Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

МОП-транзистор с встроенным каналом

Читайте также:
  1. Исследование усилительного каскада, собранного на полевом транзисторе с p-n затвором и каналом n-типа, собранного по схеме с общим истоком.
  2. МДП-транзисторы с индуцированным каналом
  3. МДП-транзисторы со встроенным каналом
  4. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
  5. Протокол LLC уровня управления логическим каналом
  6. Протокол LLC уровня управления логическим каналом (802.2)

 

МОП-транзистора с индуцированным каналом в отличие от МДП -транзистора с индуцированным каналом имеет тонкий канал, соединяющий области стока и истока при Uзи=0. Подавая на затвор напряжение той или иной полярности, можно увеличивать или уменьшать толщину этого канала, регулируя тем самым силу тока, протекающего через канал (ток стока).

 

 

МДП - транзистор со встроенным каналом n- типа- семейство его стоковых характеристик (б); стоко-затворная характеристика (в)

 

 

Условные графические обозначения полевых транзисторов:

 

а - с управляющим переходом р- типа; б - с управляющим переходом и каналом n -типа; в - с индуцированным каналом р -типа; г -с индуцированным каналом n -типа; д - со встроенным каналом р -типа; е – со встроенным каналом n -тип

 


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 155 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Стоковые выходные характеристики.| Усилительный каскад на МДП транзисторе с управляющим р-n переходом

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)