Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Вопрос(получение монокристов

Вопрос 4(фхп неразъемных) | Вопрос(эпитаксиальные слои гомо) | Вопрос(тонкие пленки лазерное распыление) | Вопрос(этапы развития пп) | Технологический процесс резки полупроводниковых пластин на кристаллы | Очистка поверхности газовым травлением | Вопрос(термическое испарение) | Проволочные испарители. | Электронно-лучевые испарители. |


Вопрос 1(разновидность компонентов)

Диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности, межсоединения, невыпрямляющие контакты.

Вопрос 2(фхп литографии)

Фотолитогра́фия — метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, широко используется в микроэлектронике и в полиграфии. Один из основных приёмов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.

Для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом).

фо торезист — специальный материал, который изменяет свои физико-химические свойства при облучении светом.ф отошаблон — пластина, прозрачная для используемого в данном процессе электромагнитного излучения, с рисунком, выполненным непрозрачным для используемого излучения красителем.

Процесс фотолитографии происходит так:На толстую подложку (в микроэлектронике часто используют кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист.Производится экспонирование через фотошаблон (контактным или проекционным методом; смстеппер).Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются.Заключительная стадия — удаление остатков фоторезиста.

Вопрос 3

В зависимости от длины волны используемого излучения применяют следующие методы литографии:

фотолитографию (длина волны актиничного ультрафиолетового излучения л =250 - 440 нм);

рентгенолитографию (длина волны рентгеновского излучения л =0,5 … 2 нм);

электронолитографию (поток электронов, имеющих энергию 10 - 100 КэВ или длину волны л = 0,05 нм);

ионолитографию (длина волны излучения ионов л = 0,05 … 0,1 нм).

В зависимости от способа переноса изображения методы литографии могут быть контактными и проекционными, а также непосредственной генерации всего изображения или мультипликации единичного изображения. В свою очередь, проекционные методы могут быть без изменения масштаба переносимого изображения и с уменьшением его масштаба.

Фотолитография бывает контактная (контакт фоторезиста и фотошаблона) – что приводит к нарушению слоя фоторезиста и сокращению срока годности. Проекционная.(нет контакта). Рентгеновская (возможность создать элементы более малых размеров, но низская производительность) и электронно-лучевая (лучше всего подходит для массового производства, но сложна, сложно подобрать резист, сложно управлять плотностью тока в луче). Фотолитография, экспанирование резистов плазменными потоками (недостаток – часть энергии тратится на подогрев подложки и резистаВ зависимости от типа используемого р е з и с та (негативный или позитивный) методы литографии по характеру переноса изображения делятся на негативные и позитивные

 

вопрос(получение монокристов


Дата добавления: 2015-11-14; просмотров: 93 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
КОНГРЕСС ЭКОНОМИСТОВ| Вопрос 6(раздедение на пластины)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)