|
Теперь лампочка гореть не должна. А если горит, значит, диод оказался с пробитым р-п переходом. Такой диод можно разломить, чтобы посмотреть, как он устроен, — для работы как выпрямитель он все равно непригоден. Но, надеюсь, диод был хорошим и опыт удался.
Почему при первом включении диода в цепь лампочка горела, а при втором не горела? В первом случае диод был открыт, так как на него подавалось прямое напряжение £/пр, сопротивление диода было мало и через него протекал прямой ток /пр, величина которого определялась нагрузкой цепи — лампочкой. Во втором случае диод был закрыт, так как к нему прикладывалось обратное напряжение иобр, равное напряжению батареи, сопротивление диода было очень большое и в цепи тек лишь незначительный обратный ток диода /обр, который не мог накалить нить лампочки.
В этом опыте лампочка выполняла двойную роль. Она, во-первых, была индикатором наличия тока в цепи, а во-вторых, ограничивала ток в цепи до 0,28 А и таким образом защищала диод от перегрузки.
СТАБИЛИТРОН И СТАБИСТОР
Стабилитроны и стабисторы — это полупроводниковые диоды, предназначенные для стабилизации, т. е. поддержания постоянства напряжения в цепях питания радиоэлектронной аппаратуры. Внешний вид некоторых конструкций и графическое обозначение стабилитронов и стабисторов на схемах показаны на рис. 86.
Рис. 86. Стабилитрон, стаби- стор и их графическое обозначение на схемах.
Конструкции стабилитронов широкого применения аналогичны плоскостным выпрямительным диодам. Но работает стабилитрон не ка прямой, как выпрямительные или высокочастотные диоды, а на том участке обратной ветви вольт-амперной характеристики, где незначительное обратное напряжение вызывает значительное увеличение обратного тока через прибор. Разобраться в сущности действия стабилитрона тебе поможет его вольт-амлерная характеристика, показанная на рис. 87, а. Здесь (как и на рис. 81) по горизонтальной оси отложены в некотором масштабе обратное напряжение ио$р, а по вертикальной оси вниз — обратный ток /обр. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, т. е. включают так, чтобы его анод был соединен с минусом, а катод с плюсом источника питания. При таком включении через стабилитрон течет обратный ток /0бр. По мере увеличения обратного напряжения обратный ток растет очень мало — характеристика идет почти параллельно оси 1/0бр* Но при некотором напряжении U0бр (на рис. 87, а — около 8 В) р-п переход стабилитрона пробивается и через него начинает течь значительный обратный ток. Теперь вольт-амперная характеристика резко поворачивает и идет вниз почти параллельно оси /обр. Этот участок и является для стабилитрона рабочим. Пробой же р-п перехода не ведет к порче прибора, если ток через него не превышает некоторой допустимой величины.
На рис. 87, 6 приведена схема возможного практического применения стабилитрона, с помощью которого на нагрузку должно подаваться стабильное
(неизменяющееся) напряжение. При таком включении через стабилизатор Д течет обратный ток /обр, создающийся источником питания С/пит, напряжение которого непостоянно. Под действием этого напряжения ток /обр, текущий через стабилитрон, тоже изменяется, а напряжение на нем, а значит, и на подключенной к нему нагрузке Ra остается практически неизменным. Резистор R ограничивает максимально допустимый ток, текущий через стабилитрон.
Рис. 87. Вольт-амперная характеристика стабилитрона (а) и схема стабилизатора напряжения (б). |
Рис. 88. Вольт-амперная характеристика стабистора (а) и схема стабилизатора напряжения (б) на стабисторе. |
Стабистор, как и выпрямительный диод, работает на прямой ветви вольт-амперной характеристики (рис. 88, а). Стабистор открывается при незначительном прямом напряжении Unp и через него начинает течь нарастающий по величине прямой ток /пр. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики стабистора проходит почти параллельно оси /пр; при значительном изменении прямого тока через стабистор падение напряжения на нем изменяется очень мало. Это свойство стабистора и используется для стабилизации напряжения.
Посмотри на рис. 88,6, где показана схема возможного практического применения стабистора. Принципиально такое устройство работает так же, как со стабилитроном, только на стабистор Д подается прямое напряжение.
Вот наиболее важные параметры (характеристики) стабилитронов и стабисто- ров: напряжение стабилизации С/сх, ток стабилизации /ст, минимальный ток стабилизации /стмин и максимальный ток стабилизации /стмакс.
Параметр U&, — это то падение напряжения, которое создается между выводами стабилизатора или стабистора в рабочем режиме. Наша промышленность выпускает кремниевые стабилитроны на напряжение стабилизации Ucr от нескольких вольт до 180 В, а стабисторы — на V^ в пределах нескольких вольт.
Минимальный ток стабилизации /сх мий — это: для стабилитрона — наименьший ток через прибор, при котором начинается устойчивая работа в режиме «пробоя» (на рис. 87, а — линия /С1МИН); для стабистора — наименьший прямой ток, при котором крутизна вольт-амперной характеристики резко уменьшается
(на рис. 88, а на уровне линии /ст.мин). С уменьшением этого тока приборы перестают стабилизировать напряжение.
Максимально допустимый ток стабилизации /ст макс — это наибольший ток через прибор (не путай с током, текущим в цепи, питающейся от стабилизатора напряжения), при котором температура его р-п перехода не превышает допустимой (на рис. 87, а и 88, а - линии /ст Ч1акс). Превышение тока /ст.макс ведет к тепловому пробою р-п перехода и, естественно, к выходу прибора из строя.
Основные параметры некоторых стабилитронов и стабисторов, наиболее часто используемых в радиолюбительских конструкциях, приведены в прилож. 3. В блоке питания, например, о котором я буду рассказывать в восьмой беседе, будет использован стабилитрон Д813. Напряжение стабилизации этого стабилитрона (при /ст=5 мА) может быть от 11,5 до 14 В, 1стмт — 3 мА, /ст.макс — 20 мА, максимальная рассеиваемая мощность Ршкс (произведение напряжения £/ст на ТОК /ст.макс) 280 мВт.
Перехожу к транзисторам.
ТРАНЗИСТОРЫ
В группу этих полупроводниковых приборов входят два вида транзисторов [1] биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как-то отличить от вторых, часто называют обычными транзисторами. Они являются транзисторами наиболее широкого применения. С них я и начну рассказ о транзисторах.
В упрощенном виде транзистор представляет собой пластинку полупроводника с тремя, как в слоеном пироге, чередующимися областями разной электропроводности (рис. 89), которые образуют два р-п перехода. У каждой области свой контактный вывод. Две крайние области обладают проводимостью одного типа, средняя — проводимостью другого типа. Если в крайних областях преобладает дырочная проводимость, а в средней электронная (рис. 89, а), то такой прибор называют транзистором структуры р-п-р. У транзистора структуры п-р-п, наоборот, по краям расположены области с электронной проводимостью, а между ними — область с дырочной проводимостью (рис. 89, б).
Прикрой листком бумаги любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на рис. 89. Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область (на рис. 89 — нижняя) — эмиттером, вторую крайнюю (на рис. 89 — верхняя) —коллектором. Это три электрода транзистора. Во время работы транзистора его эмиттер вводит (эмиттирует) в базу дырки (в транзисторе структуры р-п-р) или электроны (в транзисторе структуры п-р-п\ коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером. Различие в обозначениях транзисторов разных структур заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в транзисторах р-п-р она обращена в сторону базы, а в транзисторах п-р-п — от базы.
Электронно-дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры р-п-р, берут тонкую пластинку германия с электронной проводимостью
я наплавляют на се поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют {[проникают) в тело пластинки, образуя в ней две области /?-типа — эмиттер ip коллектор, а между ними получается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника /i-типа — база. Транзисторы, изготовляемые по такой тех-
Рис. 89. Устройство и графические изображения транзисторов на схемах; |
Базл I
Эмиттер\ 7 Коллектор Рис. 90. Устройство и конструкция сплавного транзистора структуры р-п-р. |
нологии, называют сплавными. Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на рис. 90. Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм» Сверху к этому диску приварен кристалло- держатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния свега. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква М в обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква П — первоначальная буква слова «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разновидность транзистора данной группы.
Существуют другие способы изготовления транзисторов, например диффузионно-сплавной (рис. 91). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластинка исходного полупроводника. На по
верхность пластинки наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 91 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй шарик (на рис. 91 — левый) создает в ней
Эмиттер База |
Р~п — переходы |
Коллектор (корпус) |
Рис. 91. Устройство диффузионно-сплавного транзистора структуры р-п-р.
эмиттерную область. В результате в пластиике исходного полупроводника получаются два р-п перехода — транзистор структуры р-п-р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы типов П401 — П403, П422, Г1423, ГТ308.
В настоящее время действует система обозначения транзисторов, по которой вновь разрабатываемые и выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И. Первый элемент этой системы обозначения — буква Г или К (или цифра 1 или 2) — характеризует полупроводниковый материал транзистора и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра) присваивается германиевым транзисторам, а буква К (или цифра 2) — кремниевым транзисторам. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше +60°С, кремниевый — выше +85°С).
Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в помещаемой здесь таблице.
Таблица 1
|
Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность типа из данной группы транзисторов.
Вот несколько примеров расшифровки обозначений транзисторов по этой системе: ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А; ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г; КТ315В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В.
Наряду с этой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения транзисторов, например П27, П401, П213 и т. д. Объясняется это тем, что эти или подобные им транзисторы были разработаны ранее. Основные параметры наиболее широко используемых радиолюбителями транзисторов ты найдешь в прилож. 4. А внешний вид некоторых из них и располо-
Рис. 92. Внешний вид некоторых транзисторов. |
жение выводов транзисторов ты видишь на рис. 92. Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р-п-р), показанный на этом рисунке, имеет в диаметре всего 3,4 мм, его масса 0,1 г. Транзисторы этого типа предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в электронных часах, в электронных медицинских приборах.
Диаметр транзисторов ГТ309 (р-п-р) 7,4 мм, масса 0,5 г. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы КТ315 (п-р-п) выпускают в пластмассовых корпусах. Размеры корпуса 7x9x3 мм, масса 0,2 г. Эти маломощные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.
Транзисторы МП39 — МП42 (р-п-р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры п-р-п, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм, масса — не более 2 г. Наиболее широко их используют в усилителях колебаний звуковой частоты.
Транзисторы П401 — П403 (р-п-р) — маломощные высокочастотные транзисторы. Диаметр корпуса 11,5 мм, масса — не более 2 г. Их очень широко используют для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и в любительских радиовещательных приемниках. Точно так же выглядят аналогичные нм маломощные высокочастотные транзисторы П416, П422, П423 структуры р-п-р.
Транзистор Г!213 (р-п-р) — представитель мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм, масса — не более 20 г. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Так как эти транзисторы во время работы нагреваются, их часто ставят еще на специальные ребристые теплоотводы с увеличенными поверхностями охлаждения.
Как же работает транзистор?
Рассмотри хорошенько рис. 93. Слева на этом рисунке ты видишь упрощенную схему усилителя на транзисторе структуры р-п-р и иллюстрации, поясняющие сущность работы этого усилителя. Здесь, как и на предыдущих рисунках, дырки областей p-типа условно изображены кружками, а электроны области «-типа — черными шариками таких же размеров. Запомни наименования р-п переходов: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный.
Рис. 93. Упрощенная схема усилителя на транзисторе структуры р-п-р и графики, иллюстрирующие его работу. |
Между коллектором и эмиттером включена батарея Бк (коллекторная), создающая на коллекторе по отношению к эмиттеру отрицательное напряжение порядка нескольких вольт. В эту же цепь, именуемую коллекторной, включена нагрузка Rw которой может быть телефон или иной прибор — в зависимости от назначения усилителя.
Если база ни с чем не будет соединена, в коллекторной цепи появится очень слабый ток (десятые доли миллиампера), так как при такой полярности включения батареи Бк сопротивление коллекторного р-п перехода окажется очень большим; для коллекторного перехода это будет обратный ток. Ток коллекторной цепи /к резко возрастает, если между базой и эмиттером включить элемент смещения Бс, подав на базу по отношению к эмиттеру небольшое, хотя *бы десятую долю вольта, отрицательное напряжение. Вот что при этом произойдет. При таком включении элемента Бс (имеется в виду, что зажимы для подключения источника усиливаемого сигнала, обозначенного на схеме знаком «^» — синусоидой, соединены накоротко) в этой новой цепи, называемой цепью базы, пойдет некоторый прямой ток /б; как и в диоде, дыртси в эмиттере и электроны в базе будут двигаться встречно и нейтрализоваться, обусловливая ток через эмиттерный переход.
Но судьба большей части дырок, вводимых из эмиттера в базу, иная, нежели исчезнуть при встрече с электронами. Дело в том, что при изготовлении транзисторов структуры р-п-р насыщенность дырок в эмиттере (и коллекторе) делают всегда большей, чем насыщенность электронов в базе. Благодаря этому только небольшая часть дырок (меньше 10%), встретившись с электронами, исчезает. Основная же масса дырок свободно проходит в базу, попадает под более высокое отрицательное напряжение на коллекторе, входит в коллектор и в общем потоке с его дырками перемещается к его отрицательному контакту. Здесь они нейтрализуются встречными электронами, вводимыми в коллектор отрицательным полюсом батареи Бк. В результате сопротивление всей коллекторной цепи уменьшается и в ней течет ток, во много раз превышающий обратный ток коллекторного перехода. Чем больше отрицательное напряжение на базе, тем больше дырок вводится из эмиттера в базу, тем значительнее ток коллекторной цепи. И, наоборот, чем меньше отрицательное напряжение на базе, тем меньше и ток коллекторной цепи транзистора.
А если в цепь базы последовательно с источником постоянного напряжения, питающего эту цепь, вводить переменный электрический сигнал? Транзистор усилит его.
Процесс усиления в общих чертах происходит следующим образом. При отсутствии напряжения сигнала в цепях базы и коллектора текут токи некоторой величины (участка Оа на графиках на рис. 93), определяемые напряжениями батарей и свойствами транзистора. Как только в цепи базы появляется сигнал, соответственно ему начинают изменяться и токи в цепях транзистора: во время отрицательных полупериодов, когда суммарное отрицательное напряжение на базе возрастает, токи цепей увеличиваются, а во время положительных полупериодов, когда напряжения сигнала и элемента Бс противоположны и, следовательно, отрицательное напряжение на базе уменьшается, токи в обеих цепях тоже уменьшаются. Происходит усиление по напряжению и току.
Если во входную цепь, т. е. в цепь базы, подан электрический сигнал звуковой частоты, а нагрузкой выходной — коллекторной — цепи будет телефон, он преобразует усиленный сигнал в звук. Если нагрузкой будет резистор, то создающееся на нем напряжение переменной составляющей усиленного сигнала можно будет подать во входную цепъ второго транзистора для дополнительного усиления. Один транзистоо м^жет усилить сигнал в 30 — 50 раз.
Точно так же работают и транзисторы структуры п-р-п, только в них основными носителями тока являются не дырки, а электроны. В связи с этим полярность включения элементов и батарей, питающих цепи базы и коллекторов п-р-п транзисторов, должна быть не такой, как у р-п-р транзисторов, а обратной.
Запомни очень важное обстоятельство: на базу транзистора (относительно эмиттера) вместе с напряжением усиливаемого сигнала обязательно должно подаваться постоянное напряжение, называемое напряжением смещения, открывающее транзистор.
В усилителе по схеме на рис. 93 роль источника напряжения смещения выполняет элемент Бс. Для германиевого транзистора структуры р-п-р оно должно быть отрицательным и составлять 0,1—0,2 В, а для транзистора структуры п-р-п — положительным. Для кремниевых транзисторов напряжение смещения составляет 0,5 —0,7 В. Без начального напряжения смещения эмиттерный р-п переход «срежет», подобно диоду, положительные {р-п-р транзистор) или отрицательные (п-р-п транзистор) полуволны сигнала, отчего усиление будет сопровождаться искажениями. Напряжение смещения на базу не подают лишь в тех случаях, когда эмиттерный переход транзистора используют для детектирования высокочастотного модулированного сигнала.
Обязательно ли для подачи на базу начального напряжения смещения нужен специальный элемент или батарея? Нет, конечно. Для этой цели обычно jic- Лользуют напряжение коллекторной батареи, соединяя базу с этим источником питания через резистор. Сопротивление такого резистора чаще подбирают опытным путем, так как оно зависит от свойств данного транзистора.
В начале этой части беседы я сказал, что биполярный транзистор можно представить себе как два включенных встречно плоскостных диода, совмещенных в одной пластинке полупроводника и имеющих один общий катод, роль которого выполняет база транзистора. В этом нетрудно убедиться на опытах, Для которых тебе потребуется любой бывший в употреблении, но не испорченный германиевый низкочастотный транзистор структуры р-п-р, например МП39 или подобные ему транзисторы МП40 — МП42. Между коллектором и базой транзистора включи последовательно соединенные батарею 3336JI и лампочку от карманного фонаря, рассчитанную на напряжение 2,5 В и ток 0,075 или 0,15 А. Если плюс батареи окажется соединенным (через лампочку) с коллектором, а минус — с базой (рис. 94, д), то лампочка будет гореть. При другой полярности включения батареи (рис. 94,6) лампочка гореть не должна.
Рис. 94. Опыты с транзистором. |
а) |
Ф |
Как объяснить эти явления? Сначала на коллекторный р-п переход ты подавал прямое, т. е. пропускное напряжение. В этом случае коллекторный переход открыт, его сопротивление мало и через него течет прямой ток коллектора /к. Значение этого тока в данном случае определяется в основном сопротивлением нити лампочки и внутренним сопротивлением батареи. При втором включении батареи ее напряжение подавалось на коллекторный переход в обратном, непропускном направлении. В этом случае переход закрыт, его сопротивление велико и через него течет лишь небольшой обратный ток коллектора. У исправного маломощного низкочастотного транзистора обратный ток коллектора /КБо не превышает 30 мкА. Такой ток, естественно, не мог накалить нить лампочки, поэтому она и не горела.
Проведи аналогичный опыт с эмиттерным переходом. Результат будет таким же: при обратном напряжении переход будет закрыт — лампочка не горит, а при прямом напряжении он будет открыт — лампочка горит.
Следующий опыт, иллюстрирующий один из режимов работы транзистора, проводи по схеме, показанной на рис. 95, д. Между эмиттером и коллектором того же транзистора включи последовательно соединенные батарею 3336JI и лампочку накаливания. Положительный полюс батареи должен соединяться с эмиттером, а отрицательный — с коллектором (через нить накала лампочки). Горит лампочка? Нет, не горит. Соедини проволочной перемычкой базу с Эхмит- тером, как показано на схеме штриховой линией. Лампочка, включенная в коллекторную цепь транзистора, тоже не будет гореть. Удали перемычку и вместо нее подключи к этим электродам последовательно соединенные резистор Rq сопротивлением 200 — 300 Ом и один гальванический элемент Эб, наиример типа 332, но так, чтобы минус элемента был на базе, а плюс — на эмиггере. Теперь лампочка должна гореть. Поменяй местами полярность подключения элемента к этим электродам транзистора. В эгом случае лампочка гореть не будет. Повтори несколько раз этот опыт и ты убедишься в том, что лампочка в коллекторной цепи будет гореть только тогда, когда на базе транзистора относительно эмиттера действует отрицательное напряжение.
Разберемся в этих опытах. В первом из них, когда ты, соединив перемычкой базу с эмиттером, замкнул накоротко эмиттерный переход, транзистор стал просто диодом, на который подавалось обратное, закрывающее транзистор напряжение. Через транзистор шел лишь незначительный обратный ток коллекторного перехода, который не мог накалить нить лампочки. В это время транзистор находился в закрытом состоянии. Затем, удалив перемычку, ты восстановил эмиттерный переход. Первым включением элемента между базой и эмит-
Рис. 95. Опыты, иллюстрирующие работу транзистора в режиме переключения (а) и в режиме усиления (6). |
тером ты подал па эмиттерный переход прямое напряжение. Эмиттерный переход открылся, через него пошел прямой ток, который открыл второй переход транзистора — коллекторный. Транзистор оказался открытым и по цепи эмиттер — база — коллектор пошел ток транзистора, который во много раз больше тока цепи эмиттер — база. Он-то и накалил нить лампочки. Когда же ты изменил полярность включения элемента на обратную, то его напряжение закрыло эмиттерный переход, а вместе с тем закрылся и коллекторный переход. При этом ток транзистора почти прекратился (шел только обратный ток коллектора) и лампочка не горела.
В этих опытах транзистор был в одном из двух состояний: открытом или закрытом. Переключение транзистора из одного состояния в другое происходило под действием напряжения на базе С/Б. Такой режим работы транзистора, проиллюстрированный графиками на рис. 95, дг, называют режимом переключения или, что то же самое, ключевым режимом. Такой режим работы транзисторов используют в основном в аппаратуре электронной автоматики.
Какова в этих опытах роль резистора В принципе этого резистора может и не быть. Я же рекомендовал включить его исключительно для того, чтобы ограничить ток в базовой цепи. Иначе через эмиттерный переход пойдет слишком большой прямой ток, в результате чего может произойти тепловой пробой перехода и транзистор выйдет из строя.
Если бы при проведении этих опытов в базовую и коллекторную цепи были включены измерительные приборы, то при закрытом транзисторе токов в его цепях почти не было бы. При открытом же транзисторе ток базы /g был бы не более 2 — 3 мА, а ток коллектора /к составлял 60 — 75 мА. Это означает, что транзистор может быть усилителем тока.
В приемниках и усилителях звуковой частоты транзисторы работают в режиме усиления. Этот режим отличается от режима переключения тем, что, используя малые токи в базовой цепи, мы можем управлять значительно большими токами в коллекторной цепи транзистора.
Иллюстрировать работу транзистора в режиме усиления можно таким опытом (рис. 95,6). В коллекторную цепь транзистора Т включи электромагнитный телефон Тфа между базой и минусом источника питания Б— резистор Re сопротивлением 200 — 250 кОм. Второй телефон Тфt включи между базой и эмиттером через конденсатор связи Сс8 емкостью 0,1 —0,5 мкФ. У тебя получится простейший усилитель, который может выполнять, например, роль одностороннего телефонного аппарата. Если твой приятель будет негромко говорить перед телефоном, включенным на вход усилителя, его разговор ты будешь слышать в телефонах, включенных на выходе усилителя.
Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 21 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |