Для невырожденного газа

Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла. | ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации | Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | В области низких температур | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. | ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ |

Читайте также:

(7.19)

Для вырожденного газа

(7.20)

Подвижность носителей заряда в области низких температур, обусловленная рассеянием на ионизированных примесях, пропорциональна Т3/2для полупроводников с невырожденным газом и не зависит от Т для полупроводников с вырожденным газом.

Рис. 7.5. Температурная зависимость подвижности носителей: с повышением концентрации примеси максимум кривой u(Т) смещается в сторону высоких температур

Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 77 | Нарушение авторских прав

<== предыдущая страница	\|	следующая страница ==>
Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур.	\|	В области высоких температур u и ơ электронов обратно пропорциональны Т.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)