Рис. 1.1. Этапы разработки электронной аппаратуры

Рис. 1.1. Этапы разработки электронной аппаратуры

Рис. 1.2. Классификация технологических документов

Рис. 1.4. Виды штампов на конструкторско-технологических документах:

a — чертежи и схемы; б — текстовые документы; в — схемы и текстовые документы (второй и следующие листы)

Рис. 1.5. Конструктивная иерархия и входимость модулей:

1 – микросхема; 2 – бескорпусная микросхема; 3 – микросборка; 4 – типо­вой элемент замены (ТЭЗ), ячейка; 5 – блок; 6 – рама; 7 – стойка

Рис. 2.1. Схема сборочного состава

Рис. 2.2. Схема сборки ТЭЗ

Наименование перехода	, мм	, м/мин	Припой и флюс	,°С

Рис. 2.3. Таблица параметров монтажной операции и эскиз монтажа

Рис. 2.4. Схема расчета глубины сверления

Рис. 3.3. Виды переходных отверстий в печатных платах:

А – сквозные скрытые переходные отверстия; Б – сквозное металлизированное отверстие; В – глухой микропереход; Г – скрытый микропереход

Рис. 3.4. Изгиб печатной платы

Рис. 3.5. Скручивание печатной платы

Рис. 3.1. Типы печатных плат:

а – односторонняя ПП; б – двусторонняя ПП; в – многослойная ПП;

г – гибкий печатный кабель

Рис. 3.6. Методы изготовления проводящих слоев печатных плат

	Заготовка из одностороннего фольгированного диэлектрика
	Наслаивание сухого пленочного фоторезиста
	Формирование защитного рельефа в местах расположения проводящего рисунка (экспонирование, проявление)
	Травление медной фольги в окнах защитного рельефа
	Удаление защитного рельефа
	Сверление отверстий
	Окончательная обработка

Рис. 3.7. Технологическая схема химического негативного метода

	Заготовка двустороннего фольгированного диэлектрика
	Сверление и очистка отверстий
	Химико-электрохимическая металлизация всех поверхностей и стенок отверстий, 35-40 мкм
	Наслаивание сухого пленочного фоторезиста на обе плоскости заготовки
	Формирование защитного рельефа в местах расположения проводящего рисунка (экспонирование, проявление)
	Травление медной фольги в окнах защитного рельефа; завески из фоторезиста защищают металлизированные отверстия в процессе травления
	Удаление защитного рельефа
	Окончательная обработка

Рис. 3.8. Технологическая схема тентинг-метода

	Заготовка из двустороннего фольгированного диэлектрика
	Сверление и очистка отверстий
	Предварительная металлизация всей поверхности заготовки и стенок отверстий, 7 мкм
	Наслаивание СПФ на обе плоскости заготовки
	Получение защитного рельефа на пробельных местах (экспонирование, проявление)
	Электрохимическое осаждение меди в окнах защитного рельефа СПФ, 35 мкм
	Электрохимическое осаждение металлорезиста олово-свинец в окнах защитного рельефа СПФ, 15 мкм
	Удаление защитного рельефа СПФ
	Травление слоя меди в окнах металлорезиста
	Удаление металлорезиста
	Окончательная обработка

Рис. 3.9. Технологическая схема классического комбинированного позитивного метода с использованием металлорезиста олово-свинец

	Заготовка из нефольгированного диэлектрика
	Сверление и очистка отверстий
	Предварительная общая металлизация поверхности, 3 мкм
	Нанесение фоторезиста толщиной 30 мкм
	Металлизация рисунка, 25 мкм
	Удаление фоторезиста
	Стравливание тонкого слоя меди с пробельных мест (дифференциальное травление)
	Окончательная обработка

Рис. 3.10. Технологическая схема полуаддитивного метода с дифференциальным травлением

Дата добавления: 2015-09-30