Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики

Полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называют полевыми транзисторами. У них в создании электрического тока участвуют носители заряда только одного типа (электроны или дырки).

Полевые транзисторы бывают двух видов; с управляющим p-n-переходом и со структурой металл - диэлектрик - полу-проводник (МДП-транзисторы).

Транзистор с управляющим р-я-переходом (рис.1) представляет собой пластину (участок) из полупроводникового материала, имеющего электропроводность определенного типа, от концов которой сделаны два вывода — электроды стока и истока. Вдоль пластины выполнен электрический переход (р-n-переход или барьер Шотки), от которого сделан третий вывод-затвор. Внешние напряжения прикладывают так, что между электродами стока и истока протекает электрический ток, а напряжение, приложенное к затвору, смещает электрический переход в обратном направлении.

Работа полевого транзистора с управляющим p-n-переходом основана на изменении сопротивления канала за счет изменения размеров области, обедненной основными носителями заряда, которое происходит под действием приложенного к затвору обратного напряжения.

Электрод, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся основные носители заряда, называют стоком. Упрощенная структура полевого транзистора с упра-вляющим p-n-переходом приведена на рис.1а. Условные обозначения даны на рис.1б, 1в, а структуры выпускаемых промышленностью полевых транзисторов – на рис.1г-е.

Дата добавления: 2015-10-16