Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Общие сведения и классификация полупроводниковых материалов

Читайте также:
  1. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  2. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  3. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  4. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  5. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  6. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  7. I. Общие сведения

Большая группа материалов с электронной п и дырочной р про­водимостью, удельное сопротивление р которых при температуре 20 °С больше, чем у проводников, но меньше, чем у диэлектриков, относится к полупроводникам (табл. 8.1). С точки зрения зонной теории твердого тела, к полупроводникам относятся те материалы, ширина запрещенной зоны (33) которых имеет величину в пределах от 0,05 до 3 эВ.

Таблица 8.1 Удельное электрическое сопротивление электротехнических материалов различных классов при 20 °С и постоянном напряжении
Класс материала Удельное элек­трическое сопро­тивление р, Ом-м Ширина 33, эВ Знак ТКр в широ­ком интервале тем­пературы Тип электропро­водности
Проводники Полупроводники Диэлектрики Ю-8—Ю-5 10"6-10+8 107-1018 0,05-3 Более 3 Положительный Отрицательный » Электронный Электронный и дырочный Ионный, электронный и электрофоре- тический

 

Электрофизические характеристики полупроводниковых мате­риалов зависят не только от их природы, но и от интенсивности внешнего энергетического воздействия, природы и концентрации легирующей примеси — примеси, которую специально вводят в по­лупроводниковый материал для создания определенного типа и ве­личины электропроводности. Полупроводниковый материал, ис­пользуемый для изготовления приборов, должен иметь очень высокую степень чистоты. Например, содержание случайных при­месей в кремнии Si не должно превышать МО"11 %, германии Ge — 510"9%, селене Se — 810"3%, а для синтеза полупроводниковых соединений применяют Se с содержанием примесей не более 10~5—10~6 %. Высокая степень чистоты полупроводниковых материа­лов достигается путем применения специальных технологий.

Управляемость удельной электропроводностью полупроводниковых материалов посредством температуры, света, электрического поля, механического напряжения положена в основу принципа действия соот­ветствующих приборов: терморезисторов, фоторезисторов, нелинейных резисторов (варисторов), тензорезисторов и т.д.

Наличие двух или более взаимно связанных /ья-переходов обра­зуют управляемые системы — кристаллические транзисторы и тири­сторы. Полупроводниковые системы широко используют для преоб­разования различных видов энергии в электрическую и наоборот.

Изготовленные из полупроводниковых материалов приборы об­ладают рядом преимуществ: 1) большим сроком службы; 2) малыми габаритами и массой; 3) простотой и надежностью конструкции, большой механической прочностью (не боятся вибрации и ударов); 4) отсутствием цепей накала, что при замене ими электронных ламп приводит к снижению потребления мощности и инерционности.

Классификация полупроводников. Используемые в технике полу­проводниковые материалы подразделяются на три основные группы.

I. Простые полупроводники. Это девять химических элементов (табл. 8.2).

 

Таблица 8.2

Простые полупроводники

Элемент Группа в таблице Менделеева Ширина 33
эВ х10~19 Дж
Бор В III 1,10 1,76
Кремний Si IV 1,12 1,79
Германий Ge IV 0,72 1,15
Фосфор Р V 1,50 2,40
Мышьяк As V 1,20 1,92
Сера S VI 2,50 4,00
Селен Se VI 1,70 2,72
Теллур Те VI 0,36 0,56
Йод J VII 1,25 2,00

Примечание. Свойствами полупроводников обладают некоторые модифика­ции олова (серое) Sn, сурьмы Sb и углерода С.

 

II. Полупроводниковые химические соединения с общими форму­лами:

1) AIVBIV — карбид кремния SiC;

2) AnlBv — различные фосфиды, арсениды, антимониды, например арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP, антимонид индия InSb;

3) А1^ — различные сульфиды, селениды, теллуриды, напри­мер сульфид свинца PbS, селенид ртути HgSe, теллурид кадмия CdTe.

Буквы А и В — химические элементы, а показатель степени (II, III, IV, V, VI) — валентность этих элементов.

К этой группе полупроводников относятся также некоторые ок­сиды металлов, например закись меди Cu20, и соединения сложного химического состава (табл. 8.3), которые в отличие от других облада­ют самой высокой рабочей температурой.

Таблица 8.3 Полупроводниковые материалы сложного состава
Материал Тип электропро­водности Ширина 33, эВ Максимальная рабочая темпера­тура, °С Коэффициент те­плопроводности, Вт/(мК)
Bi0)4Sb16Te3 Р 0,19   1,0
Bi2Te2,7Se03 п 0,20   1,1
AgSbTe2 р 0,30   0,6
Ge0,3^0,7 п 1,10   3,8

 

III. Полупроводниковые комплексы — многофазные материалы с полупроводящей или проводящей фазами, например из карбида кремния, графита и т. п., сцепленных глинистой, стеклянной или другой связкой (тирит, вилит, лэтин, силит). Известны также полу­проводники органические (антрацен, полинафталин, полиацетилен и др.), стеклоообразные (халькогенидные стекла) и жидкие.


Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 211 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Резины представляют собой вулканизированную многокомпонент­ную систему на основе каунуков. Из-за своей высокой эластичности ре­зины относятся к классу эластомеров. | Стеклами, независимо от их химического состава, называют ам- форные тела, полученные путем переохлаждения расплава. | Сти электрического поля Е | Пьезоэлектрики | Электрооптические материалы | Жидкие кристаллы | Люминофоры | Колесов | Электреты | Сторона электрета, обращенная к минусу поляризующего напряжения; 2 — то же, к плюсу |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Раздел 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ| СОБСТВЕННЫЕ И ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)