Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

Читайте также:
  1. II. ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
  2. Амплитудная, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики усилителей.
  3. Африка и Аравия: сорта Арабики и вкусовые характеристики
  4. Возрастно-половые характеристики человека
  5. Возрастно-половые характеристики человека.
  6. Вопрос 14.15. Аналоговый регулятор с позиционным управляющим сигналом. Аналоговый регулятор с импульсным управляющим сигналом.
  7. Геометрические характеристики плоских сечений

а) выходные; б) входная;

в) стокозатворная.

 

Основные параметры полевых транзисторов.

1). Крутизна характеристики

2). Крутизна характеристики по

подложке

 

3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 –

0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА).

 

9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц).


 

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным и с индуцированным каналом. МДП, МОП, МНОП- транзисторы. Структура, принцип работы. Стокозатворные и выходные характеристики. Основные параметры

 

МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)могут быть двух типов:транзисторы совстроенными каналами (канал создается при изготовлении) и транзисторы с индуцированными каналами (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).

 

Транзисторы первого типа могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Транзисторы второго типа можно использовать только в режиме обогащения. У МДП-транзисторов в отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, на котором выполнен прибор (рис.1), называемый подложкой.

 

а –планарный транзистор синдуцированным каналом;

б –планарный транзистор со встроеннымканалом.

 

 


Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 113 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полупроводниковые материалы. Собственная и примесная электропроводности. | Электронно-дырочный переход и его свойства. Переход металл-полупроводник. | Полупроводниковые резисторы. Назначение, характеристики, параметры. | Классификация полупроводниковых диодов. Условные графические и буквенные обозначения. | Однополупериодный выпрямитель. | Трехфазная мостовая схема выпрямителя | Управляемые выпрямители. Временные диаграммы управляемых выпрямителей. Тиристорные преобразователи, как источники регулируемого напряжения. Схема управления ДПТ | Принципиальные схемы, принцип работы. Коэффициент стабилизации. | Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ | Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ) |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики| Основные характеристики полевых транзисторов.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)