Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв
Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла | Расчет граничной частоты | Расчет напряжения насыщения | Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования |
В литературе удельное сопротивление слоя также называют поверхностным сопротивлением. Установлено, что если поверхностное сопротивление пассивной части базы находится в пределах 100 - 300 Ом/квадрат, то наибольшее обратное напряжение база-эмиттер составляет 5 - 7 В. По удельному сопротивлению базового слоя определяется сопротивление пассивной части базы. Значения 
, 
, 
, 
задаем для бора:
| Определим подвижность основных носителей заряда в базе
|
| Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление базового слоя
|
Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление эмиттерного слоя. Значения констант 
, 
, 
, 
задаем для фосфора:
| Определим подвижность основных носителей заряда в эмиттере
|
| Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление эмиттерного слоя
|
В работе считается, что поверхностное сопротивление эмиттерного слоя должно лежать в пределах 5 - 7 Ом/квадрат. В работе полагают, что эмиттерный диффузионный слой должен иметь поверхностное сопротивление примерно 2 - 2.5 Ом/квадрат.
Рассчитаем удельное поверхностное сопротивление слоя активной базы
Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 76 | Нарушение авторских прав
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)
