Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Электропроводность твердых диэлектриков ионного строения

Читайте также:
  1. II. Понятие и принципы построения управленческих структур.
  2. IX ОРГАНИЗАЦИЯ ИНФОРМАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ
  3. Агрегатный способ построения общего индекса
  4. Антишахские настроения
  5. Аппаратные особенности построения динамических ОЗУ
  6. Без «экологической модернизации» невозможно обеспечить диверсификацию развития России, повышение конкурентоспособности и улучшение инвестиционного климата.
  7. Билет (Виды информационного поиска) Виды информационного поиска

У этих диэлектриков электропроводность обусловлена направ­ленным перемещением точечных дефектов (см. гл. 1.6), концентра­ция которых при нагревании возрастает за счет тепловых флуктуа- ций. Точечными дефектами являются как собственные свободные ионы диэлектрика (в том числе ионы, находящиеся вблизи дефек­тов решетки) и вакансии кристаллической решетки, так и ионы при­меси. Перемещение вакансий рассматривается как движение заря­женных частиц. Дрейф собственных заряженных частиц диэлектрика обусловливает его собственную проводимость, которая проявляется при высоких температурах. Дрейф ионов примеси обусловливает примесную проводимость, наблюдаемую уже при сравнительно низ­ких температурах. Примеси являются не только источником свобод­ных ионов, они, ослабляя ионную связь, облегчают тем самым соб­ственным ионам диэлектрика уход из узлов решетки в междоузлие, после чего эти ионы становятся свободными и образуют в диэлек­трике электрический ток. Чем выше температура, тем большее число собственных ионов освобождается из узлов решетки, выше их под­вижность и тем, следовательно, выше удельная электропроводность (см. формулы (3.5), (3.9) и рис. 3.4).

р, Ом- м о 3 5 7 9 11 8

В широком диапазоне температуры зависимость lgy диэлектрика ионного строения от обратной абсолютной температуры (1/7) мож­
но представить в виде двух прямолинейных участков с различными углами наклона к оси абсцисс (рис. 3.11). Ниже точки излома распо­ложена область низкотемпературной или примесной проводимости. В этой области прямая зависимости lgy(l/7) более пологая, и элек­тропроводность в данном случае определяется в основном природой и концентрацией примеси. Выше точки излома находится область высокотемпературной или собственной проводимости, обусловленная в основном дрейфом собственных свободных ионов и вакансий. Она от примеси не зависит и является физическим параметром данного диэлектрика. С увеличением температуры оба вида проводимости возрастают в результате увеличения подвижности, а главное — кон­центрации заряженных частиц.

Наиболее высокое удельное сопротивление (р = 1015—1017 Омм) у высококачественных диэлектриков ионного строения с плотной упаковкой решетки ионами (например, кварцевое стекло, корундо­вая керамика, слюда). Наличие в этих диэлектриках ионов примеси приводит к существенному снижению удельного сопротивления. Особенно опасны примеси, чьи ионы по размеру меньше, чем собст­венные ионы диэлектрика, и являются одновалентными (например, ионы водорода и щелочных металлов).

У диэлектриков аморфных и кристаллических с неплотной упа­ковкой решетки ионами (например, неорганические стекла, элек­тротехническая керамика, асбест) удельное сопротивление ниже (р = 108— Ю10 Омм), чем у диэлектриков с плотной упаковкой решетки. Более «рыхлая» структура этих материалов обеспечивает большую подвижность ионам. Кроме того, эти материалы имеют и большую концентрацию носителей заряда.

2000юоо600т.; с
10 8 10 9 10 10 10 11
4 6
 
10 12 14 \ъъ%к1
Y. Cm/KI
Рис. 3.11. Зависимость удельной электропро­водности у диэлектрика ионного строения — алюминоксида (алунда) от обратной темпера­туры 1 /Т

Удельная электропроводность твердых диэлектриков ионного строения зависит также от их химического состава. Кристаллы с мно­говалентными ионами имеют большее удельное сопротивление, чем кристаллы с одновалентными ионами. Например, удельное сопротив­ление кристаллов А1203, Si02 или MgO значительно выше, чем кри­сталлов NaCl. Замена ионов с меньшим радиусом на ионы с бблыиим радиусом (Li+->Na+—>К+—>Rb+) приводит к возрастанию удельного со­противления на несколько десятичных порядков. Введение в материал (например, стекло) окислов тяжелых металлов (РЬО, ВаО) приводит к существенному увеличению удельного сопротивления.


Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 99 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения неполярные | Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения полярные | Диэлектрики ионного строения аморфные и кристаллические с неплотной упаковкой решетки ионами | Полярные полимеры | Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости | Зависимость электропроводности диэлектриков, концентрации носителей зарядов и их подвижности от температуры | Зависимость j от Е в широком интервале | Ионная проводимость | Электропроводность полимерных диэлектриков | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Зависимость jи уот Ев широком интервале| Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)