Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ

Читайте также:
  1. B) Нарушение анализа смысловых структур у больных с поражением лобных долей мозга
  2. III Анализ положения дел в отрасли
  3. IV. КОМПЬЮТЕРИЗИРОВАННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ
  4. PESTEL-анализ
  5. SNW-анализ.
  6. SWOT Анализ
  7. SWOT-анализ

В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входного и выходного сигналов, различают три схемы включения транзистора (рис.1): с общей базой (ОБ); с общим эмит-тером (ОЭ); с общим коллектором (ОК).

 

Рис.1 В этих схемах источники постоянного напряжения и резисторы обеспечивают режимы работы

 

транзисторов по постоянному току, т. е. необходимые значения напряжений и начальных токов. Входные сигналы переменного тока создаются источниками u вх. Они изменяют ток эмиттера транзистора, а соответственно и ток коллектора. Приращения тока коллектора (рис.1, а, б) и тока эмиттера (рис.1, в) соответственно на резисторах Rк и Rэ создадут приращения напряжений, которые и являются выходными сигналами Uвых. Параметры схем обычно выбирают так, чтобы Uвых, было бы во много раз большое вызвавшего его приращения Uвх (рис.1, а, б) или близко к нему (рис.1, в).

 

Вид выходных (а) и входных (б) вольт-амперных характеристик транзистора зависит от схемы включения его в цепь. Так, для схемы включения с ОБ статические характеристики имеют вид, показанный на рис. 2, для схемы с ОЭ — на рис. 3. На рис. 2а видны две области: активный режим (UKБ<0), и коллекторный переход смещен

Рис.2

в обратном направлении; режим насыщения (UKБ>0), и коллекторный переход смещен в прямом направлении.

 

В цепях, где транзистор включен по схеме с ОЭ или ОК, удобно пользоваться не коэффициентом передачи эмиттерного тока α, а коэффициентом передачи базового тока β. Это обусловлено тем, что в подобных случаях обычно задается изменение тока базы. Связь между α и β находим

из уравнений Iк = αNIЭ + IКБО + UКБ / rк диф и IЭ = IБ + IК. Получим Iк = βIБ +

 

IКЭО + UКЭ / rк диф.

 

Рис.3


 


Дата добавления: 2015-10-16; просмотров: 243 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полупроводниковые материалы. Собственная и примесная электропроводности. | Электронно-дырочный переход и его свойства. Переход металл-полупроводник. | Полупроводниковые резисторы. Назначение, характеристики, параметры. | Классификация полупроводниковых диодов. Условные графические и буквенные обозначения. | Однополупериодный выпрямитель. | Трехфазная мостовая схема выпрямителя | Управляемые выпрямители. Временные диаграммы управляемых выпрямителей. Тиристорные преобразователи, как источники регулируемого напряжения. Схема управления ДПТ | Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом. Структура, принцип работы. Основные параметры, стокозатворные и выходные характеристики | Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. | Основные характеристики полевых транзисторов. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Принципиальные схемы, принцип работы. Коэффициент стабилизации.| Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)