Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Примесные полупроводники

Собственные полупроводники. Концентрация носителей заряда в полупроводниках. | Скорость дрейфа | Диффузия носителей заряда |


Читайте также:
  1. Закон сохранения электрического заряда. Проводники, диэлектрики, полупроводники.
  2. Полупроводники
  3. Полупроводники. Диоды и транзисторы
  4. ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
  5. СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
  6. Собственные полупроводники. Концентрация носителей заряда в полупроводниках.

Большинство полупроводниковых приборов изготовляют на осно­ве примесных полупроводников.

Кристаллы полупроводников неизбежно в реальных условиях обладают определенным количеством посторонней примеси, даже если требуется получить материал очень высокой степени чистоты.

Примеси также специально вводятся во время роста кристаллов с целью получить полупроводник с заданными электрическими свойствами, при изготовлении приборных структур. Такие полупроводники называются легированными или примесными.

 

Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.

ДОНОР - это примесный атом или дефект кристаллической решетки, способный в возбужденном состоянии отдать электрон в зону проводимости.

АКЦЕПТОР - это примесный атом или дефект кристаллической решетки, свободный от электрона в невозбужденном состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны в возбужденном состоянии.

 

 

Рис.3.3. Донорная 5-и валентная (As, Sb) и акцепторная 3-х валентная (In, B) примеси

 

При небольшой концентрации примесей (~1 на 10 6) их атомы расположены в полупроводнике на таких больших расстояниях друг от друга, что не взаимодействуют между собой.

Вероятность непосредст­венного перехода электронов от одного примесного атома к дру­гому ничтожно мала, т. е. с точки зрения зонной теории не происходит расщепления примесных уровней.

 

Атомы примеси, отличаясь от атомов основного кристалла валентностью, создают уровни разрешенных энергий электронов в запрещенной зоне, которые либо могут поставлять электроны в зону проводимости, либо принимать на себя электроны из валентной зоны

 

 

Рис.3.4 Зонные диаграммы примесных полупроводников

Доноры и акцепторы имеют энергетические уровни в запрещенной зоне собственного п/п.

 

Энергиия ионизации донора минимальная энер­гия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донорном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости.

 

Энергия ионизации акцептора — это минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы перевести его на акцепторный уровень.

 

Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ши­рины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возник­шие из-за ионизации примесей.

 

Если электропроводность полу­проводника обусловлена электронами, его называют полупро­водником n-типа, если электропроводность обусловлена дыр­ками — полупроводником р-типа.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 72 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
О чистоте п/п материалов| Температурная зависимость концентрации носителей п/п.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)