Скрытое изображение, его образование, природа и возможности усиления.

Скрытое изображение образуется в светочувствительном слое пленки в результате его экспонирования.

↓

Состоит из весьма малых частичек металлического серебра в микрокристаллах галогенида серебра, рисующих объект съёмки как бы пунктиром в светочувствительном слое кинопленки. Полагают, что частицы металлического серебра, образующие скрытое изображение, отличаются от частиц, составляющих видимое изображение, только размерами.

Схема возникновения скрытого изображения:

· под действием света в микрокристалле галогенида серебра появляются свободные электроны, способные перемещаться по всему кристаллу;

· перемещаясь, электроны попадают в ловушки – ямы, являющиеся центрами светочувствительности микрокристалла и представляющие собой нарушения в кристаллической решетке, появившиеся при изготовлении фотографической эмульсии вследствие присутствия примесных центров, трещин, сдвигов и других дефектов;

· в процессе экспонирования электроны, накапливаясь на центрах чувствительности, придают им отрицательный заряд

· к этим центрам под действием электрических сил притяжения устремляется поток ионов Ag⁺ с зарядами противоположного знака, которые, сочетаясь с электронами, образуют нейтральные атомы серебра – центры скрытого изображения → в каждом центре чувствительности образуется столько атомов серебра, сколько было захвачено электронов

По этой схеме образование скрытого изображения идёт в три этапа:

1 – возникшие на этом этапе центры скрытого изображения очень малы и нестабильны → для сохранения и дальнейшего роста этих центров необходимо наличие в зоне их действия достаточного количества свободно передвигающихся электронов;

2 – под продолжающимся действием света центры приобретают должную стабильность, но еще недостаточно велики, чтобы служить центрами проявления → такие образования называют субценрами;

3 – субцентры при участии квантов света вырастают до размеров, при которых они способны проявляться.

║

Границы между тремя этапами образования скрытого изображения весьма условны и зависят от многих факторов.

В зависимости от природы микрокристаллов и условий экспонирования:

- в одном микрокристалле могут возникнуть один или несколько центров скрытого изображения

- центры скрытого изображения могут быть расположены внутри и на поверхности микрокристалла

↓

· кратковременное действие света высокой интенсивности → образование большого числа мелких центров скрытого изображения на поверхности и в глубине микрокристалла

· длительное действие света малой интенсивности → появление крупных центров скрытого изображения в основном на поверхности микрокристалла

ß

Размещение центров скрытого изображения влияет на последующие процессы.

Процесс образования скрытого изображения в цветных пленках аналогичен процессу, происходящему в черно-белых пленках → отличие: скрытое изображение размещено в различно сенсибилизированных слоях цветной пленки.

Латенсификация – с пособ усиления скрытого изображения до процесса проявления, путем дополнительной засветки источниками света малой мощности. Контраст понижается (т.к. малые плотности возрастают, большие не меняются). Чем меньше время проявления, тем заметнее эффект.

Гиперсенсибилизация - способ повышения светочувствительности пленки перед её экспонированием:

1) промывка

2) обработка в слабом растворе аммония

3) обработка в растворе содержащем аммиак и серебряную соль

4) обработка парами ртути.

Дата добавления: 2015-07-10