Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Виды загрязнений. Обезжиривание.

На технологической операции "Химическая обработка" с поверхности полупроводниковых пластин удаляются имеющиеся там загрязнения.

Технологически чистой считается поверхность, на которой концентрация загрязнений не препятствует воспроизводимому получению заданных параметров ИМС и их стабильности.

Для правильного выбора метода очистки полупроводниковых пластин от загрязнений необходимо знать, какие загрязнения имеются на поверхности пластин, как их можно удалить, какое влияние они могут оказать на свойства ИМС и на качество последующих операций, а также методы контроля чистоты поверхности.



 


1. Каскадный метод.


 


 

Пластины во фторопластовых кассетах погружают в двух- четырех каскадную ванну. По мере очистки кассеты с пластинами переносят из одной ванны в другую навстречу

движению растворителя, что обеспечивает непрерывный отвод загрязнений от пластин.

 

 


2. В парах растворителя.


Загрязнения с пластин удаляются вместе с каплями конденсата.

Исключается повторное загрязнение.

 

 

3. Ультразвуковое обезжиривание.

Выполняют в специальных ваннах, дно и стенки которых совершают механические колебания с ультразвуковой - частотой. Эти колебания вызывают перемешивание растворителя и кавитацию, и загрязнения быстро удаляются из самых труднодоступных участков.

4. В растворах моющих порошков.

Жиры на поверхности пластин переводятся в мыла, представляющие собой растворимые в воде соли, которые удаляются последующей отмывкой в воде.

5. В щелочах.

Жиры разлагаются с образованием растворимых в воде соединений, которые удаляются последующей отмывкой в воде.

6. В ПАРе.

Пероксидно-аммиачный раствор состоит из пероксида водорода, гидрооксида аммония и воды (Н2О2: NH4OH: H2O =1:1:4) Удаляет все жировые загрязнения, неорганические загрязнения, ионы различных металлов путем их оксидирования атомарным кислородом. Щелочь ускоряет процесс разложения перекиси, омыляет жиры и связывает в хорошо растворимые комплексы некоторые металлы.

7. В кислотах.

Удаляются атомы и ионы металлов, жировые загрязнения, а также оксиды, нитриды, сульфиды и др. соединения. Удаление ионов металлов сопровождается их вытеснением ионами водорода. Для удаления атомов металлов применяют кислоты, растворяющие эти металлы.

8. В пероксидно-кислотных растворах2О2: НNO3 : Н2O =1:1:1)

При нагревании кислота легко разлагается, эффективно связывая в комплексы ионы щелочных металлов.

9. Хорошие результаты обеспечивает очистка пластин кремния в растворе «Каро»
(H2SO4: Н2О2 = 3: 1) при температуре 130°.


Урок

Травление. Очистка в H2O

Травление - это процесс окисления поверхности пластин и перевод образовавшегося окисла в растворимую соль.

Травление проводится после обезжиривания, т.к. только в этом случае травитель хорошо смачивает всю поверхность пластин, и верхний слой (например, нарушенный) удаляется равномерно.

Процесс травления можно разбить на пять стадий:

1. диффузия травителя к обрабатываемой поверхности;

2. адсорбция травителя поверхностью;

3. химическое взаимодействие травителя с обрабатываемым материалом;

4. десорбция продуктов химических реакций;

5. диффузия продуктов химических реакций от поверхности.

Скорость травления ограничивается либо диффузией травителя к поверхности или продуктов реакции от поверхности, либо скоростями поверхностных химических реакций.

Травители, в которых самыми медленными этапами являются диффузионные, называются полирующими. Такие травители нечувствительны к неоднородностям поверхности, они сглаживают шероховатости, выравнивая микрорельеф.

Травители, в которых самыми медленными являются поверхностные химические реакции, называются селективными. Селективные травители с большой разницей скоростей травления в различных направлениях принято называть анизотропными.

В зависимости от целей травления применяют те или иные травители. Так, для подготовки пластин кремния к изготовлению микросхем применяют полирующие травители. В процессе изготовления ИМС с помощью анизотропных травителей в кремнии вытравливают углубления. Для выявления поверхностных дефектов применяют селективные травители.

В качестве травителей используют кислоты и щелочи.

Очистка в Н2О.

После выполнения операций обезжиривания и травления пластины промывают деионизованной водой.

Отмывку в воде выполняют:

1. в протоке воды в многокаскадных ваннах;

2. в ультразвуковых ваннах;

3. струей;

4. гидромеханическим способом.


Дата добавления: 2015-08-05; просмотров: 101 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Производства. | Термическое окисление. | Тема Фотолитография | Сушка фоторезиста. | Совмещение и экспонирование | Травление технологического слоя | Удаление фоторезиста | Основные этапы изготовления фотошаблонов | Элементов I, II, VI, VII, VIII групп периодической | Двухстадийная диффузия. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Общая характеристика полупроводникового производства.| Подложка

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)