной цепи на время переходного процесса

При этом увеличивается время формирования отрицательного фронта

Если в ключе параллельно резистору R_Б включить конденсатор C. То мы получи ток следующей формы

.

Рис. 2.10 Эпюры тока базы а) и тока коллектора б).

То есть теперь не создаётся большого избыточного заряда (время рассасывания равно нулю),И ток базы увеличивается, а значит при изменение ёмкости(увеличении) уменьшается и время формирования отрицательного фронта (ситуация аналогичная изменению сопротивления коллектора)

Рассмотрим ситуацию с изменением сопротивления смещения. При увеличении сопротивления смещения увеличивается ток базы, а значит и скорость нарастания тока коллектора. В насыщенном ключе при токе коллектора 0.9I_Кнас. формирование положительного фронта прекращается, поэтому длительность формирования положительного фронта уменьшается,но тогда увеличивается избыточный заряд в базе, следовательно, время задержки транзистора увеличивается. А время формирования отрицательного фронта увеличивается.

Дата добавления: 2015-07-20