Лабораторная работа № 14.

Тема: Измерение параметров диодов

Цель работы:

· Изучение выпрямительных свойств диода.

· Исследование прямых и обратных ветвей ВАХ диода.

· Построить ВАХ диода и определить напряжение пробоя и насыщения.

Исходные данные:

U= 10 В

f= 800 Гц

VD- 1N4001

R1= 100 Ом

R2= 1 кОм

Ход работы (или Порядок выполнения):

o Собрать схему по чертежу;

o Установить номиналы ЭРЭ и режим исследования согласно варианта задания;

o Снять показания приборов;

o В координатных плоскостях нарисовать прямую и обратную ветви Диода;

o Определить напряжение пробоя и насыщения;

o Измерить величину напряжения изгиба по полученной ВАХ.

o Сделать вывод.

Теория:

Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными.

Одним из главных свойств полупроводникового диода на основе p-n перехода является резкая асимметрия вольт-амперной характеристики: высокая проводимость при прямом смещении и низкая при обратном.

Полупроводниковый диод представляет собой двухэлектродный прибор на основе электронно-дырочного перехода в кристалле полупроводника (рис.1) и предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий ток одной полярности.

Если к диоду приложить напряжение в прямом направлении, когда положительный полюс источника энергии соединен с р-областью (анодом), а отрицательный – с n-областью (катодом), то потенциальный барьер p-n-перехода понижается и через диод протекает большой прямой ток даже при невысоком приложенном напряжении. При смене полярности приложенного к диоду напряжения потенциальный барьер повышается, и через диод протекает очень малый ток неосновных носителей заряда (обратный ток) даже при высоких значениях обратного напряжения.

Вольтамперная характеристика диода вследствие этого является резко несимметричной, и ее типичный вид представлен на рис.2.

Рис.2. Вольтамперная характеристика диода

Вопросы:

1.Что составляет основу выпрямительного диода?

2. Что называют Анодом диода?

3. Что называют током пробоя диода?

приложение 1

Варианты заданий к лабораторной №14:

№ варианта	Номиналы ЭРИ и режимы исследования
	U= 1 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 2 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 3 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 4 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 510 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 10 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 20 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 30 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 40 В,f= 800 Гц,VD- 1N4001,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 1 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 2 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 3 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 4 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 510 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм
	U= 10 В,f= 800 Гц,VD- 1N4148,R1= 100 Ом,R2= 1 кОм

Дата добавления: 2015-12-01