р—n-переход (n—р-переход, электронно-дырочный переход), переходная область между двумя частями одного полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n-типа), а другая — дырочную

р —n -переход (n—р-переход, электронно-дырочный переход), переходная область между двумя частями одного полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n -типа), а другая — дырочную (р -типа). В области р—n -перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из п- в р -область, а дырок обратно, что обеспечивает выпрямляющие свойства р—п-перехода.

Является основой многих полупроводниковых приборов. По конструкции электронно-дырочные переходы могут быть симметричные и несимметричные, резкими и плавными, плоскостными и точечными и др. Однако для всех типов переходов основным свойством является несимметричная электропроводность, при которой в одном направлении кристалл пропускает ток, а в другом - не пропускает. Устройство электронно-дырочного перехода показано на рис 1. Одна часть этого перехода легирована донорной примесью и имеет электронную проводимость (N-область). Другая часть, легированная акцепторной примесью, имеет дырочную проводимость (Р-область). Концентрация электронов в одной части и концентрация дырок в другой существенно различаются. Кроме того, в обеих частях имеется небольшая концентрация неосновных носителей.

Дата добавления: 2015-09-30