Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Точечные дефекты

Читайте также:
  1. Геометрические параметры, повреждения и дефекты, регистрируемые при визуальном и измерительном контроле сосуда
  2. Двумерные дефекты (границы зерен)
  3. Дефекты в кристаллах.
  4. Линейные дефекты (дислокации)
  5. ПЕРВИЧНЫЕ И ВТОРИЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
  6. Примесные точечные дефекты

Из-за наличия флуктуаций энергии всегда существуют атомы (ионы) отклонение которых от механически равновесного положения настолько велико, что они способны покинуть регулярные позиции в узлах решетки и перейти в междоузлия. В результате этого процесса, который называется разупорядочением по Френкелю, в кристалле возникают точечные дефекты двух видов – вакансии и внедренные атомы (рисунок 4.1).

Следует иметь в виду, что название «точечные» дефекты при этом является довольно условным, т.к. вакансии и внедренные атомы могут искажать вокруг себя решетку на значительные расстояния.

Если атом, покидая регулярные узлы, переходит на поверхность кристалла, достраивая его, то образуется только один вид дефектов – вакансии (разупорядочение по Шоттки) (рисунок 4.1).

Рисунок 4.1. Типы точечных дефектов:

1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю;

4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения;

6 - атом замещения большей валентности

 

Равновесная концентрация точечных дефектов может быть определена методами статистической физики.

Мольная доля вакансий nv определяется из соотношения:

(4.1)

где w - частота колебаний удаленных от вакансии атомов; w– частота колебаний соседних с вакансией атомов; ki – координационное число дефекта; ev – энергия образования дефекта.

Аналогичным уравнением описывается определение мольной доли внедренных атомов ni.

Уравнение (4.1) имеет вид, сходный с законом действующих масс для реакции образования соответствующих дефектов, что позволяет рассматривать установления равновесия в этих процессах аналогично установлению равновесия химических реакций. Такой подход к процессам с участием точечных дефектов в кристаллах называется квазихимическим, поскольку при этом в качестве «реагентов» рассматривают только отклонения от «идеального» бездефектного состояния кристаллической решетки. Также по отношению к «нормальному» зарядовому состоянию того или иного элемента (узла или междоузлия) решетки рассматривают и заряды точечных дефектов.

Для обозначения точечных дефектов удобно использовать символику, предложенную Г. Винком и Ф. Крегером:

· прописной буквой обозначают тип дефекта;

· нижним индексом – кристаллографическую позицию, в которой он находится.

В соответствии с этим для элементарного кристалла используют следующие символы:

· АА – атом А, занимающий регулярный узел;

· Ai – атом А в междоузлии;

· VA – вакансия в узле А;

· Vi – свободное междоузлие.

В химических соединениях число возможных дефектов значительно увеличивается. Даже в простейшем бинарном кристалле AB возможно образование двух видов вакансий VA и VB и двух типов внедренных атомов Ai и Bi. Более того, атомы А и В, в принципе могут обмениваться местами с образованием так называемых антиструктурных дефектов:

AA + BB ® AB + BA

Строго говоря, в решетке любого немолекулярного кристалла все виды точечных дефектов (вакансии, внедренные атомы и антиструктурные дефекты) присутствуют одновременно, но из-за различия в энергии разупорядочения одни дефекты преобладают над другими.

В любом стехиометрическом кристалле доминирует не один, а минимум два вида дефектов.

Например, если в бинарном кристалле АВ возникает вакансия VA, то стехиометрический состав кристалла (1:1) сохраняется при одновременном образовании эквивалентного числа вакансий VB, или эквивалентного числа внедренных атомов Ai, или эквивалентного числа антиструктурных дефектов типа AB.

Напротив, в нестехиометрическом кристалле, обычно доминирует только один вид атомных дефектов.

Например, в бинарном кристалле АВ, содержащем избыток компонента В за счет взаимодействия с газовой фазой, возникают дефекты типа внедренных атомов: 1/2В2 ®Вi или вакансий 1/2В2 ®ВВ+VA.

При отклонении состава бинарных кристаллов от стехиометрии наблюдается, как правило, увеличение электропроводности. Следовательно, дефекты нестехиометрии являются источником свободных или слабо связанных электронов.

В физике и химии твердого тела широко используют понятие эффективного заряда, т.е. заряда атомов или вакансий по отношению к нормальным составляющим решетки стехиометрического соединения.


Дата добавления: 2015-11-30; просмотров: 95 | Нарушение авторских прав



mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)