Автори статті: H. W. Huang, J. K. Huang, C.H. Lin, K. Y. Lee, H.W. Hsu, C.C. Yu і H.C. Kuo

Автори статті: H. W. Huang, J. K. Huang, C.H. Lin, K. Y. Lee, H.W. Hsu, C.C. Yu і H.C. Kuo

Оригінальна назва: Efficiency Improvement of GaN-Based LEDs With a SiO₂ Nanorod Array and a Patterned Saphire Substrate

Зміст статті
В цій статті розповідається про структуру GaN світло діода, наноконтактну літографію, а також фізичні процеси,які протікають під час неї, та методи покращення ефективності GaN світло випромінюючих діодів на сапфіровій підкладці і SiO₂ квазікристальній структурі, порівнюючи рівні вихідної світлової енергії та вольт-амперні характеристики.

Автори пояснюють підвищення вихідної світлової енергії світло випромінюючих діодів на сапфіровій підкладці і з квазікристальною структурою кращим коефіцієнтом відбиття квазікристальної структури і вищою якістю епітаксіального шару n-GaN. Ця стаття(червень 2010-го року) прогнозує потенціальні покращення вихідної енергії комерційних світло випромінюючих приладів.

Cтруктура

Вольт-Амперні характеристики:

Дата добавления: 2015-11-04