3) эффекта де Гааза — Ван Альфена
4) взаимодействия акустических волн с электронами
89. Метод, определяющий меру поглощения электромагнитных волн на поверхности металла – это метод…
1) эффекта де о — о Альфена 2) взаимодействия акустических волн с электронами 3) аномального скин-эффекта 4) электронной удельной теплоемкости 5) магнитосопротивления
90. Поверхность Ферми в k – пространстве представляет собой…
1) сферу 2) куб 3) эллипсоид 4) плоскость
91. На рис. представлен график функции плотности состояний для…
1) металла
2) диэлектрика
3) полупроводника
4) аморфной структуры
92. Фиктивная заряженную частицу, являющуюся зеркальным отображением электрона и обладающая массой и зарядом, противоположными по знаку массе и заряду электрона, находящегося вблизи потолка зоны называется…
1) дыркой 2) позитроном 3) частицей с эффективной массой электрона
4) электроном на донорном уровне
93. Наиболее важной особенностью металлов является то, что в них валентная зона…
1) не полностью заполнена электронами
2) полностью заполнена электронами 3) полностью свободная
4) зона проводимости полностью заполнена электронами
94. Металлы непрозрачны для электромагнитного излучения…
1) всех длин волн вплоть до дальнего ультрафиолета
2) только видимой области света 3) только радиодиапазона
4) только видимой области света и инфракрасного излучения
95. Металлы…
1) хорошо отражают электромагнитное излучение 2) плохо отражают электромагнитное излучение 3) хорошо отражают электромагнитное излучение только в видимой области спектра 4) хорошо отражают электромагнитное излучение только в инфракрасной области спектра
96. Абсолютный показатель преломления среды определяется взаимодействием излучения со связанными электронами оболочек ионов…
1) в металлах 2) в полупроводниках
3) в диэлектриках 4) во всех типах твердых тел
97. Абсолютный показатель преломления для электромагнитной волны зависит от поведения электронов в распределении Ферми…
1) в металлах 2) в полупроводниках
3) в диэлектриках 4) во всех типах твердых тел
98. Если за время, равное периоду волны, электрон испытает много столкновений с ионами решетки, то полученный им избыток кинетической энергии рассеется в виде тепла, а электромагнитная волна поглотится кристаллом. Этот случай относится ко всем…
1) металлам в оптической области частот 2) диэлектрикам в оптической области частот 3) полупроводникам в оптической области частот
4) твердым телам в оптической области частот
99. Если вероятность столкновения электрона с ионом решето за время, равное периоду волны, очень мала, то приобретенная электроном энергия вновь перейдет в излучение. Рассеяние энергии…
1) не произойдет, и кристалл будет прозрачным для излучения
2) не произойдет, и кристалл будет не прозрачным для излучения.
3) произойдет, и кристалл будет прозрачным для излучения
4) произойдет, и кристалл будет не прозрачным для излучения
100. Щелочноземельные металлы характеризуются перекрыванием…
1) s- и p- зон 2) s- и d- зон 3) p- и d- зон 4) d- и f- зон
101. Переходные металлы характеризуются перекрыванием (2)
1) s- и p- зон 2) s- и d- зон 3) p- и d- зон 4) d- и f- зон
102. Работа, необходимая для разъединения твердого тела на отдельные нейтральные атомы, есть…
1) энергия связи 2) трансляционная энергия
3) энергия Ферми 4) кинетическая и потенциальная энергия атома
103. Силы связи, которые обусловлены валентными электронами и эти электроны занимают в твердом теле более низкие энергетические уровни, чем те же электроны в свободном атоме осуществляются…
1) в металлах 2) в полупроводниках 3) в диэлектриках
4) во всех твердых телах.
104. Энергия связи представляет собой разность между энергией…
1) свободного атома и средней энергией атома в твердом теле
2) возбужденного атома и средней энергией атома в твердом теле
3) свободного атома и энергией свободного атома в твердом теле
4) валентного электрона и свободного атома
105. К ионным кристаллам относятся…
1) только чистые элементы 2) неорганические соединения
3) органические соединения 4) любые кристаллические вещества
106. Электропроводности ионных кристаллов при повышении температуры…
1) увеличивается 2) уменьшается 3) остается неизменной
4) зависит от типа кристалла
107. В ионных кристаллах электроны в заполненных оболочках обоих типов ионов…
1) сильно связаны и не могут перемещаться под действием внешнего электрического поля 2) слабо связаны и могут перемещаться под действием электрического внешнего поля 3) величина связи электронов зависит от типа кристалла 4) слабо связаны и могут перемещаться под действием магнитного поля
108. Носителями тока в ионных кристаллах является…
1) ионы 2) электроны проводимости 3) дырки 4) ионы и электроны
109. Природа процесса проводимости в ионных кристаллах является…
1) диффузионной 2) ионной 3) электронной 4) ионно – электронной
110. На рис. приведен график частотной зависимости поглощения электромагнитного излучения в ионных кристаллах. Основная частота поглощения находится в…
1) ультрафиолетовой области спектра
2) инфракрасной области спектра
3) видимой области спектра
4) радиоволновой области спектра
111. На рис. приведен график частотной зависимости поглощения электромагнитного излучения в ионных кристаллах. Максимум при наименьшей частоте (левый) обусловлен…
1) колебаниями самих ионов, возникающими под действием сил электрического поля электромагнитной волны 2) перемещениями самих ионов, возникающими под действием сил электрического поля электромагнитной волны 3) возбуждениями самих ионов, возникающими под действием сил электрического поля электромагнитной волны 4) ионизацией самих ионов, возникающей под действием сил электрического поля электромагнитной волны
112. Полосы примесного поглощения встречаются обычно в…
1) видимой области спектра. 2) ультрафиолетовой области спектра
3) инфракрасной области спектр 4) любой области спектра
113. На рис. приведен график частотной зависимости поглощения электромагнитного излучения в ионных кристаллах. Экситонный пик на склоне кривой поглощения в области основной частоты всегда связан с процессами поглощения основного типа. Этот пик соответствует…
1) возбуждению электронов на дискретные уровни
2) переходу электронов в зону проводимости
3) электромагнитному излучению
4) электромагнитному поглощению
114. Энергетические уровни, связанные с наличием примесей, дефектов и экситонов, образуют полосы в…
1)запрещенной зоне 2)валентной зоне 3)зоне проводимости 4)в любой зоне
115. Сила притяжения в ионных кристаллах между ионами – это сила…
1) кулоновская 2) связи между электронными оболочками
3) связи между валентными электронами 4) химического взаимодействия
116. Силы отталкивания в ионных кристаллах между ионами – это…
1) кулоновские силы 2) силы между электронными оболочками
3) силы между валентными электронами 4) ядерные силы
117. Для связей в органических соединениях ковалентных характерно наличие…
1) спаренных электронов 2) валентных электронов
3) ионов проводимости 4) кулоновских сил
118. Электропроводность ковалентных кристаллов обусловлена чисто…
1) электронными процессами 2) диффузионными процессами
3) ионными процессами 4) дырочными процессами
119. В процессе электропроводности ковалентных кристаллов…
1) происходит перенос вещества 2) никакого переноса вещества не происходит 3) происходит перенос электронов и не происходит переноса ионов 4) происходит перенос ионов и не происходит переноса электронов
120. Твердые тела, в которых электронная конфигурация с малой вероятностью допускает переходы электронов между атомами, являются кристаллами…
1) молекулярными 2) ковалентными
3) ионными 4) металлическими
ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ. ТРЕТИЙ МОДУЛЬ
1. Закон Дюлонга и Пти: молярная теплоемкость всех химически простых тел в кристаллическом состоянии одинакова и равна
1) R 2) 2R 3) 3R 4) 4R
2. Укажите правильную зависимость теплоемкости от температуры по закону Дюлонга и ПТИ.
1) 1 2) 2 3) 3 4) 4
3. Энергия гармонического осциллятора имеет значения
1) 
2) 
3) 
4) 
4. Теплоемкость кристалла по Эйнштейну равна
1) 
2) 
3) 
4) 
5. Укажите правильную зависимость теплоемкости от температуры по теории Эйнштейна
6. Полученное выражение для теплоемкости в теории Эйнштейна стремится к нулю
1) по экспоненциальному закону 2) прямо пропорционально Т2
3) обратно пропорционально Т2 4) прямо пропорционально Т3
7. Колебания атомов в кристаллической решетки не являются независимыми. Смещение одного из атомов из положения равновесия влечет за собой смещения других соседних с ним атомов. Таким образом, кристалл представляет собой систему N упруго связанных друг с другом атомов, обладающую 3N степенями свободы. Этот процесс был учтен в теории
1) Дюлонга и Пти 2) Эйнштейна 3) Дебая 4) Карно
8. Температура, которая указывает для каждого вещества ту область, где становится существенным квантование энергии колебаний, называется характеристической температурой
1) Дюлонга и Пти 2) Эйнштейна 3) Дебая 4) Карно
9. Характеристическая температура Дебая выражается формулой
1) 
2) 
3) 
4) 
10. Полученное выражение для теплоемкости в теории Дебая стремится к нулю
1) по экспоненциальному закону 2) прямо пропорционально Т2
3) обратно пропорционально Т2 4) прямо пропорционально Т3
11. Вклад в теплоемкость вносят только электроны находящиеся (1)
в слое kT вблизи уровня Ферми
ниже уровня Ферми
выше уровня Ферми
на уровне Ферми
12. При температуре Т полная энергия N валентных электронов описывается выражением (1)
1) 
2) 
3) 
4) 
13.Участвовать в теплоемкости могут лишь электроны, которые лежат в слое вблизи уровня Ферми и ведут себя как простой газ с тепловой энергией равной
1) 
2) kT 3) 
4) 
14. Температурная зависимость решеточной и электронной теплоемкостей: электронная часть теплоемкости металла
1) изменяется с температурой линейно, а решеточная — в соответствии с законом Дебая.
2) изменяется с температурой экспоненциально, а решеточная — в соответствии с законом Дебая.
3) изменяется с температурой в соответствии с законом Дебая, а решеточная — линейно.
4) изменяется с температурой линейно, а решеточная — экспоненциально.
15. Относительная величина электронной теплоемкости (по сравнению с теплоемкостью решетки) сильно зависит от температуры. При низких температурах (ниже 5° К)..
1) теплоемкость, обусловленная электронами, больше теплоемкости решетки, а при высоких температурах — значительно меньше.
2) теплоемкость, обусловленная электронами, меньше теплоемкости решетки, а при высоких температурах — значительно больше
3) и при высоких температурах теплоемкость решетки, обусловленная электронами одинакова
16. На рис. приведен график функции Ферми w_(E) для
1) температуры равной 0 К
2) любой температуры выше 0 К
3) температуры равной температуре плавления
4) температуры равной температуре кипения
17. На рис. приведен график функции Ферми w_(E) для
1) температуры равной 0 К
2) любой температуры выше 0 К
3) температуры равной температуре плавления
4) температуры равной температуре кипения
18. Электрическую проводимость обусловливает градиент электрического
1) потенциала 2) сопротивления
3) тока 4) удельного сопротивления
19. Вклад в теплоемкость вносят электроны лежащие вблизи уровня Ферми в слое шириной
1) kT 2) 2kT 3) 3kT 4) kT/2
20. Температура Ферми удовлетворяет условию
1) 
2) 
3) 
4) 
21. При тепловых возбуждениях электроны
1) подчиняются принципу Паули 2) не подчиняются принципу Паули
3) подчиняются принципу Ферми 4) не подчиняются принципу Ферми
22. Зависимость электронной теплоемкости от температуры является
1) линейной 2) экспоненциальной 3) квадратичной 4) кубической
23. Закон Ома устанавливает линейную связь между плотностью тока и
1) напряженностью электрического поля 2) силой тока
3) сопротивлением проводника 4) напряжением в цепи
24. В отсутствие электрического поля никакого результирующего тока в веществе быть не может. Этот факт следует из свойств распределения
1) Ферми 2) Больцмана 3) Максвелла 4) Дирака
5) Бозе – Эйнштейна
25. Закон Ома утверждает, что при данной величине внешнего поля
1) ток ограничен и имеет некоторое постоянное значение, не зависящее от времени 2) ток ограничен, но имеет постоянное значение, зависящее от времени 3) ток не ограничен
4) ток не ограничен и имеет значение зависящее от времени
26. На трансляционное движение валентного электрона
1) не влияет его взаимодействие с идеальной решеткой ионов.
2) влияет его взаимодействие с идеальной решеткой ионов.
3) влияет конфигурация ионной решетки
4) не влияет его взаимодействие с дефектами решетки
27. Электропроводность кристалла определяется выражением
1) 
2) 
3) 
4) 
28. Подвижность носителей заряда в твердом теле определяется выражением
1) 
2) 
3) 
4) 
29. Рассеяние электронов может происходить на различного рода дефектах решетки: 1) на тепловых колебаниях, 2) на примесях 3) на дефектах, связанных с механическими деформациями. Вклады в удельное сопротивление, обусловленные этими причинами, аддитивны. Это правило
1) Маттисена 2) Ферми – Дирака
3) Бозе – Эйнштейна 4) Джоуля – Ленца
30. Правило Маттисена записывается в следующей форме (1)
1) 
2) 
3) 
4) 
31. Разность потенциалов между точками 1 и 2 в эффекте Холла возникает, если вектор индукции внешнего магнитного поля и направление тока через пластину расположены как показано на рисунке
1) 1 2) 2 3) 3 4) 4
32. Измерения эффекта Холла позволяют определить (1)
1. Знак носителей тока. 2. Концентрацию носителей тока
3. Подвижность 4. Электроотрицательность
5. Значение уровня Ферми 6. Величину электронной проводимости
1) 1, 2, 3 2) 4, 5, 6 3) 1, 3, 5 4) 2, 4, 6
33. Полную теплопроводность кристалла, можно представить как
1) 
2) 
3) 
4) 
34. Сверхпроводник является идеальным
1) диамагнетиком 2) парамагнетиком
3) ферромагнетиком 4) ферримагнетиком
35. Теория БШК (Бардина, Купера, Шриффера) базируется на том факте, что при абсолютном нуле непосредственно…………………………. в энергетическом спектре имеется щель (область запрещенных энергий). Вставить пропущенные слова
1) над уровнем Ферми 2) под уровнем Ферми
3) на уровне Ферми 4) вместо уровня Ферми
36. Распределение Ферми целиком смещается электрическим полем из положения, соответствующего k = 0, в новое положение в зоне Бриллюэна в
1) сверхпроводнике 2) полупроводнике 3) проводнике 4) диэлектрике
37. Переход из сверхпроводящего состояния в не сверхпроводящее, в отсутствие магнитного поля, происходящий при возрастании температуры — называется фазовым переходом
1) первого рода 2) второго рода 3) третьего рода 4) четвертого рода
38. Если внешнее поле отсутствует (Е = 0), то на электрон действует
1) только одна кулоновская сила его притяжения к ядру
2) только одна кулоновская сила его отталкивания от ядра
3) кулоновская и центростремительная силы
4) кулоновская и центробежная силы
39. На рисунке укажите правильное направление кулоновской силы
1) 1
2) 2
3) 3
4) 4
40. При действии на атом водорода внешнего электрическое поле (Е ¹ 0), вектор 
напряженности которого, перпендикулярен плоскости орбиты электрона смещении плоскости орбиты электрона определяется по формуле
1) 
2) 
3) 
4) 
41. Диполь, возникающий в атоме водорода, при смещении орбиты электрона под действием внешнего электрического поля называется
1) упругим 2) электромагнитным 3) водородным 4) не упругим
42. Способность атомов, ионов или молекул приобретать дипольный электрический момент во внешнем электрическом поле называется
1) поляризуемостью 2) поляризацией
3) восприимчивостью 4) электризацией
43. Поляризуемость неполярной молекулы зависит только от
1) ее объема 2) напряженности внешнего электрического поля
3) заряда ядра 4) электропроводности материала
44. На рисунке приведена схема
1) электронной поляризации
2) ориентационной поляризации
3) ионной поляризации
4) дипольной поляризации
45. На рисунке приведена схема
1) электронной поляризации
2) ориентационной поляризации
3) ионной поляризации
4) дипольной поляризации
46. Физическая величина численно равная отношению дипольного электрического момента малого объёма DV диэлектрика к величине этого объёма называется
1) вектором поляризации 2) диполем
3) вектором ориентации 4) вектором диполя
47. Укажите правильную зависимость диэлектрической восприимчивости от температуры для полярных молекул
1) 1
2) 2
3) 3
4) 4
44. Укажите правильную зависимость зависимость диэлектрической восприимчивости от температуры для не полярных молекул
1) 1
2) 2
3) 3
4) 4
45. Связь между поверхностной плотностью поляризационных зарядов и числовым значением вектора поляризации диэлектрика выражается формулой
1) 
2) 
3) 
4) 
46. Поток вектора электрического смещения сквозь произвольную замкнутую поверхность равен сумме свободных и связанных зарядов, охватываемых этой поверхностью. Это теорема Остроградского – Гаусса для поля в
1) веществе 2) вакууме 3) сегнетоэлектрике 4) пьезоэлектрике
47. Вещества, в которых имеется спонтанная поляризация, называются
1) пироэлектриками 2) диэлектриками
3) пьезоэлектриками 4) ферритами
48. На рисунке приведена зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля в веществе для
1) сегнетоэлектриков
2) пьезоэлектриков
3) щелочногалоидных кристаллов
4) ионных кристаллов
49. На рисунке приведена зависимость диэлектрической восприимчивости от напряженности электрического поля в веществе для
1) сегнетоэлектриков
2) пьезоэлектриков
3) щелочногалоидных кристаллов
4) ионных кристаллов
50. Спонтанная ориентация дипольных моментов, ведущая к образованию доменов, происходит у сегнетоэлектриков
1) в определенном температурном интервале между верхней и нижней точками Кюри 2) ниже верхней точки Кюри
3) выше нижней точки Кюри 4) только в точках Кюри
51. Вариконды – это
1) конденсаторы с управляемой емкостью
2) конденсаторы с изменяемым диэлектриком между обкладками
3) резисторы с переменным сопротивлением
4) подстроечные резисторы
52. Диэлектрики, в которых соседние диполи ориентированы в противоположные стороны, вследствие чего спонтанная поляризация макроскопических объемов отсутствует называются
1) сегнетоэлектриками 2) антисегнетоэлектриками
3) пьезоэлектриками 4) антипьезоэлектриками
53. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поляризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - охлаждением расплава в электрическом поле, называются
1) электретами 2) сегнетоэлектриками
3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками
54. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поляризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - освещением или облучением в электрическом поле, называются
1) электретами 2) сегнетоэлектриками
3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками
55. Вещества, которые не обладают равновесной спонтанной поляризацией, но в которых можно создать неравновесную, существующую достаточно долго (метастабильную) поляризацию - механической деформацией или трением, называются
1) электретами 2) сегнетоэлектриками
3) пьезоэлектриками 4) ферроэлектриками
56. Главная ось кристалла пьезоэлектрика называется
1) оптической 2) электрической
3) пьезоэлектрической 4) диэлектрической
57. Плоскопараллельная пластина пьезоэлектрика вырезана таким образом, что ее ребро d (толщина) направлено параллельно электрической оси Х. Сжатие вдоль оси X вызывает появление разноименных зарядов на обеих гранях, нормальных к оси X. Это –
1) продольный прямой пьезоэлектрический эффект
2) продольный обратный пьезоэлектрический эффект
3) поперечный прямой пьезоэлектрический эффект
4) поперечный обратный пьезоэлектрический эффект
58. Плоскопараллельная пластина пьезоэлектрика вырезана таким образом, что ее ребро d (толщина) направлено параллельно электрической оси Х, а ребро ℓ (длина) – параллельно оси Y, перпендикулярной осям Х и Z. Растяжение вдоль оси Y вызывает появление разноименных зарядов на. обеих гранях, нормальных к оси X. Это –
1(продольный прямой пьезоэлектрический эффект
2) продольный обратный пьезоэлектрический эффект
3) поперечный прямой пьезоэлектрический эффект
4) поперечный обратный пьезоэлектрический эффект
59. В кристаллах, содержащих разновалентные ионы одного и того же элемента, например ионы F3+ и Fe2+, имеет место и часто является доминирующим механизм проводимости, называемый механизмом
Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 63 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |