Скорость дрейфа

V_др,ср = (q/m) E = mE (3.11)

q – заряд электрона;

m – масса электрона;

E – напряженность электрического поля

Коэффицент пропорциональности m называется подвижностью электронов,

т. е. подвижность - величина, чис­ленно равная средней скорости их направленного движения в электрическом поле с напряженностью, равной 1В/м.

п/п	Ge	Si	GaAs	SiC
mn [м^2/в.с]	0.39	0.13		0.02-0.1
mp [м^2/в.с]	0.19	0.05	0.04	5.10^-4

Во всех практически используемых п/п при Т=300К подвижность падает с ростом поля, в сильных полях m ~1/E, т.е Vдрейф~ const~5.10⁴ м/сек (Е~5кВ/см)

пример: U=1B; L=100нм (100 10^-9м); тогда E= 10 кВ/см) [E=U/L]

Рис.3.6 Зависимость дрейфовой скорости от напряженности электрического поля

В результате дрейфа электронов в полупроводнике появляется электронная составляющая плотности дрейфового тока (А/м²), которую запишем на основании закона Ома:

J_{n др} = qnm_nE (3.12)

q - заряд электрона. n –концентрация электронов в п/п.

Аналогично, дырочная составляющая плотности дрейфового тока

J_{P др} = qpm_PE (3.13)

Полная плотность дрейфового тока при наличии свободных электронов и дырок равна сумме электронной и дырочной со­ставляющих:

J _др = qnm_nE + qpm_PE (3.14)

n, p – концентрации свободных носителей.

Закон Ома в дифференциальной форме:

плотность тока ~ напряженность эл. поля *удельную проводимость (s-коэффициент)

J = s E = (1/r) E (3.15)

Сравнивая (3.15) и (3.12, 3.13), тогда удельная проводимость

s = m_nqn + m_pqp (3.16)

Ток c плотностью J через площадку S равен

I = JS (3.17)

Дата добавления: 2015-07-25