Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

С изолированным затвором

Читайте также:
  1. Вольт-амперные характеристики транзистора с р-п-затвором
  2. Дифференциальные параметры транзистора с p–n–затвором
  3. Затвором
  4. Изолированным набуханием клеток головного мозга (клеточной гипергидратацией)
  5. Исследование усилительного каскада, собранного на полевом транзисторе с p-n затвором и каналом n-типа, собранного по схеме с общим истоком.
  6. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
  7. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Передаточные характеристики транзистора с изолированным затвором Ic=f(UЗИ) при UСИ=const в соответствии с выражением (7.4.6) описываются квадратичной зависимостью аналогично характеристикам транзистора с p-n -затвором. Однако расположение их относительно оси тока существенно отличается.

У транзисторов с встроенным каналом (рис. 7.11,а) уже при нулевом напряжении затвора имеются достаточная проводимость канала и соответствующий ток стока. При увеличении отрицательного напряжения затвора концентрация электронов в канале снижается, проводимость канала и ток стока падают. При увеличении положительного напряжения затвора канал обогащается электронами, его проводимость и ток стока возрастают. Таким образом, в данном случае управление током возможно как положительным, так и отрицательным напряжением затвора. У транзисторов с индуцированным каналом (рис. 7.11, б) при напряжении затвора, равном нулю, проводимость участка сток — исток определяется р+-n -переходом сток — подложка, который отрицательным напряжением стока смещен в обратном направлении (закрыт). Поэтому ток стока равен обратному току току р+-n -перехода, т. е. пренебрежимо мал.

При подаче отрицательного напряжения на затвор дырки из р+- областей и из глубины полупроводниковой подложки подтягиваются к поверхности, где их концентрация возрастает. Однако поверхность полупроводника обладает большим числом вакантных энергетических состояний, дырки захватываются ими и, становясь связанными, не могут обеспечить электропроводность канала. Электроны же в при­поверхностном слое имеют обычно повышенную концентрацию из-за влияния положительных зарядов поверхностных состояний подложки, зарядов в диэлектрике затвора и контактной разности потенциалов затвор — подложка. Поэтому лишь при значительном увеличении на­пряжения затвора до величины, называемой пороговой, может про­изойти инверсия проводимости приповерхностного слоя и возникнуть р -канал. При этом появляется ток Iс в выходной цепи. При дальнейшем повышении напряжения затвора ток стока возрастает по квадратичному закону. Повышение напряжения стока незначительно увеличивает ток стока в соответствии с выражением (7.48).

 

 

Выходные характеристики Ic=f(UСИ) при UСИ=const транзисторов с встроенным каналом (рис. 7.12, а) и индуцированным каналом (рис. 7.12, б) по форме напоминают характеристики транзистора с р-n -затвором. При повышении напряжения стока UСИ ток стока Iс быстро возрастает, затем при UСИ=UЗИ-Uпор происходит отсечка канала и транзистор переходит в режим насыщения.

Температурные свойства транзистора с изолированным затвором такие же, как у транзистора с р-n- затвором (рис. 7.13). Также существует термостабильная точка, в которой ток стока 1Т не зависит от температуры.

Координаты термостабильной точки IT и UЗИТ можно найти, дифференцируя по Т выражение (7.46) с учетом температурных зависимостей β(Т) и Uпор(Т). Первая из них обусловлена зависимостью от температуры главным образом подвижности дырок μps. [см. (7.47)], вторая — влиянием температуры на контактную разность потенциалов. Расчет показывает, что в термостабильной точке в зависимости от концентрации примеси в подложке напряжение затвора

UЗИТ = Uпор + (0,8÷2,4) В; (7.50)

 

с увеличением концентрации примеси оно уменьшается.

Ток стока в термостабильной точке IT обычно в 5—10 раз ниже, чем при Uзи=0 (рис. 7.13).

Температурный коэффициент по напряжению затвора дUЗИ/дТ для МДП-транзистора имеет следующие значения:

 

-(4÷6) мВ/°С при Iс < (0,05÷0,1) IT;

±0,5 мВ/°С при Iс≈IТ;

+ (8÷10) мВ/°С при UЗИ =0.

 

Использование МДП-транзисторов в термостабильном режиме затрудняется тем, что при этом напряжение затвора близко к пороговому и начинает существенно сказываться временной дрейф порогового напряжения.

 


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 210 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Элементарная теория транзистора с p–n–затвором | Вольт-амперные характеристики транзистора с р-п-затвором | Дифференциальные параметры транзистора с p–n–затвором | Транзистор с p-n-затвором как усилитель | Затвором | МДП-транзисторы в ключевом режиме |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Элементарная теория транзистора с изолированным затвором| Усилительные свойства МДП-транзистора

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)