Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

1) с общим эмиттером;

2) с общей базой;

3) с общим коллектором.

Токи в цепях биполярного транзистора связаны между собой

1) ;

2) ;

3) .

54. Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это

1) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе;

2) изменение толщины базы при изменении напряжения на эмиттере;

3) изменение толщины эмиттера при изменении напряжения на коллекторе;

4) изменение толщины коллектора при изменении напряжения на эмиттере.

На переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость

1) диффузионная;

2) дрейфовая;

3) диффузионная и дрейфовая.

Напряжение на переходе база-коллектор биполярного транзистора ограничивается

1) опасностью теплового пробоя;

2) опасностью лавинного пробоя;

3) опасностью туннельного пробоя.

На переходе коллектор база определяющую роль играет емкость

1) диффузионная;

2) дрейфовая;

3) обе емкости.

Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ

1) ; 3) ;

2) ; 4)

Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ

1) ;

2) ;

3) .

Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ

1) ;

2) ;

3) ;

4) .

5) ;

6) ;

7) .

Дата добавления: 2015-11-16