Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчет граничной частоты

Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования |


Читайте также:
  1. I. Выбор электродвигателя и кинематический расчет
  2. I. Расчет себестоимости издания
  3. II. Расчет зубчатых колес редуктора
  4. III. Предварительный расчет валов редуктора
  5. V. Расчет количества единиц лекарственной формы, которое надо принять больному за один прием.
  6. VI. Расчет разовой дозы лекарственного вещества в микстуре.
  7. А) методы расчета по заданному профилю пути;

Для расчёта граничной частоты необходимо знать барьерные ёмкости переходов и сопротивления базы, эмиттера и коллектора. Ёмкость коллекторного перехода известна. Рассчитаем барьерную ёмкость эмиттерного перехода. Для этого необходимо определить площадь боковой поверхности эмиттера

 

Рассчитаем барьерную ёмкость эмиттерного перехода для заданного прямого напряжения эмиттер-база U, равному 0,5 В.

А

 

 

Ф

 

 

Расчет показал, что эмиттерная ёмкость меньше заданной. В случае, если бы она оказалась большей, то следовало бы уменьшить площадь эмиттера или концентрацию примеси в эмиттере.

Рассчитаем сопротивление эмиттера. Оно равно сумме сопротивлений тела эмиттера rteи дифференциального сопротивления в рабочей точке red. Поскольку граничная частота задана при токе эмиттера 0,5 А, то дифференциальное сопротивление определяем при таком токе.

А
Ом
Ом
Ом

 

 

Расcчитаем сопротивление тела коллектора rk. От сопротивления тела коллектора зависит быстродействие транзистора и падение напряжения на нем в насыщенном состоянии. Поэтому оно должно быть как можно меньшим. Примем, что подвижность электронов в эпитаксиальном слое коллектора mnk = 1500 см2/(Вс).

 

 

Определим удельное сопротивление коллектора
Ом см

 

Рассчитаем немодулированное сопротивление эпитаксиального слоя коллектора c учетом расширения ОПЗ в область коллектора. Граничная частота задаётся при напряжении коллектор-база, равном 5 В. Поэтому будем рассчитывать расширение ОПЗ в область коллектора при этом напряжении.

Ом

 

Сопротивление базы представляет собой некоторое эффективное сопротивление для переменного тока базы между контактной площадкой и центром эмиттера. Оно включает в себя три последовательно включенных сопротивления: сопротивление базовых контактов , сопротивление пассивной области базы (между краем эмиттера и ближайшем краем контактной площадки), сопротивление активной области базы (между центром и краями эмиттера).

Рассчитаем сопротивление активной базы с учётом того, что имеет место низкий уровень инжекции. При высоком уровне инжекции сопротивление активной базы уменьшается (модуляция сопротивления базы). В этом случае оно может быть рассчитано

 

Ом
Рассчитаем сопротивление пассивной базы
Ом

 

Рассчитаем сопротивление базовых контактов. Типичное значение контактного сопротивления rc алюминий-сильнолегированный p-кремний 10-4- 10-5Ом см2

 

 

Ом

 

Общее сопротивление базы равно
Ом

 

 

Граничная частота в схеме с общим эмиттером примерно равна предельной частоте в схеме с общей базой. Последнюю можно рассчитать, определив постоянную времени переходного процесса в схеме с общей базой. Постоянная времени складывается из постоянной времени эмиттера ReCe, постоянной времени коллектора (rk+ rb)Ck, времени пролёта баы tprb, времени пролёта коллекторной ОПЗ tprk.

Рассчитаем время пролёта коллекторного перехода для напряжения между коллектором и базой Ukbfg. Зададим подвижность электронов в коллекторе mk= 1500 см2/(Вс). Для расчёта времени пролёта предварительно определим ширину коллекторной ОПЗ Lk1.

Время пролета коллекторного перехода.
с

 

 

Полученное значение может быть ошибочным, если электроны в ОПЗ достигают предельной скорости в кремнии Vs, равной 107см/с. Проверим это условие. Определим дрейфовую скорость электронов в ОПЗ

см/с  

 

Скорость дрейфа превышает предельную. Поэтому для определения времени пролёта следует исходить из того, что скорость движения носителя равна предельной. Для определения времени пролёта следует разделить ширину ОПЗ на предельную скорость.

 

с

 

При расчёте времени пролёта электрона в базе необходимо учесть неравномерное распределение примеси, которое приводит к появлению электрического поля в базе. Для его учёта используется понятие фактора поля в базе . Фактор поля вводится для оценки силы влияния ускоряющего поля в базе на движение неосновных носителей. Он показывает во сколько раз разность потенциалов в базе, возникшая за счет встроенного поля, больше теплового потенциала ft. Фактор поля следует учитывать только при низком уровне инжекции.

Для определения фактора поля из графика распределения суммарной концентрации примеси в базе максимальная концентрация :

см-3  
Рассчитаем фактор поля
Определим время пролета базы с учётом фактора поля
с
Рассчитаем предельную частоту для схемы с общей базой без учёта внешней нагрузки.
 

 

 

Гц

 

Граничная частота примерно равна предельной частоте в схеме с общей базой. Поскольку полученная частота больше заданной 20 МГц, то коррекцию параметров структуры не проводим. В противном случае следовало бы принять меры по уменьшению барьерных емкостей и (или) сопротивления тел базы и коллектора.


Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 111 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Выбор топологии кристалла| Расчет напряжения насыщения

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)