Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Полевой транзистор с изолированным затвором

Читайте также:
  1. Б, в - конденсатор КМ6; г - стабилитрон Д814; д, е, ж - микросхемы К176ИЕ1; з, и - транзистор КП103, к- резистор С2-23
  2. Вольт-амперные характеристики транзистора с р-п-затвором
  3. Выходные характеристики полевого транзистора.
  4. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
  5. Дифференциальные параметры транзистора с p–n–затвором
  6. ЗАДАНИЯ ДЛЯ СТУДЕНТОВ ВО ВРЕМЯ ПРОХОЖДЕНИЯ ПОЛЕВОЙ ПРАКТИКИ ПО МЕТОДИКЕ ПРЕПОДАВАНИЯ БИОЛОГИИ 2012 год.
  7. Затвором

 

Полевые транзисторы с изолированным затвором называют также МОП-транзисторами или МДП-транзисторами. Эти сокращенные названия указывают на их структуру металл — окисел—полупроводник или металл — диэлектрик — полупроводник.

Эти названия указывают на то, что между затвором из проводящего материала

— металла — и проводящего канала из полупроводника имеется изолирующий слой. Однако для уменьшения контактной разности потенциалов иногда вместо затвора из металла применяют затвор из поликристаллического проводящего кремния.

Имеется две основные разновидности полевых транзисторов с изолированным затвором: транзисторы с встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом.

МОП-транзистор с встроенным каналом. Схематическое строение транзистора с встроенным каналом показано на рис.1.5.14. Приложенное к затвору отрицательное напряжение отталкивает электроны во встроенном канале n-типа. В результате создается обедненный слой в верхней части полупроводника между изолирующей прокладкой из окисла и проводящим каналом. МОП-транзистор с встроенным каналом чаще всего используется в режиме обеднения. Для транзистора с n-каналом это соответствует подаче отрицательного напряжения на затвор. Его характеристики при этом не отличаются от характеристик транзистора с управляющим

р-п переходом, имеющим канал такого же типа. Так как затвор изолирован, то на него можно подавать не только напряжения, уменьшающие ток стока (отрицательные для канала п-ти па и положительные для ка нала р-типа), но и напряжения обратной полярности.


 

Рис.1.5.14. МОП-транзистор с встроенным каналом n-типа.

 

 

 

Рис. 1.5.15. Структура МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа: а - напряжение на электродах отсутствует; б— на затвор и сток подано положитель­ное напряжение относительно истока и соединенной с ним подложки.

 

Первый режим называется режимом обеднения, а второй — режимом обогащения.

МОП-транзистор с индуцированным каналом. Строение тран­зистора с индуцированным n-каналом показано на рис. 1.5.15.,а. В отсутствие напряжения на затворе сильно легированные n- области истока и стока образуют вместе с подложкой два включен­ных навстречу диода. Поэтому приложение напряжения между истоком и стоком не вызывает существенного тока. При некотором положительном напряжении на затворе индуцируется проводящий канал за счет притяжения к изолирующей прокладке затвора электронов из р-материала подложки. Хотя электроны в подложке не являются основными носителями, проводящий канал состоит только из основных носителей — электронов.

Напряжение затвор — сток МОП-транзистора, работающего только в режиме обогащения, при котором образуется проводящий канал и ток стока достигает заданного низкого значения, назы­вается пороговым напряжением полевого транзистора и обознача­ется и3ипор. Обычно пороговое напряжение полевых транзисто­ров с индуцированным каналом лежит в пределах и3ипор 1—6 В.

Идеализированные стоковые характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа показаны на рис.1.5.16. От ре­альных они отличаются тем, что имеют в области насыщения ну­левой наклон.

Штриховая линия на рис. 1.5.16 отделяет линейную область от области насыщения.

 

 

 

Рис. 1.5.16. Идеализированные стоковые характеристики МОП-транзистора с каналом n-типа зипо1р = 5 В)

 

 


 

Рис. 1.5.17. Условные обозначения полевых транзисторов:

а —полевой транзистор с р-п переходом, канал р-типа;

б — то же с каналом n-типа,

в— МОП-транзистор с встроенным каналом р-типа;

г — то же с каналом п-типа;,:

д — МОП-транзистор с индуцированным каналом р-типа;

е — то же с каналом п-типа.

 

 


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 213 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Основная элементная база радиотехнических устройств. | Резисторы | Конденсаторы. | Индуктивные элементы и устройства. | Транзисторы | СХЕМА С ОБЩЕЙ БАЗОЙ | СХЕМА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ | ИСТОЧНИКИ ЭДС И ТОКА | СОГЛАСОВАНИЕ ИСТОЧНИКА С НАГРУЗКОЙ. | ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ р-п ПЕРЕХОДОМ| ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)