|
Для заданного типа биполярного транзистора по известным Ek, Rk, IБ0 рассчитать h- параметры транзистора (h11, h12, h21, h22 ). Объяснить полученные численные значения h-параметров (смотрите задание по своему варианту в таблице).
Таблица.
Номер варианта | Тип транзистора |
31-1 | КТ 835А |
32-2 | КТ 827А |
33-3 | КТ 826А |
34-4 | КТ 825А |
35-5 | КТ 818А |
36-6 | КТ 812А |
37-7 | КТ 809А |
38-8 | КТ 808А |
39-9 | КТ 807А |
40-10 | КТ 806А |
41-11 | КТ 805АМ |
42-12 | КТ 803А |
43-13 | КТ 801А |
44-14 | КТ 646А |
45-15 | КТ 635Б |
46-16 | КТ 610А |
47-17 | КТ 608А |
48-18 | КТ 605А |
Методические рекомендации к задаче №2
Согласно заданного типа биполярного транзистора из справочника [2] переносим в контрольную работу входные (IБ=f(UБЭ)) и выходные (Iк=f(UKЭ)) статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
см. рис.2.1(а,б)
По двум точкам на выходных характеристиках строим нагрузочную прямую: первая точка – по оси Х(UKЭ) – соответствует заданному значению напряжения источника в цепи коллектора Ек; вторая точка – по оси У(Iк) рассчитывается по формуле:
Ik=Ek/Rk, где Rk – задано.
На пересечении нагрузочной прямой и выходной характеристики, построенной при заданном токе базы для точки О IБО, находим точку О (например: IБ4 = IБО). Определяем IКО, UKЭО см.рис.2.2
Находим точку О на входной характеристике. Из трех графиков выбираем тот, который построен при UKЭ приблизительно равном UKЭО, (по рис. 2.2). Например: UKЭ2 ≈ UKЭО, значит второй график будет рабочим. На оси У откладываем значение заданного IБО, проводим горизонтальную линию до пересечения с рабочим графиком. Обозначаем точку О (см.рис.2.3), находим UБЭО по оси Х.
Рассчитываем параметр h11 – это входное сопротивление биполярного транзистора. Точка 11 находится на рабочем графике на входной характеристике и определяется током базы IБ, имеющем значение меньше IБО (например по рис.2.2 это IБ3) см.рис.2.4:
h11=ΔUБЭ/ΔIБ= (UБЭО - UБЭ11)/(IБО- IБ11); [Ом]
Рассчитываем параметр h12 – это коэффициент обратной связи по напряжению. Точка 12 лежит на входной характеристике, построенной при, например, UКЭ1, см.рис.2.5.:
h12=ΔUБЭ/ΔUКЭ= (UБЭО - UБЭ12)/(UКЭ2 – UКЭ1)<<1
Рассчитываем параметр h21 – это коэффициент усиления по току. Точка 21 находится на выходной характеристике, построенной, например, при токе базы ΔIБ3, см.рис.2.6:
h21=ΔIK/ΔIБ= (IKО – IK21)/(IБО – IБ3)>1
Рассчитываем параметр h22 – это выходная проводимость биполярного транзистора. Точка 22 находится на выходной характеристике, построенной при заданном IБО, см.рис.2.7:
h22=ΔIK/ΔUКЭ= (IK22 – IK0)/(EK – UКЭО);[Cм] <<1
рис. 2.5
рис. 2.6
рис. 2.7
Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 28 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]] | | | Паренхиматозные дистрофии |