Тестовые задания. Первый модуль 1 страница

ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ. ПЕРВЫЙ МОДУЛЬ

1. Тело, состоящее из частиц, расположенных в пространственной решетке так, что можно ввести три неком­планарных вектора элементарных трансляций (перемещений) - это…

1) монокристалл 2) поликристалл 3) квазикристалл 4) фуллерен

2. Свойством инвариантности относительно смещения обладает…

1) идеальный монокристалл 2) монокристалл с дефектами

3) поликристалл 4) квазикристалл

3. Трансляционная симметрия в идеальном монокристалле эквивалентна…

1) существованию дальнего порядка в расположении частиц

2) существованию ближнего порядка в расположении частиц

3) перемещению частиц в поликристалле

4) перемещению частиц в жидком кристалле

4. Семейство шарообразных замкнутых полых молекул углерода разных размеров – это…

1) фуллерены 2) жидкие кристаллы 3) кластеры 4) квазикристаллы

5. Объединение нескольких однородных элементов, которое может рассматриваться как самостоятельная единица, обладающая определенными свойствами – это…

1) кластер 2) фуллерен 3) поликристалл 4) квазикристалл

6. Стеклообразное состояние вещества – это состояние…

1) аморфное 2) поликристаллическое 3) квазикристаллическое

4) жидкокристаллическое

7. 1. Расстояние между молекулами газа при невысоких давлениях много больше радиусов самих молекул. 2. Средняя кинетическая энергия частиц определяется абсолютной темпе­ратурой Т и равна . Эта энергия больше потенциальной энергии их взаимодействия U. 3. Частицы сталкиваются при их поступательном движении, причем частота столкновений зависит от массы частиц, их размеров и температуры. 4. Диффузия частиц происходит в результате их поступательного дви­жению.

Эти понятия относятся к…

1) газу 2) жидкости 3) твердому телу 4) жидкому кристаллу

8. 1. Большая часть объема занята молекулами, так что свободный объем много меньше объема, занятого молекулами. 2. Потенциальная энергия взаимодействия молекул больше средней кинетической энергии их движения. 3. Каждая частица совершает колебательное движение в ограниченной области пространства, которую создают окружающие ее молекулы.

4. Диффузия частиц совершается в результате перескока частицы из одной свободной области в другую. Эти понятия относятся к…

1) газу 2) жидкости 3) твердому телу 4) жидкому кристаллу

9. Форму прямоугольных параллелепипедов с одинако­выми гранями и высокую степень симметрии имеют кристаллы…

1) каменной соли 2) кварца 3) алмаза 4) слюды

10. Самый низкий уровень свободной энергии при низких температурах должны иметь тела…

1) твердые 2) жидкие 3) газообразные 4) аморфные

11. Расположение атомов в совершенном кристалле определяется минимумом энергии и нарушение идеальной симметрии плотноупакованных листов двумерных структур сопровождается погло­щением энергии, отвечает представление о…

1) связях 2) кристаллической структуре

3) симметрии кристалла 4) вариантах упаковки атомов

12. Чтобы перейти от конфигурации «а» к конфигурации «б», атомы должны

приобрести…

1) большую энергию

2) уменьшить свою энергию

3) оставить энергию неизменной

13. Все расположенные в элементарной ячейке кристалла атомы называют.

1) базисом элементарной ячейки кристалла.

2) узлами элементарной ячейки кристалла.

3) химическими элементами элементарной ячейки кристалла.

4) надстройкой элементарной ячейки кристалла.

14. Примитивной элементарной ячейкой называют ячейку…

1) с наименьшим объемом 2) с наименьшим числом атомов

3) с наименьшим числом узлов решетки 4) кубической формы.

15. Две точки с радиус-векторами и , связанные соотношением , где - целые числа, описывают…

1) одну и ту же точку базиса, но в разных элементарных ячейках кристалла 2) одну и ту же точку базиса, но в одинаковых элементарных ячейках кристалла 3) разные точки базиса в разных элементарных ячейках кристалла

4) разные точки базиса в одинаковых элементарных ячейках кристалла.

16. (111) – это обозначение…

1) кристаллических плоскостей 2) направлений в кристаллической решетке 3) семейства направлений в кристаллической решетке 4) граней в кристаллической решетке

17. [111]– это обозначение…

1) кристаллических плоскостей 2) направлений в кристаллической решетке 3) семейства направлений в кристаллической решетке 4) граней в кристаллической решетке

18. á111ñ – это обозначение…

1) кристаллических плоскостей 2) направлений в кристаллической решетке 3) семейства направлений в кристаллической решетке 4) граней в кристаллической решетке

19. Три плоскости симметрии, параллельные граням, шесть диагональных плоскостей симметрии, перпендикулярных диагоналям граней, три оси четвертого порядка, шесть осей второго порядка, четыре оси третьего порядка и центр симметрии в центре имеет решетка…

1) кубическая 2) моноклинная 3) триклинная 4) тетрагональная

20. На рис. приведена решетка типа…

1) триклинная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

21. На рис. приведена решетка типа…

1) триклинная базоцентрированная

2) моноклинная базоцентрированная

3) ромбическая базоцентрированная

4) тетрагональная базоцентрированная

22. На рис. приведена решетка типа…

1) триклинная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

23. На рис. приведена решетка типа...

1) триклинная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

24. На рис. приведена решетка типа…

1) триклинная базоцентрированная

2) моноклинная базоцентрированная

3) ромбическая базоцентрированная

4) тетрагональная базоцентрированная

25. На рис. приведена решетка типа...

1) триклинная объемоцентрированная 2) моноклинная объемоцентрированная 3) ромбическая объемоцентрированная

4) тетрагональная объемоцентрированная

26. На рис. приведена решетка типа..

1) триклинная гранецентрированная 2) моноклинная гранецентрированная 3) ромбическая гранецентрированная

4)тетрагональная гранецентрированная

27. На рис. приведена решетка типа...

1) триклинная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

28. На рис. приведена решетка типа…

1) триклинная объемоцентрированная

2) моноклинная объемоцентрированная

3)· ромбическая объемоцентрированная

4) тетрагональная объемоцентрированная

29. На рис. приведена решетка типа…

1) гексагональная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

30. На рис. приведены элементарные ячейки…

1) гексагональной решетки

2) тетрагональной решетки

3) ромбической решетки

4) моноклинной решетки

31. На рис. приведена решетка типа…

1) тригональная простая

2) моноклинная простая

3) ромбическая простая

4) тетрагональная простая

32. Направление [111] параллельно…

1) пространственной диагонали куба 2) диагонали нижнего основания куба

3) боковой грани куба 4) верхней грани куба 5) ребру куба

33. Направление [100] параллельно (1)

1) пространственной диагонали куба 2) диагонали нижнего основания куба

3) боковой грани куба 4) верхней грани куба 5) ребру куба

34. На рис. приведена плоскость…

1) (100) 2) (200) 3) 4) (110) 5) (220)

35. На рис. приведена плоскость…

1) (100) 2) (200) 3) 4) (110) 5) (220)

36. На рис. приведена плоскость…

1) (100) 2) (200) 3) 4) (110) 5) (220)

37. На рис. приведена плоскость…

1) (100) 2) (200) 3) 4) (110) 5) (220)

38. На рис. приведена плоскость…

1) (100) 2) (200) 3) 4) (110) 5) (220)

39. На рис. приведенная элементарная ячейка…

1) ГЦК решетки

2) ОЦК решетки

3) БЦК решетки

4) ВЦК решетки

40. Характером сил связи в кристаллах и энергетической структурой определяется…

1) влияние дефектов на физические свой­ства кристаллов

2) форма кристаллической решетки кристаллов

3) распределение атомов в узлах кристаллической решетки кристаллов

4) тип дефекта в кристалле

41. Локальное нарушение кристаллической структуры, раз­меры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими (немногими) межатомными расстояниями – это дефект…

1) точечный 2) линейный 3) поверхностный 4) объемный

42. Точечные дефекты в ионных и ковалентных кристаллах…

1) могут быть как электрически нейтральны, так и иметь заряд.

2) только электрически нейтральные

3) электрически заряженные

43. Установите соответствие между точечными дефектами

1) вакансия;

2) межузельный атом;

3) дефект по Френкелю;

4) примесный атом замещения;

5) примесный атом внедрения;

6) атом замещения большей валентности

44. Атом разместился не в узле кристаллической решетки, а в промежутке между атомами – междоузлии. Это…

1) междоузельный атом 2) дефект по Френкелю

3) атом примеси 4) дефект по Шоттки

45. Вакансия и междоузельный атом возникают парами, в этом случае один из атомов перескакивает из узлового положения в соседнее междоузлие. Это …

1) дефект по Френкелю 2) дефект по Шоттки

3) вакансия с примесным атомом замещения

4) вакансия с примесным атомом внедрения

46. Вероятность образования точечного дефекта вычисляется по формуле Больцмана: . Вставьте недостающую величину…

1) E_v 2) m×v 3) m×g×h 4)

47. Энергия, численно равная энергии необходимой для удаления атома на поверхность кристалла, а затем для перемещения атома с поверхности кристалла в междоузлие необходима для образования…

1) дефект по Френкелю 2) дефект по Шоттки

3) вакансия с примесным атомом замещения

4) вакансия с примесным атомом внедрения

48. Установите соответствие между номером и механизмом диффузии атомов в кристаллах:

1) обмен местами двух соседних атомов;

2) обмен местами нескольких соседних атомов;

3) перескок атома в вакансию;

4) перескоки межузельных атомов в соседние междоузлия

49. Основными механизмами диффузии в твердых телах считают…

1) вакансионный, связанный с перегруппировками атомов вблизи вакансий и межузельный, связанный с перемещениями, как правило, сравнительно мелких атомов по междоузлиям

2) дислокационный, связанный с перегруппировками атомов вблизи дислокации и межузельный, связанный с перемещениями, как правило, сравнительно мелких атомов по междоузлиям

3) вакансионный, связанный с перегруппировками атомов вблизи вакансий и дислокационный, связанный с перемещениями сравнительно мелких атомов по междоузлиям вблизи дислокаций

50. Во всех случаях диффузии атомы должны преодолевать потенциальный барьер, происхождение, которого связано…

1) с квантовыми силами отталкивания, сильно увеличивающимися при сближении атомов. 2) с квантовыми силами притяжения, сильно увеличивающимися при сближении атомов. 3) с квантовыми силами притяжения и отталкивания, сильно увеличивающимися при сближении атомов.

4) с квантовыми силами отталкивания, сильно увеличивающимися при расхождении атомов.

51. Закон диффузии Фика выражается формулой…

1) 2) 3) 4)

52. На рис. представлена схема расположения атомных плоскостей вблизи…

1) краевой дислокации

2) линейной дислокации

3) винтовой дислокации

4) объемной дислокации

53. Укажите правильную зависимость коэффициента диффузии углерода в ОЦК железе от температуры

1) 1

2) 2

3) 3

4) 4

54. Электрон, связанный с вакансией, на месте от­рицательного иона образует…

1) центр окраски 2) вакансионный центр

3) электрон внедрения 4) электрон замещения

55. На рис. представлена схема расположения атомов вблизи…

1) краевой дислокации

2) линейной дислокации

3) винтовой дислокации

4) объемной дислокации

56. На рис. представлена схема зарождения и перемещения…

1) краевой дислокации

2) линейной дислокации

3) винтовой дислокации

4) объемной дислокации

57. На рис. представлена схема зарождения и перемещения…

1) краевой дислокации

2) линейной дислокации

3) винтовой дислокации

4) объемной дислокации

58. На представленном рис. вектор смещения «левой» части кристалла относительно «правой» является вектором Бюргерса (1)

1) винтовой дислокации

2) краевой дислокации

3) линейной дислокации

4) объемной дислокации

59. Метод, основанного на измерении интенсивности аномального прохождения рентгеновского излучения через совершенный кристалл или же дифракционного отражения от совершенного монокристалла – это метод…

1) рентгеновской томографии 2) томографии Брэггов

3) рентгеноэлектронной томографии 3) рентгенодифракционной томографии

60. На рис. представлена схема получения изображения дислокации в монокристалле методом…

1) рентгеновской топографии

2) томографии Брэггов

3) рентгеноэлектронной томографии

4) рентгенодифракционной томографии

61. В результате теплового движения дислокация…

1) не может зародиться 2) может зародиться

3) может зародиться только при температуре плавления

4) может зародиться только при низких температурах

62. Своеобразными каналами облегченной диффузии являются участки кристалла с…

1) растянутой кристаллической решеткой вблизи дислокации

2) сжатой кристаллической решеткой вблизи дислокации

3) дефектной кристаллической решеткой вблизи дислокации

4) объемной кристаллической решеткой вблизи дислокации

63. На рис. приведена зависимость напряжения от относительного удлинения при растяжении образца. Величину s, отвечающую точке 1, называют…

1) пределом текучести

2) пределом прочности

3) пределом пластической деформации

4) началом разрушения образца

64. На рис. приведена зависимость напряжения от относительного удлинения при растяжении образца. Величину s, отвечающую точке 2, называют…

1) пределом текучести

2) пределом прочности

3) пределом пластической деформации

4) началом разрушения образца

65. пластическая деформация происходит…

1) вдоль плоскостей скольжения 2) поперек плоскостей скольжения

3) под углом к плоскостям скольжения

4) и вдоль и поперек плоскостей скольжения

66. На рис. приведена схематическая зависимость…

1) предела текучести от плотности дислокаций

2) предела прочности от плотности дислокаций

3) предела пластической деформации от плотности дислокаций

4) начала разрушения образца от плотности дислокаций

67. На рис. приведена схема источника дислокаций…

1) Франка – Рида

2) Френкеля – Рида

3) Франка – Френкеля

4) Френкеля – Шоттки

68. Границы между кристаллическими зернами в поликристаллическом материале – это дефекты…

1) линейные 2) поверхностные 3) объемные 4) точечные

69. Выдержка кристалла при температуре примерно в 2 раза меньшей температуры плавления – это способ уменьшения отрицательного влияния на механические и коррозионные свойства кристаллов…

1) линейных дефектов 2)поверхностных дефектов

3) объемных дефектов 4) точечных дефектов

70. Микровключения других фаз, поры и трещины – это дефекты…

1) линейные 2) поверхностные 3) объемные 4) точечные

71. На рис. представлена схематическое изображение…

1) ионной связи

2) ковалентной связи

3) металлической связи

4) водородной связи

5) флуктуационной связи

72. На рис. приведены зависимости различных типов энергии от расстояния между ионами. Величиной U обозначена…

1) энергия связи

2) потенциал ионизации

3) энергия сродства к электрону

4) когезионная энергия

энергия отталкивания

73. На рис. приведены зависимости различных типов энергии от расстояния между ионами. Величиной U_i обозначена…

1) энергия связи

2) потенциал ионизации

3) энергия сродства к электрону

4) когезионная энергия

энергия отталкивания

74. На рис. приведены зависимости различных типов энергии от расстояния между ионами. Величиной U_C обозначена…

1) энергия связи

2) потенциал ионизации

3) энергия сродства к электрону

4) когезионная энергия

энергия отталкивания

75. На рис. приведены зависимости различных типов энергии от расстояния между ионами. Величиной U_r обозначена…

1) энергия связи

2) потенциал ионизации

3) энергия сродства к электрону

4) когезионная энергия

энергия отталкивания

76. На рис. приведены зависимости различных типов энергии от расстояния между ионами. Абсолютная величина энергии связи при r = r₀ называется…

1) потенциалом ионизации

2) энергией сродства к электрону

3) когезионной энергия

энергией отталкивания

77. Связь, обусловленная образованием локализованных сгущений электронной плотности при обобществлении внешних электронов сосед­них атомов, орбиты которых перекрываются – это…

1) ионная связь 2) ковалентная связь 3) металлическая связь

4) водородная связь 5) флуктуационная связь

78. На рис. представлена схематическое изображение…

1) ионной связи

2) ковалентной связи

3) металлической связи

4) водородной связи

5) флуктуационной связи

79. При ковалентной связи в молекуле метана СН₄ атом углерода с электронной конфигурацией 1s²2s²2p² окружен ………….. атомами во­дорода с электронной конфигурацией 1s¹. Вставьте пропущенное слово…

1) двумя 2) тремя 3) четырьмя 4) пятью

80. На рис. ковалентной связи в молекуле метана изображено…

1) образование «связей» в результате обобществления двух соседних атомов

2) сгущения электронной плотности

3) четыре гибридизированных 2s² и 2р² электрона угле­рода

4) четыре гибридизированных 2s и 2р электрона угле­рода

81. В двухатомных полупровод­никовых кристаллах GaAs, InSb, которые имеют структуру цинковой обманки набольшую роль играет связь…

1) ионная 2) ковалентная 3) металлическая

4) водородная 5) флуктуационная

82. Связь осуществляется коллек­тивизированными электронами, но принадлежащими не соседним ато­мам, а всему кристаллу – это связь…

1) ионная 2) ковалентная 3) металлическая 4) водородная

83. Связь, которая осуществляется в результате кулоновского взаимодей­ствия протона с «дополнительными» отрицательными иона­ми азота, иислорода или фтора – это…

1) ионная 2) ковалентная 3) металлическая 4) водородная

84. На рис. представлена схематическое изображение…

1) ионной связи

2) ковалентной связи

3) металлической связи

4) водородной связи

5) флуктуационной связи

85. Связь, которая реализуется в кристаллах, состоящих из моле­кул 0₂, N₂ и некоторых других, и в кристаллах, состоящих из атомов инертных элементов – это…

1) ионная 2) ковалентная 3) металлическая 4) водородная

86. Все механизмы связи обусловлены взаимодействием …

1) кулоновским 2) гравитационным 3) молекулярным 4) кварковым

87. Свойство упорядоченной системы, соответствующая некоторому закону периодичности, обладает строгой корреляцией в расположении как близких, так и сколь угодно удаленных друг от друга частиц называется…

1) ближним порядком 2) дальним порядком

3) аморфным порядком 4) стеклообразующим порядком

88. Конденсированная система с дальним порядком представляет собой…

1) идеальный кристалл 2) поликристалл

3) квазикристалл 4) жидкий кристалл

89. Их существование обнаружено в 1984 году в сплаве алюминия (Аl) и марган­ца (Мn), полученном быстрым (1000 К в 1 мс) охлаждением расплава. Это –

1) поликристаллы 2) квазикристаллы

3) двумерные квазиплоские системы 4) фуллерены

90.Наиболее распространенное в природе состояние вещества – это…

1) поликристаллы 2) квазикристаллы

3) монокристаллы с дефектами 4) идеальные монокристаллы.

91. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости…

1) (010) 2) (001) 3) (101) 4) (011) 5) (111)

6) (121)

92. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости…

1) (010) 2) (001) 3) (101)

4) (011) 5) (111) 6) (121)

93. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости…

1) (010) 2) (001) 3) (101)

4) (011) 5) (111) 6) (121)

94. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости (4)

1) (010) 2) (001) 3) (101)

4) (011) 5) (111) 6) (121)

95. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости…

1) (010) 2) (001) 3) (101)

4) (011) 5) (111) 6) (121)

96. На рис. приведен один из типов основных плоскостей в кубической решетки. Это плоскости…

Дата добавления: 2015-08-29