Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Усилительный каскад на МДП транзисторе с индуцированным каналом

Читайте также:
  1. Исследование усилительного каскада, собранного на полевом транзисторе с p-n затвором и каналом n-типа, собранного по схеме с общим истоком.
  2. Каскадная (водопадная) модель
  3. Каскадный эффект преобразования
  4. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
  5. МДП-транзисторы со встроенным каналом
  6. МОП-транзистор с встроенным каналом
  7. Недостатки каскадной модели

В усилителях на МДП - транзисторах с индуцированным каналом необходимое напряжение Uзип обеспечивается включением в цепь затвора делителя R1R2.

При этом

От выбранного значения тока делителя Iд = Ес/(R1+R2) зависят сопротивления резисторов R1 и R2. Поэтому ток делителя выбирают исходя из обеспечения требуемого входного сопротивления усилителя.

 

Коэффициент усиления по мощности –отношение мощности на выходе

полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.

 

Внутреннее (выходное) сопротивление ri − представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока:

при Uзи = const;

Входное сопротивление при Uси = const транзистора определяется сопротивлением р-n- переходов, смещенных в обратном направлении. Входное сопротивление полевых транзисторов с р-n- переходом довольно велико (достигает единиц и десятков мегаом), что выгодно отличает их от биполярных транзисторов.

 


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 195 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Полевые транзисторы. | Стоковые выходные характеристики. | МОП-транзистор с встроенным каналом |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Усилительный каскад на МДП транзисторе с управляющим р-n переходом| Слой. Элементы залегания слоя и его мощность

mybiblioteka.su - 2015-2018 год. (0.004 сек.)