Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]]

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение база-эмиттер Vbe и коллектор-эмиттер Vсе при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

Имя параметра	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
IS	Ток насыщения при температуре 27°С	1E-16	А
BF	Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)
BR	Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ
NF	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима
NR	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима
ISE*	Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер		А
ISC*	Ток насыщения утечки перехода база-коллектор		А
ISS	Ток насыщения p-n перехода подложки		А
NS	Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки
IKF*	Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме	¥	А
IKR*	Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме	¥	А
NE*	Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода	1,5
NC*	Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода
NK	Коэффициент перегиба при больших токах	0.5
VAF	Напряжение Эрли в нормальном режиме	¥	В
VAR*	Напряжение Эрли в инверсном режиме	¥	В
RC	Объемное сопротивление коллектора		Ом
RE	Объемное сопротивление эмиттера		Ом
RB	Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер		Ом
RBM*	Минимальное сопротивление базы при больших токах	RB	Ом
IRB*	Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM	¥	А
TF	Время переноса заряда через базу в нормальном режиме		с
TR	Время переноса заряда через базу в инверсном режиме		с
XTF	Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор
VTF	Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор	¥	В
ITF	Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах		А
PTF	Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора		град.
CJE	Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении		пФ
VJE (РЕ)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	0,75	В
MJE (ME)	Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода	0,33
CJC	Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении		Ф
VJC (PC)	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	0,75	В
MJC(MC)	Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода	0,33
CJS (CCS)	Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении		Ф
VJS (PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	0,75	В
MJS (MS)	Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка
XCJC	Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе		~
FC	Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов	0,5
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTB	Температурный коэффициент BF и ВR		—
XTI(PT)	Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS		—
TRE1	Линейный температурный коэффициент RE		°C^-1
TRE2	Квадратичный температурный коэффициент RЕ		°C^-^2
TRB1	Линейный температурный коэффициент RВ		°C^-1
TRB2	Квадратичный температурный коэффициент RB		°C^-^2
TRM1	Линейный температурный коэффициент RВМ		°C^-1
TRM2	Квадратичный температурный коэффициент RВМ		°C^-^2
TRC1	Линейный температурный коэффициент RС		°C^-1
TRC2	Квадратичный температурный коэффициент RС		°C^-^2
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход
T_MEASURED	Температура измерений	—	°С
T_ABS	Абсолютная температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	—	°C
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°C

Дата добавления: 2015-08-29