Читайте также:
|
Из рисунка видно, что можно определить энергии активации примеси Ед. От температуры истощения примеси Тs до температуры перехода к собственной проводимости Тi. В этой области концентрация носителей постояннa и равнa концентрации примеси: п = Nпр.; температурная зависимость проводимости определяется температурной зависимостью подвижности.
Из рис. 7.9, б видно, что с увеличением концентрации примеси угол наклона участка примесной проводимости уменьшается. У вырожденных полупроводников концентрация почти не зависит от температуры.
От точки Тs (участок истощения примеси) проявляется зависимость подвижности от температуры. Основным механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых колебаниях решетки, для которого характерно уменьшение подвижности с ростом температуры; проводимость на этом участке будет падать (рис. 7.9, а). В областисобственной проводимости для ơ имеет место формула
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 87 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Германия и кремния | | | В полулогарифмическом масштабе график – прямая линия По наклону этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны Еg. |